-
公开(公告)号：CN114678264A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210220200.2
申请日：2022-03-08
Applicant: 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种硅基III‑V族半导体材料的制备方法，该方法包括在硅衬底上至少两次重复生长以弱关联晶化为特征的III‑V族半导体基本外延结构单元。每个基本外延结构单元自下而上都包括低温层、中温层和高温层三层，且在高温层生长过程中须插入热循环退火。该方法使得低温层的顶部与底部区域实现彼此弱关联的晶化，同时使得高温层连同中温层的顶部区域与中温层底部区域实现彼此弱关联的晶态纯化，从而实现高温层晶体质量的优化。基于类似的机理，该基本外延结构单元的重复生长可进一步提高目标外延层(即完整结构顶部外延层)的晶体质量。采用本方法可制备穿透位错密度极低的硅基III‑V族半导体材料。
-
公开(公告)号：CN102191540B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110119981.8
申请日：2011-05-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法，包含以下步骤：步骤1：取一衬底放入MOCVD设备中；步骤2：在MOCVD设备中利用载气通入锌源，在衬底上生长一层锌隔离层；步骤3：在MOCVD设备中利用载气通入锌源和氧源，使得在锌隔离层上得到氧化锌薄膜和氧化锌薄膜上面的平行于衬底表面排列的氧化锌纳米线。
-
公开(公告)号：CN102130423B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110033774.0
申请日：2011-01-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光二极管发光单元及器件。该发光单元输出激光的功率大于0.2W，其结构自下往上包括：第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层和第二限制层，其中：第一限制层和第二限制层，用于形成PN结进行载流子输入；第一波导层和第二波导层的厚度均介于400～600nm之间，用于形成激光传输的通路；量子阱层，用于作为有源区产生激光。本发明通过增加发光单元中波导层的厚度，能够有效地提高半导体激光二极管的COD阈值。
-
公开(公告)号：CN101888056B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910084036.1
申请日：2009-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构，包括：一衬底，用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，制作在GaAs衬底上；一N型下限制层，制作在缓冲层上；一下渐变光陷阱层，制作在N型下限制层上；一上渐变光陷阱层，制作在下渐变光陷阱层上；一N型上限制层，制作在下渐变光陷阱层上；一N型渐变波导层，制作在N型下限制层上；一量子阱有源区，制作在N型渐变波导层上；一P型渐变波导层，制作在量子阱有源区上；一P型限制层，制作在P型渐变波导层上；一电极接触层，制作在P型限制层上。
-
公开(公告)号：CN100576092C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610165109.6
申请日：2006-12-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G03F7/42 , G03F7/36 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明一种等离子去胶台可调式载片体，用于等离子去胶台中承载并固定待清洗或去胶的外延片，其特征在于，包括：一承载体，该承载体为一矩形，该承载体的上面中间两侧分别有一螺孔；两探针架，该两探针架类似于套管天线的结构，其长度可以伸缩调节，该两探针架的一端分别用螺丝固定在承载体上面的螺孔上；两探针，该探针为细丝状，该两探针的一端分别固定在两探针架的另一端。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100446194C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200510126243.0
申请日：2005-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/3115
Abstract: 一种半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法，利用硅离子注入和HF化学腐蚀剂，对硅上氧化铝薄膜进行选择性腐蚀，形成陡峭、清晰、规则的氧化铝腐蚀图形，包括如下步骤：取一半导体硅单晶衬底；在半导体硅单晶衬底上外延生长氧化铝介电薄膜；在氧化铝介电薄膜上涂光刻胶；在光刻胶上刻蚀，形成带有一定间隔的凹槽的光刻胶刻蚀图形；采用硅离子注入工艺，对凹槽下的氧化铝介电薄膜进行选择性硅离子注入；采用HF化学腐蚀工艺，对进行了硅离子注入的氧化铝介电薄膜进行选择性腐蚀，形成带有线条的图形，完成半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀。
-
公开(公告)号：CN101269478A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200710064694.5
申请日：2007-03-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B24B41/047 , B24B29/02 , H01L21/304
Abstract: 一种减薄抛光用的精密磨抛头机械装置，其特征在于，包括：一外套，该外套包括：一上层环体；一下层环体，该上层环体和下层环体之间由多个连接杆固定连接；一中层，该中层为圆形片体，该中层位于上层环体的下方、固定在多个连接杆的内侧，该中层中间的位置安装有一限位器；一内套，该内套包括：一上连接件，该上连接件为一圆盘型；一底座，该底座为一圆盘型，该底座的中心处开有一孔，该底座和上连接件之间由多个连接柱固定连接；该内套位于外套的内部，并与外套联动；一载物片，该载物片为一片体，该载物片位于内套中的底座的下方，并与内套中的底座联动。
-
公开(公告)号：CN1979980A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510126328.9
申请日：2005-12-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S3/098
Abstract: 一种光纤激光器被动锁模用半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一多量子阱，采用低温生长技术将多对应变补偿的量子阱制作在布拉格反射镜上，该多量子阱包括多对应变补偿的单量子阱，每对应变补偿的单量子阱包括：下垒层、补偿层、吸收区和上垒层，该多量子阱起光吸收和光生载流子弛豫的作用。
-
公开(公告)号：CN1979773A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510126243.0
申请日：2005-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/3115
Abstract: 一种半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法，利用硅离子注入和HF化学腐蚀剂，对硅上氧化铝薄膜进行选择性腐蚀，形成陡峭、清晰、规则的氧化铝腐蚀图形，包括如下步骤：取一半导体硅单晶衬底；在半导体硅单晶衬底上外延生长氧化铝介电薄膜；在氧化铝介电薄膜上涂光刻胶；在光刻胶上刻蚀，形成带有一定间隔的凹槽的光刻胶刻蚀图形；采用硅离子注入工艺，对凹槽下的氧化铝介电薄膜进行选择性硅离子注入；采用HF化学腐蚀工艺，对进行了硅离子注入的氧化铝介电薄膜进行选择性腐蚀，形成带有线条的图形，完成半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀。
-
公开(公告)号：CN1901301A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200510012236.8
申请日：2005-07-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种高注入效率大功率808nm量子阱半导体激光器结构，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下限制层上；一量子阱层，该量子阱层制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在量子阱层上；一P型上限制层，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，该过渡层制作在P型上限制层上；一电极接触层，该电极接触层制作在过渡层上，形成大功率808nm量子阱半导体激光器。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.043 seconds)
