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公开(公告)号：CN104409333A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410768142.2
申请日：2014-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0279
Abstract: 本发明提供一种相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法，包括步骤：1）于衬底上制备GeTe材料薄膜层；2）于所述GeTe材料薄膜层上形成刻蚀阻挡层，并图形化所述刻蚀阻挡层；3）将GeTe材料薄膜层送入具有BCl3和Ar的气体刻蚀腔中；4）在气体刻蚀腔中，通过施加电压，使得BCl3和Ar激发成等离子体体，BCl3主要起化学腐蚀作用，Ar+离子对材料表面进行轰击，两者协同作用，将暴露出来的GeTe材料去除，被刻蚀阻挡层保护的GeTe材料集成到器件或者电路当中。本发明选取了BCl3作为主要的化学反应气体，选取Ar气进行物理轰击，形成了表面光滑，侧壁垂直，侧壁损伤低的GeTe薄膜图形。本发明刻蚀速度很高，且能够很好的控制，具有较广泛的适用范围。
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公开(公告)号：CN103898474B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210579396.0
申请日：2012-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种钨-锑-碲相变材料的原子层沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：1）在基底上引入SbCl3脉冲，清洗未被吸收的SbCl3，然后引入(R3Si)2Te脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反应副产物；2）引入H2与Si2H6混合脉冲，清洗残余的H2与Si2H6，然后引入WF6脉冲，清洗残余WF6和反应副产物；3）引入SbCl3脉冲，清洗残余的SbCl3，然后引入(R3Si)3Sb脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反应副产物；4）重复上述步骤1）~2），或步骤1）~3），形成循环周期。基于本方法可制备出相应的相变存储单元。采用本发明方法制备的钨-锑-碲相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。
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公开(公告)号：CN103898474A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210579396.0
申请日：2012-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种钨-锑-碲相变材料的原子层沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：1）在基底上引入SbCl3脉冲，清洗未被吸收的SbCl3，然后引入(R3Si)2Te脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反应副产物；2）引入H2与Si2H6混合脉冲，清洗残余的H2与Si2H6，然后引入WF6脉冲，清洗残余WF6和反应副产物；3）引入SbCl3脉冲，清洗残余的SbCl3，然后引入(R3Si)3Sb脉冲，清洗未被吸收的(R3Si)3Sb和反应副产物；4）重复上述步骤1）~2），或步骤1）~3），形成循环周期。基于本方法可制备出相应的相变存储单元。采用本发明方法制备的钨-锑-碲相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。
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公开(公告)号：CN103530690A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310533049.9
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06N3/08
Abstract: 本发明提供一种神经元器件及神经网络，所述神经元器件包括：下加热电极；相变材料；上电极；以及周围介质材料；其中，所述神经元器件在施加恢复脉冲时转变为正常态，而在施加刺激脉冲时转变为兴奋态。该神经元器件由正常态转变为兴奋态只需要几十个纳米的时间，在由兴奋态转化为正常态只需要很小的能量消耗。同时该神经元器件具有对刺激脉冲的幅度、宽度及个数的综合响应，提供权重部分和运算部分的功能。该神经元器件结构简单，与CMOS工艺兼容，便于大量集成。所述神经网络由包含多个神经元器件的阶层神经元阵列组成，可实现信息的多通道传输与存储，而且具有学习功能，将来有望在认知计算机等领域得到应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103000807B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210537544.2
申请日：2012-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：沉积Ti前驱体，所述Ti前驱体包括(R1)4Ti、(R1R2N)4Ti、(R1O)4Ti、((R1)3Si)4Ti及TiM4的一种或一种以上，其中R1和R2为含有1~10个碳的直链、支链或环状的烷基，M为Cl、F或Br；沉积Te前驱体，所述Te前驱体包括(R1)2Te、(R1R2N)2Te、((R1)3Si)2Te的一种或一种以上，其中R选自含1~10个碳的直链、支链或环状的烷基或烯基；沉积Sb前驱体，所述Sb前驱体包括(R1)3Sb、(R1R2N)3Sb、(R1O)3Sb、((R1)3Si)3Sb、SbM3的一种或一种以上，其中R1和R2为含有1~10个碳的直链、支链或环状的烷基，M为Cl、F或Br。本发明制备的TiSbTe相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。
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公开(公告)号：CN103236495A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310128198.7
申请日：2013-04-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料是一种锡、锗、碲三种元素组成的材料，其通式为SnxGeyTez，其中0＜x≤22，37≤y≤53，39≤z≤42。与传统的Ge2Sb2Te5(GST)薄膜材料相比，该Sn-Ge-Te薄膜材料具有结晶温度高、热稳定性好、数据保持力强和结晶速度快等特点。
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公开(公告)号：CN103000807A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210537544.2
申请日：2012-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：沉积Ti前驱体，所述Ti前驱体包括(R1)4Ti、(R1R2N)4Ti、(R1O)4Ti、((R1)3Si)4Ti及TiM4的一种或一种以上，其中R1和R2为含有1~10个碳的直链、支链或环状的烷基，M为Cl、F或Br；沉积Te前驱体，所述Te前驱体包括(R1)2Te、(R1R2N)2Te、((R1)3Si)2Te的一种或一种以上，其中R选自含1~10个碳的直链、支链或环状的烷基或烯基；沉积Sb前驱体，所述Sb前驱体包括(R1)3Sb、(R1R2N)3Sb、(R1O)3Sb、((R1)3Si)3Sb、SbM3的一种或一种以上，其中R1和R2为含有1~10个碳的直链、支链或环状的烷基，M为Cl、F或Br。本发明制备的TiSbTe相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。
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