公开(公告)号：CN102130013B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010619508.1

申请日：2010-12-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 程新红 ,  何大伟 ,  王中健 ,  徐大伟 ,  夏超 ,  宋朝瑞 ,  俞跃辉

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件制作方法，该方法首先对SOI衬底的顶层硅进行N型离子注入，使整个漂移区下方成为N型区域；然后对所述漂移区进行浅掺杂N型离子注入，在漂移区的表层形成浅掺杂N型缓冲层；之后通过版图对所形成的N型区域进行P型离子注入，在所述N型区域中形成等间隔的多个横向P型柱区，将所述N型区域划分为多个横向N型柱区，交替排列的P型柱区和N型柱区组成横向超结结构。本发明将缓冲层设于漂移区上方，可以抑制衬底辅助耗尽效应对SOI超结LDMOS漂移区电荷平衡的影响，提高了器件的击穿电压，并且通过巧妙地调整N/P离子注入的步骤，设计版图和离子注入浓度等，进一步简化了工艺，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN101916761B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010231684.8

申请日：2010-07-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 程新红 ,  何大伟 ,  王中健 ,  徐大伟 ,  宋朝瑞 ,  俞跃辉

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L21/3205

Abstract: 本发明公开了一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺，其中所述SOI包括由下至上生长的底层硅膜、埋氧层、顶层硅膜；所述导电层生长于底层硅膜和埋氧层之间；所述导电层包括电荷引导层和阻挡层，所述阻挡层生长于所述电荷引导层的上、下表面。本发明可以将器件内部产生的热量通过导电层迅速排至外部，有效减小SOI的自热效应；而且使非绝缘性的衬底效果和完全绝缘的衬底一样；此外其可以释放界面积聚的多余电荷，缓解纵向电场对器件内部电荷分布的影响。

公开(公告)号：CN102130012A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010619485.4

申请日：2010-12-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 程新红 ,  何大伟 ,  王中健 ,  徐大伟 ,  夏超 ,  宋朝瑞 ,  俞跃辉

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明公开了一种SOI超结LDMOS器件的LDD、LDS及缓冲层一体化制作方法，该方法采用SOI衬底对顶层硅进行离子注入形成交替排列的N型和P型柱区，作为漂移区的横向超结结构；然后利用多次离子注入方式对所述顶层硅中除漂移区以外的部分掺杂，形成P阱体区，制作出栅区；之后不采用版图，利用自对准工艺直接对所述SOI衬底露出的顶层硅表面进行浅掺杂N型离子注入，从而同时在漂移区的表层形成浅掺杂N型缓冲层，在源、漏区的位置分别形成LDS和LDD；最后再制作源区、漏区和体接触区完成器件。该方法制作的缓冲层处于漂移区表层，LDD和LDS以及缓冲层两步工艺一体化完成，节省版图，大大降低了工艺难度。

公开(公告)号：CN101916727A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010220370.8

申请日：2010-07-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  王中健 ,  俞跃辉 ,  何大伟 ,  徐大伟 ,  夏超

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明提供的SOI高压功率器件的制备方法，其首先在SOI基板表面的部分区域形成第一氧化层，再去除所述第一氧化层以便形成凹陷区，然后在凹陷区形成第二氧化层，以便使第二氧化层的表面与SOI基板表面保持平齐，再在已形成第二氧化层的结构上进行包括光刻、掺杂在内的处理以分别形成作为高压功率器件漏极和源极的P型区域和N型区域、以及作为栅极的栅极区域，随后在已形成P型区域和N型区域的结构的漂移区上方淀积第三氧化层，使第三氧化层和第二氧化层的厚度之和与SOI基板中的氧化夹层的厚度接近一致，最后再生成分别与P型区域、N型区域及栅极区域相接触的各金属子区域，由此形成耐高压的高压功率器件。

公开(公告)号：CN101777564A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200910200721.6

申请日：2009-12-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 程新红 ,  何大伟 ,  俞跃辉 ,  肖德元 ,  王中健 ,  徐大朋

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/845

Abstract: 本发明公开了一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件，包括SOI衬底，以及生长在SOI衬底上的NMOS区和PMOS区，所述NMOS区和PMOS区共用一个垂直栅区，所述垂直栅区与NMOS区和PMOS区位于同一平面上，垂直栅区位于NMOS区和PMOS区之间；垂直栅区与NMOS区之间隔离有栅氧化层；垂直栅区与PMOS区之间隔离有栅氧化层。本发明占用面积小，版图层数少，工艺简单，敞开的体区能够完全避免传统SOI CMOS器件的浮体效应，并方便对寄生电阻、电容的测试。

公开(公告)号：CN101764102A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910200722.0

申请日：2009-12-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 程新红 ,  何大伟 ,  俞跃辉 ,  肖德元 ,  王中健 ,  徐大朋

