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公开(公告)号：CN113120857B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110400994.6
申请日：2021-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种光学微纳结构的制备方法，通过获取异质复合衬底；异质复合衬底从上至下依次包括薄膜层、绝缘层和支撑衬底；薄膜层由硅材料制成；对异质复合衬底进行离子束切割，得到光学微纳结构；光学微纳结构包括由于离子束切割造成的损伤层，损伤层位于薄膜层；对光学微纳结构进行退火处理，于损伤层的位置处形成二氧化硅层；二氧化硅层的厚度大于损伤层的厚度；去除二氧化硅层，使得损伤层一并去除，得到未被损伤的光学微纳结构。如此，可有效去除离子束对材料的损伤，从而得到高性能光学微纳结构。
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公开(公告)号：CN116774469B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202310737309.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及微电子器件领域，尤其涉及一种器件的制备方法及结构。方法包括：对第一碳化硅衬底进行离子注入，得到第一待键合结构；对第二碳化硅衬底进行修整处理；将第一待键合结构和第二碳化硅衬底进行键合，得到第一键合结构；基于第一键合结构进行碳化硅剥离，得到碳化硅外延基底；在碳化硅外延基底上制备碳化硅外延层，得到第二待键合结构；将第二待键合结构的碳化硅外延层和第三碳化硅衬底基于介质层进行键合，得到第二键合结构；将第二键合结构中的碳化硅外延基底去除，得到复合衬底；在复合衬底的待刻蚀区域制备调制器件结构，得到器件。本申请可以基于载流子色散的机制，实现碳化硅的高效光调制的解决方案。
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公开(公告)号：CN118091996A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410059483.6
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及信息功能材料与器件制备领域，特别涉及一种异质集成光学芯片及其制备方法。方法包括获取带有缺陷层的单晶硅晶片和绝缘体上钽酸锂晶片，将单晶硅晶片与绝缘体上钽酸锂晶片进行键合，得到第一异质键合结构；沿缺陷层剥离部分单晶硅晶片，得到第二异质键合结构；对第二异质键合结构中的单晶硅晶片进行刻蚀，形成硅波导；在硅波导所在的预设区间内，刻蚀钽酸锂层，形成钽酸锂波导；对硅波导进行离子掺杂，形成光电探测器；在绝缘体上钽酸锂晶片表面制备共面波导电极，得到目标异质集成光学芯片。本发明的异质集成光学芯片结合硅的工艺便利性和光探测性及钽酸锂的电光特性，可获得片上大带宽高速传输和高速光信号探测,且经济型更强。
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公开(公告)号：CN118091995A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410058134.2
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种电光调制器，具体涉及半导体光电技术领域，该电光调制器包括：基底，所述基底包括异质衬底和形成在所述异质衬底上的钽酸锂波导层；所述钽酸锂波导层包括多个钽酸锂波导；位于所述钽酸锂波导层上的波导保护层；所述波导保护层覆盖所述基底；位于所述波导保护层上的金属电极层；所述金属电极层包括至少一个信号电极和至少一个接地电极。本申请利用钽酸锂优良的微波特性和电光属性，基于钽酸锂波导的电光调制器具备低损耗、高调制速率的优点；并且钽酸锂晶圆的大规模量产使其具备高性价比的优势，因而基于钽酸锂波导的电光调制器同时具备低成本的优势。
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公开(公告)号：CN116819805B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202310736866.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种基于碳化硅载流子的光调制器制备方法及光调制器。通过基于碳化硅衬底进行同质外延得到N型低掺杂碳化硅薄膜层，后续对N型低掺杂碳化硅薄膜层再进行N型不同浓度的掺杂以及P型掺杂，以形成能够实现载流子色散效应的掺杂层，然后通过先与第一支撑衬底键合，以去除碳化硅衬底，再与第二支撑衬底键合，并去除第一支撑衬底，从而得到能够避免光在N型低掺杂碳化硅薄膜层向衬底泄露的高效和高速的光调制器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114525489B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210089355.7
