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公开(公告)号：CN105009240A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480009510.3
申请日：2014-03-03
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01G11/56
Abstract: 本发明提供一种高电容且在低频区域中的静电电容的频率依存性较小的全固态电容器。本发明的全固态电容器(1)，包括：无机固体电解质(2)；和夹着它而设置的一对集电体(3A、3B)，所述无机固体电解质(2)具有多晶结构，当作为电阻分量而将所述无机电解质(2)的晶粒内电阻表示为R1，将晶粒晶界电阻表示为R2，将所述无机固体电解质(2)与所述集电体(3A、3B)的界面电阻表示为R3；作为静电电容分量而将所述无机固体电解质的晶粒内电容表示为C1，将晶粒晶界电容表示为C2，将所述无机固体电解质(2)与所述集电体(3A、3B)的界面电容表示为C3时，R1＜R2＜R3，并且C1＜C3且C1＜C2。
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公开(公告)号：CN105706201A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480056366.9
申请日：2014-09-29
IPC: H01G11/56
CPC classification number: H01G11/56 , C01G23/003 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C04B35/462 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3227 , C04B2235/6562 , C04B2235/85 , H01G4/12 , H01G4/1218 , H01G4/1281 , H01G11/66
Abstract: 本发明是包含无机固体电解质(2)、和夹着无机固体电解质(2)而设置的一对集电体(3)的全固态型电容器(1)。在全固态型电容器(1)中，无机固体电解质(2)具有由多个结晶粒子(21)、和形成于结晶粒子(21)间的晶界(22)所构成的多晶结构。结晶粒子(21)中所含的第1结晶粒子(21D)的位于晶界(22)近旁的晶畴(5B)的尺寸大于位于其中心近旁的晶畴(5A)的尺寸。
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公开(公告)号：CN115210832A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180015195.5
申请日：2021-02-01
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 永吉麻衣子
IPC: H01G4/30
Abstract: 电容器包括层叠体和位于其表面的外部电极。层叠体具有电介质层和内部电极层，电介质层和内部电极层交替地层叠多层。多个晶粒包含小径的第1晶粒和大径的第2晶粒；在将第1晶粒的粒径设为d1，将第2晶粒的粒径设为d2时，0.13μm≤d1＜0.30μm，且0.30μm≤d2＜0.50μm。第2晶粒的添加物元素含量比第1晶粒的添加物元素含量多。
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公开(公告)号：CN113286769A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202080008561.X
申请日：2020-01-17
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/468 , H01G2/08 , H01G4/224 , H01G4/30
Abstract: 本公开的电容器包括电介质层和内部电极层交替地层叠了多层的电容器主体。电介质层具有晶粒、晶界和金属粒子。金属粒子的平均粒径比晶粒的平均粒径小，且比晶界当中二面间晶界的平均宽度大。在观察电介质层的纵剖面时，金属粒子分布在电介质层的宽度方向以及厚度方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105706201B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480056366.9
申请日：2014-09-29
IPC: H01G11/56
CPC classification number: H01G11/56 , C01G23/003 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C04B35/462 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3227 , C04B2235/6562 , C04B2235/85 , H01G4/12 , H01G4/1218 , H01G4/1281 , H01G11/66
Abstract: 本发明是包含无机固体电解质(2)、和夹着无机固体电解质(2)而设置的一对集电体(3)的全固态型电容器(1)。在全固态型电容器(1)中，无机固体电解质(2)具有由多个结晶粒子(21)、和形成于结晶粒子(21)间的晶界(22)所构成的多晶结构。结晶粒子(21)中所含的第1结晶粒子(21D)的位于晶界(22)近旁的晶畴(5B)的尺寸大于位于其中心近旁的晶畴(5A)的尺寸。
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公开(公告)号：CN105009240B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201480009510.3
申请日：2014-03-03
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01G11/56
Abstract: 本发明提供一种高电容且在低频区域中的静电电容的频率依存性较小的全固态电容器。本发明的全固态电容器(1)，包括：无机固体电解质(2)；和夹着它而设置的一对集电体(3A、3B)，所述无机固体电解质(2)具有多晶结构，当作为电阻分量而将所述无机电解质(2)的晶粒内电阻表示为R1，将晶粒晶界电阻表示为R2，将所述无机固体电解质(2)与所述集电体(3A、3B)的界面电阻表示为R3；作为静电电容分量而将所述无机固体电解质的晶粒内电容表示为C1，将晶粒晶界电容表示为C2，将所述无机固体电解质(2)与所述集电体(3A、3B)的界面电容表示为C3时，R1＜R2＜R3，并且C1＜C3且C1＜C2。
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公开(公告)号：CN105556627B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201480049248.5
申请日：2014-09-29
IPC: H01G11/56
Abstract: 本发明涉及静电电容较高、频率特性卓越、能够小型化的全固态电容器。本发明的全固态电容器包含:无机固体电解质、和夹着所述无机固体电解质而设置的对集电体,所述无机固体电解质具有以般式ABO表示的钙钛矿型结晶结构的主晶相。A位元素包括Li、和作为元素周期表的第2族元素当中的至少1种的M这2种元素,B位元素包括Ti、和作为元素周期表的第5族元素当中至少1种的M′这2种元素。
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公开(公告)号：CN106458764A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580031377.6
申请日：2015-07-03
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: C04B35/465 , C04B35/46 , C04B35/462 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3255 , C04B2235/326 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , H01G4/12 , H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种相对介电常数高且介电特性的频率依赖性和温度依赖性小的电介质材料、以及电子部件。电介质材料作为主要的金属元素而包含Ti，并具有金红石型的结晶构造，其中，作为Ti以外的金属元素，包含：金属元素M1，是从Ni、Co、以及周期表的第2族之中选出的至少任一种；以及金属元素M2，是从周期表的第5族和第6族之中选出的至少任一种，相对于Ti、M1以及M2的总量，M1的摩尔比率x为0.005～0.025，M2的摩尔比率y为0.010～0.05。
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公开(公告)号：CN105556627A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480049248.5
申请日：2014-09-29
IPC: H01G11/56
Abstract: 本发明涉及静电电容较高、频率特性卓越、能够小型化的全固态电容器。本发明的全固态电容器包含：无机固体电解质、和夹着所述无机固体电解质而设置的一对集电体，所述无机固体电解质具有以一般式ABO3表示的钙钛矿型结晶结构的主晶相。A位元素包括Li、和作为元素周期表的第2族元素当中的至少1种的M这2种元素，B位元素包括Ti、和作为元素周期表的第5族元素当中至少1种的M′这2种元素。
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