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公开(公告)号：CN116299856B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310566605.6
申请日：2023-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/13 , G02B6/136 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种硅光耦合结构，包括：衬底（1），其表面一选区内刻蚀形成外延槽；外延复合层（4），生长于外延槽内，包括第一外延层（41）和第二外延层（42），第一外延层（41）覆盖外延槽底部，第二外延层（42）位于第一外延层（41）的上表面的第一预定区域，第一预定区域的面积小于或等于第一外延层（41）的面积；顶波导层（6），设置于第二外延层（42）上，并延伸出外延槽。本发明的硅光耦合结构体积紧凑，工艺兼容性高，耦合效率高，同时具有灵活性和可拓展性。
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公开(公告)号：CN116259680A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310163217.3
申请日：2023-02-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0236
Abstract: 本发明提供了一种多中间能带量子点太阳电池，包括：衬底；以及外延层，包括：N型层，设置在衬底上；至少两层量子点吸收层，设置在N型层上，至少两层量子点吸收层中的每层的带隙不同以分别对不同能量的光子进行吸收；P型层，设置在至少两层量子点吸收层上。采用多种周期性量子点材料共同作为吸收区，形成多个不同的中间能带结构，优化对太阳光谱的匹配吸收，提高了低能光子吸收和光电流，提升了量子点中间能带太阳电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN115373072A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110562784.7
申请日：2021-05-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种c轴择优取向氧化锌镁脊型波导及制作方法，该方法包括：在c轴择优取向Znl‑xMgxO薄膜上形成条形的掩蔽层，其中0≤x≤0.3；以及在所述掩蔽层的保护下，采用干法刻蚀技术对所述c轴择优取向Zn1‑xMgxO薄膜进行刻蚀，形成脊型波导结构。本发明制得的Znl‑xMgxO脊型波导可应用于非线性波导、光波耦合器、波导调制器、波导开关以及波导激光器等无源和有源器件，在集成光学和光互连等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110611244B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910896555.1
申请日：2019-09-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单模砷化镓基量子点激光器的制备方法，该方法包括：在砷化镓基外延片P面生长掩膜薄层，对掩膜薄层进行一次标准光刻，制作出表面高阶光栅槽；再在外延片P面生长一层掩膜薄层，对掩膜薄层进行二次标准光刻制作出条形脊波导；之后再生长一层掩膜薄层，进行三次标准光刻形成电注入窗口；在外延片P面进行四次标准光刻并剥离光刻胶形成P面欧姆接触电极；最后在砷化镓基外延片背面的N型衬底上制作欧姆接触电极，对砷化镓基外延片解理出包含增益区及高阶光栅区的激光器，对激光器进行封装。本发明通过标准光刻工艺无需制作小周期的光栅及二次外延，即可产生稳定的单模激射，降低工艺的复杂性和成本，易于器件的制备和大规模的生产。
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公开(公告)号：CN111943520A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010805925.9
申请日：2020-08-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C03C15/00 , H01L31/0236 , H01L51/00 , H01L51/42
Abstract: 本发明公开了一种高雾度玻璃衬底、制备方法及薄膜太阳电池。制备方法包括：步骤A，清洗玻璃衬底；步骤B，对步骤A得到的玻璃衬底的表面进行反应离子刻蚀处理；步骤C，使用盐酸溶液对所述步骤B得到的玻璃衬底进行腐蚀处理；步骤D，使用氢氟酸溶液对所述步骤C得到的玻璃衬底进行腐蚀处理；以及步骤E，清洗并干燥所述步骤D得到的玻璃衬底。通过本公开的制备方法得到的高雾度玻璃衬底具有均匀分布微米量级尺寸形状的粗糙形貌，所制备的高雾度玻璃衬底上粗糙形貌基本单元的尖锐程度可调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108823539A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810534896.X
申请日：2018-05-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种低电阻层状结构正交相MoO3-x薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：利用真空蒸发法在衬底上形成薄膜；步骤2：将所述薄膜在大气气氛中进行第一步热处理；以及步骤3：将所述薄膜在氮气气氛中进行第二步热处理，完成制备。本发明具有制造工艺简便等优点；该方法是采用真空蒸发法制膜并加以两步热处理，可以获得既具有层状结构又具有较低电阻率的α-MoO3-x薄膜材料；该材料可广泛地应用于双电层电容器、锂离子电池、有机光电二极管、薄膜太阳能电池等光电子器件。
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公开(公告)号：CN108365516A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810151209.6
申请日：2018-02-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本公开提供了一种基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器，其由磷化铟基外延片基材加工而成，所述半导体激光器包括：量子阱有源层，位于所述半导体激光器中间，用于发射激光；N区结构层，位于量子阱有源层之下，用于提供电子以及对载流子和光场的限制；以及P区结构层，位于量子阱有源层之上，用于提供空穴以及对载流子和光场的限制；所述P区结构层包括由M条脊波导构成的耦合脊阵列，M≥2，所述耦合脊阵列使得各个相邻脊波导下方有源区输出光场之间实现相干耦合，同时也加强了脊波导对于有源区中光场的限制作用，避免激光器以多横模模式激射，使输出光束质量更高。
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公开(公告)号：CN104600564B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510012713.4
申请日：2015-01-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上生长磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上生长晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上制备多周期的砷化铟量子点有源层，所述铟镓砷磷薄层是砷化铟量子点有源层的下势垒层；步骤5：在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，本层为砷化铟量子点有源层的上势垒层。本发明通过改变第一盖层的厚度对量子点高度进行调控，在不同周期中得到不同的发光波长，通过多周期量子点同时发光实现良好的光学性能和宽达300nm以上的发光光谱。
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公开(公告)号：CN103311305B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310233363.5
申请日：2013-06-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , B82Y10/00
Abstract: 本发明提供了一种硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法。该硅基横向纳米线多面栅晶体管通过化学腐蚀形成相对的两具有硅(111)晶面的端面，在该相对的两硅(111)晶面之间实现了III-V材料纳米线横向生长并形成桥接结构，从而容易实现多面金属栅在平面上的逻辑集成。
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公开(公告)号：CN103346070B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310232595.9
申请日：2013-06-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法。该方法包括：步骤A，在(110)晶面SOI衬底的顶硅薄层上制备整段硅纳米线；步骤B，去除整段硅纳米线的中段部分，在保留的左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的端面形成硅(111)晶面；以及步骤C，在左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的，具有硅(111)晶面的两端面之间横向选区生长III-V族材料纳米线，形成异质结桥接结构。本发明利用硅(111)晶面有较高的悬挂键密度和较低的表面自由能的特性，可以低成本实现在两段硅纳米线之间硅(111)晶面侧壁上III-V族纳米线的选区横向生长。
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