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及信息功能材料制备领域，特别涉及一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法，包括：将第一碳化硅晶圆和第二碳化硅晶圆键合形成第一键合结构；对所述第一键合结构进行退火处理，沿所述第一碳化硅晶圆的缺陷层剥离部分所述第一碳化硅晶圆；在第一碳化硅晶圆上外延生长第一纯度的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层表面形成有第三键合介质层；将所述第一键合结构和硅衬底键合形成第二键合结构；面向所述第二碳化硅晶圆切割至所述第一键合介质层，去除所述第二碳化硅晶圆和所述第一碳化硅晶圆，暴露所述碳化硅外延层，得到硅基碳化硅薄膜材料。本发明解决了碳化硅薄膜制备技术中单晶质量差、无法通过传统薄膜沉积异质外延、薄膜均匀性差的技术问题。
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公开(公告)号：CN114525489A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210089355.7
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及信息功能材料制备领域，特别涉及一种硅基碳化硅薄膜材料制备方法，包括：将第一碳化硅晶圆和第二碳化硅晶圆键合形成第一键合结构；对所述第一键合结构进行退火处理，沿所述第一碳化硅晶圆的缺陷层剥离部分所述第一碳化硅晶圆；在第一碳化硅晶圆上外延生长第一纯度的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层表面形成有第三键合介质层；将所述第一键合结构和硅衬底键合形成第二键合结构；面向所述第二碳化硅晶圆切割至所述第一键合介质层，去除所述第二碳化硅晶圆和所述第一碳化硅晶圆，暴露所述碳化硅外延层，得到硅基碳化硅薄膜材料。本发明解决了碳化硅薄膜制备技术中单晶质量差、无法通过传统薄膜沉积异质外延、薄膜均匀性差的技术问题。
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公开(公告)号：CN113120857A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110400994.6
申请日：2021-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种光学微纳结构的制备方法，通过获取异质复合衬底；异质复合衬底从上至下依次包括薄膜层、绝缘层和支撑衬底；薄膜层由硅材料制成；对异质复合衬底进行离子束切割，得到光学微纳结构；光学微纳结构包括由于离子束切割造成的损伤层，损伤层位于薄膜层；对光学微纳结构进行退火处理，于损伤层的位置处形成二氧化硅层；二氧化硅层的厚度大于损伤层的厚度；去除二氧化硅层，使得损伤层一并去除，得到未被损伤的光学微纳结构。如此，可有效去除离子束对材料的损伤，从而得到高性能光学微纳结构。
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公开(公告)号：CN111736260A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010630086.1
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及集成光学技术领域，特别涉及一种偏振器件及其制备方法。包括：支撑层和模式筛选层，所述支撑层用于支撑所述所述模式筛选层；所述模式筛选层包括光吸收层和光隔离层，所述光吸收层设置在所述支撑层上，所述光隔离层设置在所述光吸收层上；所述光吸收层用于吸收预设光波导模式的光。光吸收层可以选择性吸收TM模式以及其他高阶模式的光波，光隔离层可以限制光吸收层对光波能量的吸收程度。本申请所述的偏振器件对光偏振的控制，是基于整个电路衬底进行改进来实现的，当光学结构大规模的在片上集成时，模式筛选层可对所有的光学结构中的光波进行偏振筛选，因此无须在光路上重复制备大量偏振控制结构，降低了工艺难度。
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公开(公告)号：CN109192670A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810941708.5
申请日：2018-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种柔性半导体复合薄膜及制备方法，柔性半导体复合薄膜的制备包括：提供一异质复合结构，包括牺牲衬底以及位于牺牲衬底表面的异质薄膜，牺牲衬底具有一刻蚀面，牺牲衬底中形成有自刻蚀面向内延伸的凹槽结构，异质薄膜位于刻蚀面的表面；提供一柔性衬底，将柔性衬底与异质薄膜远离刻蚀面的一侧相结合；采用腐蚀工艺腐蚀牺牲衬底，实现异质薄膜与牺牲衬底的分离，得到柔性半导体复合薄膜。本发明的柔性半导体复合薄膜及制备，通过在牺牲衬底(如氧化层)中光刻凹槽结构，增加了后期腐蚀的速率，也保证制得柔性半导体薄膜的完整性；将离子注入剥离制备异质复合结构与化学腐蚀结合，使得该柔性单晶半导体薄膜的制备可以覆盖大部分半导体。
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