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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107507829B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201710661954.0
申请日：2017-08-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/06 , H01L29/24 , H01L21/8234
Abstract: 本发明提供一种基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法，制备包括：提供一重掺杂的衬底，并于衬底一表面上形成轻掺杂的外延层；于外延层内形成欧姆接触区；于外延层表面形成界面钝化层，并于界面钝化层表面形成栅结构，于结构表面形成表面钝化层，并于表面钝化层内形成第一窗口及第二窗口；制作栅极金属电极、第一欧姆接触电极及第二欧姆接触电极。通过上述方案，本发明对MOS电容器的界面进行了优化，在栅介质层与外延层之间引入了界面钝化层，可消除MOS器件界面处不利的界面层，降低了界面密度和界面陷阱，制备方法简单，效果显著，提供了一种有效提高栅介质层与碳化硅界面特性的途径，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN107507829A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710661954.0
申请日：2017-08-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/06 , H01L29/24 , H01L21/8234
Abstract: 本发明提供一种基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法，制备包括：提供一重掺杂的衬底，并于衬底一表面上形成轻掺杂的外延层；于外延层内形成欧姆接触区；于外延层表面形成界面钝化层，并于界面钝化层表面形成栅结构，于结构表面形成表面钝化层，并于表面钝化层内形成第一窗口及第二窗口；制作栅极金属电极、第一欧姆接触电极及第二欧姆接触电极。通过上述方案，本发明对MOS电容器的界面进行了优化，在栅介质层与外延层之间引入了界面钝化层，可消除MOS器件界面处不利的界面层，降低了界面密度和界面陷阱，制备方法简单，效果显著，提供了一种有效提高栅介质层与碳化硅界面特性的途径，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105304689A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510772384.3
申请日：2015-11-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/0688 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L2229/00
Abstract: 本发明的基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法，将单层石墨烯转移到AlGaN表面，经过氟离子处理后绝缘，以此替代常规氮化物钝化层。然后在石墨烯上生长高k材料，两者共同作为栅介质，制备AlGaN/GaN金属-绝缘层-半导体（MIS）HEMT器件。石墨烯相比于传统钝化结构，具有物理厚度薄（亚纳米量级），附加阈值电压小的优点。同时，单层石墨烯也具有很好的隔离性能，防止生长高k材料的过程中，AlGaN表面被氧化而产生表面陷阱，以达到钝化的效果。另外，氟化过程能使石墨烯中引入负电荷，有利于HEMT器件的阈值电压正向移动，为实现增强型器件提供可能。本发明结构和方法简单，效果显著，在微电子与固体电子学技术领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105304689B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201510772384.3
申请日：2015-11-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明的基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及其制作方法，将单层石墨烯转移到AlGaN表面，经过氟离子处理后绝缘，以此替代常规氮化物钝化层。然后在石墨烯上生长高k材料，两者共同作为栅介质，制备AlGaN/GaN金属‑绝缘层‑半导体（MIS）HEMT器件。石墨烯相比于传统钝化结构，具有物理厚度薄（亚纳米量级），附加阈值电压小的优点。同时，单层石墨烯也具有很好的隔离性能，防止生长高k材料的过程中，AlGaN表面被氧化而产生表面陷阱，以达到钝化的效果。另外，氟化过程能使石墨烯中引入负电荷，有利于HEMT器件的阈值电压正向移动，为实现增强型器件提供可能。本发明结构和方法简单，效果显著，在微电子与固体电子学技术领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN107275196A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710480815.8
申请日：2017-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/033
CPC classification number: H01L21/0332
Abstract: 本发明提供一种利用金属/氧化物双层掩膜结构刻蚀SiC的方法，所述方法至少包括：1)提供SiC外延片，在所述SiC外延片表面生长氧化物掩膜层；2)在所述SiC外延片待刻蚀区域的所述氧化物掩膜层表面形成光刻胶层；3)在所述氧化物掩膜层和所述光刻胶层表面形成金属掩膜层；4)去除所述光刻胶层以及所述光刻胶表面的金属掩膜层，形成刻蚀窗口；5)通过所述刻蚀窗口刻蚀所述氧化物掩膜层和SiC外延片至所需深度；6)去除剩余的所述金属掩膜层和所述氧化物掩膜层，获得SiC栅槽结构。本发明利用氧化物掩膜作为阻挡层，可以防止金属元素向SiC外延片以及衬底扩散，从而解决元素污染的问题。另外，该方法可以获得高刻蚀速率、各向异性高、刻蚀表面光滑没有残留物的栅槽结构。
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