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公开(公告)号：CN107996003A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201680033066.8
申请日：2016-06-03
Abstract: 提供了一种制造绝缘栅开关器件的方法。所述方法包括：在第一SiC半导体层的表面中形成第一沟槽；将p型杂质注入到所述第一沟槽的底表面中；在所述第一沟槽的内表面上沉积第二SiC半导体层以形成第二沟槽；以及形成栅极绝缘层、栅电极、第一区域和体区域，使得栅极绝缘层覆盖第二沟槽的内表面，栅电极位于第二沟槽中，第一区域为n型并与栅极绝缘层接触，体区域为p型，与注入区域分离，并且在第一区域下方与栅极绝缘层接触。
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公开(公告)号：CN104969348B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201380071969.1
申请日：2013-12-19
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/761 , H01L27/088 , H01L29/0615 , H01L29/0642 , H01L29/1095 , H01L29/66068 , H01L29/7813 , H01L29/7815
Abstract: 碳化硅半导体装置具备元件分离层(14)和电场缓和层(15)。元件分离层在主单元区域(Rm)与感测单元区域(Rs)之间，从基极区域(3)的表面形成至比所述基极区域更深，分离为所述主单元区域侧和所述感测单元区域侧。电场缓和层从所述基极区域的底部形成至比所述元件分离层更深的位置。所述电场缓和层被分离为所述主单元区域侧和所述感测单元区域侧，在所述电场缓和层的分离部分的内侧配置有所述元件分离层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN104919594B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201480004973.0
申请日：2014-01-09
IPC: H01L29/66
CPC classification number: H01L29/66348 , H01L29/0619 , H01L29/0847 , H01L29/0865 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/66045 , H01L29/66068 , H01L29/66333 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7802 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括:在漂移层的第一区域中形成第一沟槽,该漂移层具有包括第一区域和第二区域的表面；在形成第一沟槽之后,在漂移层的表面上生长p型基极层的晶体；以及在基极层的表面上生长n型源极层的晶体。漂移层的材料、基极层的材料和源极层的材料是宽带隙半导体。
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公开(公告)号：CN107004700A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580067401.1
申请日：2015-07-22
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置(1)具备形成有半导体元件的半导体基板(2)和形成于半导体基板(2)之上的绝缘膜(30)。半导体基板(2)具备第一部分(10)和厚度比第一部分(10)薄的第二部分(20)。第二部分(20)的上表面(21)位于比第一部分(10)的上表面(11)靠下方处。在位于第一部分(10)与第二部分(20)相邻的位置的第二部分(20)的上表面(21)形成有在半导体基板(2)的厚度方向上延伸的凹部(50)。绝缘膜(30)从第一部分(10)延伸到第二部分(20)，并填充凹部(50)。
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公开(公告)号：CN107004700B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201580067401.1
申请日：2015-07-22
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置(1)具备形成有半导体元件的半导体基板(2)和形成于半导体基板(2)之上的绝缘膜(30)。半导体基板(2)具备第一部分(10)和厚度比第一部分(10)薄的第二部分(20)。第二部分(20)的上表面(21)位于比第一部分(10)的上表面(11)靠下方处。在位于第一部分(10)与第二部分(20)相邻的位置的第二部分(20)的上表面(21)形成有在半导体基板(2)的厚度方向上延伸的凹部(50)。绝缘膜(30)从第一部分(10)延伸到第二部分(20)，并填充凹部(50)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108172632A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711159622.9
申请日：2017-11-20
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/265 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种抑制肖特基电极的势垒高度的偏差的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法具有：向SiC晶圆的表面注入含氧的带电粒子的工序；及在注入了所述带电粒子之后，在所述表面上形成相对于所述SiC晶圆进行肖特基接触的肖特基电极的工序。通过注入含氧的带电粒子，能够准确地控制肖特基界面的氧量。由此，能够准确地控制势垒高度。
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公开(公告)号：CN107996003B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201680033066.8
申请日：2016-06-03
Abstract: 提供了一种制造绝缘栅开关器件的方法。所述方法包括：在第一SiC半导体层的表面中形成第一沟槽；将p型杂质注入到所述第一沟槽的底表面中；在所述第一沟槽的内表面上沉积第二SiC半导体层以形成第二沟槽；以及形成栅极绝缘层、栅电极、第一区域和体区域，使得栅极绝缘层覆盖第二沟槽的内表面，栅电极位于第二沟槽中，第一区域为n型并与栅极绝缘层接触，体区域为p型，与注入区域分离，并且在第一区域下方与栅极绝缘层接触。
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公开(公告)号：CN107431092A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680017256.0
申请日：2016-03-10
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 半导体装置具备：漏极区(1)，其由第一或第二导电型半导体构成；漂移层(2)，其由第一导电型半导体构成；基极区(4)，其由第二导电型半导体构成；源极区(5)，其由高浓度的第一导电型半导体构成；接触区(6)，其由高浓度的第二导电型半导体构成；沟槽栅结构，其包含上段侧栅结构以及下段侧栅结构；源电极(10)，其与所述源极区以及所述接触区连接；漏电极(12)，其被配置在所述漏极区的背面侧。所述上段侧栅结构被配置在沟槽(7)内的上段侧，并具有第一栅绝缘膜(8a)和第一栅电极(9a)。此外，所述下段侧栅结构被配置在所述沟槽内的下段侧，并具有由较高的介电常数的绝缘材料构成的第二栅绝缘膜(8b)和第二栅电极(9b)。
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公开(公告)号：CN104969348A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201380071969.1
申请日：2013-12-19
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L21/761 , H01L27/088 , H01L29/0615 , H01L29/0642 , H01L29/1095 , H01L29/66068 , H01L29/7813 , H01L29/7815
Abstract: 碳化硅半导体装置具备元件分离层(14)和电场缓和层(15)。元件分离层在主单元区域(Rm)与感测单元区域(Rs)之间，从基极区域(3)的表面形成至比所述基极区域更深，分离为所述主单元区域侧和所述感测单元区域侧。电场缓和层从所述基极区域的底部形成至比所述元件分离层更深的位置。所述电场缓和层被分离为所述主单元区域侧和所述感测单元区域侧，在所述电场缓和层的分离部分的内侧配置有所述元件分离层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN105981173B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201480075197.3
申请日：2014-10-06
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 一种半导体装置，具有：终端沟槽，其围绕形成有多个栅极沟槽的区域的周围一周；下端p型区，其为p型，并与终端沟槽的下端相接；外周p型区，其为p型，并从外周侧与终端沟槽相接，且露出于半导体基板的表面；多个保护环区，其为p型，并被形成在与外周p型区相比靠外周侧，且露出于半导体基板的表面；外周n型区，其为n型，并使外周p型区与多个保护环区分离，且使多个保护环区相互分离。
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