公开(公告)号：CN117742076A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311836321.0

申请日：2023-12-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 丁惠凤 ,  陈志蓥 ,  李彩艳 ,  孙浩 ,  高秀丽

IPC: G03F7/16

Abstract: 本发明涉及一种提高匀胶平整性及均匀性的方法，包括如下步骤：提供任意衬底，将吸附性材料固定在衬底边缘，形成结合体；将结合体吸附在匀胶机上匀胶，即得到表面胶层厚度均匀的衬底。本发明解决了现有光刻技术中因胶层厚度不均匀导致的掩模版和衬底不能完全贴合的问题，相对现有技术，本发明能够显著改善掩模版和待光刻衬底的贴合，操作简单，成本低廉，适合所有尺寸的样品。

公开(公告)号：CN111244188B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202010060088.1

申请日：2020-01-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 孙浩 ,  刘莉 ,  李彩艳 ,  张祁莲 ,  高一强 ,  钱蓉 ,  孙晓玮

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/267 ,  H01L21/329

Abstract: 本申请提供一种异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法，该二极管包括衬底层、GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、第二掺杂Si的GaAs层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层；衬底层、GaAs缓冲层、高掺杂N+层、低掺杂N层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层依次层叠连接。本申请提供的异质结AlGaAs/GaAs二极管中，Al组分和GaAs本征层厚度的优化使该二极管在进一步减小材料的导通电阻的同时保持其较大的耐压能力，同时在掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层上面增加了高浓度掺杂Be或C的GaAs层，能够有效减小欧姆接触电阻，从而减低二极管的插入损耗，能够有效提高二极管材料的射频性能。

公开(公告)号：CN111244188A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010060088.1

申请日：2020-01-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 孙浩 ,  刘莉 ,  李彩艳 ,  张祁莲 ,  高一强 ,  钱蓉 ,  孙晓玮

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/267 ,  H01L21/329

Abstract: 本申请提供一种异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法，该二极管包括衬底层、GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、第二掺杂Si的GaAs层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层；衬底层、GaAs缓冲层、高掺杂N+层、低掺杂N层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层依次层叠连接。本申请提供的异质结AlGaAs/GaAs二极管中，Al组分和GaAs本征层厚度的优化使该二极管在进一步减小材料的导通电阻的同时保持其较大的耐压能力，同时在掺杂Be或C的Al0.09Ga0.91As层上面增加了高浓度掺杂Be或C的GaAs层，能够有效减小欧姆接触电阻，从而减低二极管的插入损耗，能够有效提高二极管材料的射频性能。

公开(公告)号：CN117699786A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311836323.X

申请日：2023-12-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈志蓥 ,  丁惠凤 ,  李彩艳 ,  孙浩 ,  高秀丽

IPC: C01B32/19 ,  C01B32/194

Abstract: 本发明涉及一种悬空石墨烯的制备方法，包括在衬底上旋涂剥离胶和光刻胶，经过曝光显影去除光刻胶和多余的剥离胶，将石墨烯和光刻胶的结合体转移到剥离胶上，经过曝光显影出现图形，刻蚀暴露的部分石墨烯，再一次旋涂光刻胶，再经过曝光显影去除多余光刻胶，在露出石墨烯的区域蒸发或溅射一层金属，然后去除光刻胶，最后去除剥离胶，即得。本发明可以精准实现不同形状不同尺寸的石墨烯悬空结构的制备，也可以应用于任意衬底，具有良好的推广应用前景。