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法，该方法为：由下至上依次生长硅衬底层，埋层氧化层，单晶硅顶层；采用STI工艺在单晶硅顶层位置处形成的有源区进行氧化物隔离；有源区包括NMOS区和PMOS区；在NMOS区和PMOS区中间刻蚀一个窗口，利用热氧化的方法在窗口内侧壁形成NMOS和PMOS栅氧化层；在窗口处淀积多晶硅，填满，掺杂，然后通过化学机械抛光形成垂直栅区；在NMOS和PMOS沟道采用多次离子注入的方式掺杂再快速退火，源漏区则采用离子注入方式重掺杂。本发明工艺简单，制作出的器件占用面积小版图层数少，能够完全避免浮体效应，方便对寄生电阻电容的测试。

公开(公告)号：CN102201405B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201110124793.4

申请日：2011-05-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 程新红 ,  夏超 ,  王中健 ,  俞跃辉 ,  何大伟 ,  徐大伟

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种基于图形化的SOI-ESD保护器件及其制作方法。该ESD器件结构包括：底层衬底；位于所述底层衬底上的绝缘埋层；位于所述绝缘埋层上的有源区；以及穿过所述绝缘埋层连接所述有源区与底层衬底的导通栓；其中，所述有源区包括P阱区和N阱区，所述P阱区和N阱区之间形成横向的PN结；所述导通栓位于所述PN结下方；在所述PN结之上设有场氧区；在所述P阱区之上设有阴极接触端；在所述N阱区之上设有阳极接触端。本器件在埋氧层上开了一个窗口，此窗口一方面可以很好的释放ESD大电流产生的热量，另一方面可以很好的改善器件的抗ESD能力。能够在HBM（人体模型）中实现抗ESD电压达到2KV以上，达到了目前人体模型的工业标准。

公开(公告)号：CN101916779B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201010231661.7

申请日：2010-07-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 程新红 ,  何大伟 ,  王中健 ,  徐大伟 ,  宋朝瑞 ,  俞跃辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/3205

Abstract: 本发明公开了一种可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构，该结构包括底层硅膜，导电层，埋氧层，有源区，沟槽隔离结构，电极；底层硅膜位于该结构的最底层；导电层位于底层硅膜的上表面，包括电荷引导层和生长于电荷引导层的上、下表面的阻挡层；埋氧层位于导电层的上表面；有源区包括源区、沟道区、漏区、漂移区、位于沟道区上表面的栅区、位于栅区与沟道区之间的栅氧化层；漂移区由交替排布的n型柱区和p型柱区构成；沟槽隔离结构位于有源区周围；电极包括源极、栅极、漏极、从导电层引出的导电极。本发明可以将积聚在埋氧层下界面处的电荷释放，完全消除衬底辅助耗尽效应，提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN101916730B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010234294.6

申请日：2010-07-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 程新红 ,  何大伟 ,  王中健 ,  徐大伟 ,  宋朝瑞 ,  俞跃辉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/0634

Abstract: 本发明公开了一种具有线性缓冲层的SOI超结LDMOS制作方法，该方法通过计算缓冲层杂质浓度，制作缓冲层掺杂版图，从而利用离子注入制作出杂质在横向上近似线性分布的缓冲层，然后在制作有缓冲层的SOI衬底上外延单晶硅至器件所需厚度，在缓冲层旁形成p阱体区，随后在p阱体区上制作栅区、源区、体接触区，并在缓冲层上制作漂移区和漏区，使所述漂移区位于所述p阱体区与漏区之间。该制作方法通过在超结下面引入一层杂质浓度在横向上近似线性分布的缓冲层，补偿纵向电场的剩余电荷，进而可消除衬底辅助耗尽效应对SOI超结LDMOS漂移区电荷分布的影响，提高器件击穿电压。

公开(公告)号：CN102130012B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201010619485.4

申请日：2010-12-31

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 程新红 ,  何大伟 ,  王中健 ,  徐大伟 ,  夏超 ,  宋朝瑞 ,  俞跃辉

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/66681

Abstract: 本发明公开了一种SOI超结LDMOS器件的LDD、LDS及缓冲层一体化制作方法，该方法采用SOI衬底对顶层硅进行离子注入形成交替排列的N型和P型柱区，作为漂移区的横向超结结构；然后利用多次离子注入方式对所述顶层硅中除漂移区以外的部分掺杂，形成P阱体区，制作出栅区；之后不采用版图，利用自对准工艺直接对所述SOI衬底露出的顶层硅表面进行浅掺杂N型离子注入，从而同时在漂移区的表层形成浅掺杂N型缓冲层，在源、漏区的位置分别形成LDS和LDD；最后再制作源区、漏区和体接触区完成器件。该方法制作的缓冲层处于漂移区表层，LDD和LDS以及缓冲层两步工艺一体化完成，节省版图，大大降低了工艺难度。