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公开(公告)号：CN116990906A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310766642.1
申请日：2023-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于MZ结构的硅铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，由下至上包括衬底、硅波导层、隔离层、铌酸锂层和金属层；其中，所述铌酸锂层由底部slab与上部rib的脊型波导结构组成。本发明降低了整个器件的插入损耗，同时减少光在硅波导中传输的材料局限性，如双光子吸收效应等；另外，本器件的铌酸锂波导最小线宽为2um，在保持器件优异性能的情况下，降低了对铌酸锂刻蚀精度的要求，增大了器件对刻蚀工艺的容差。
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公开(公告)号：CN116148981A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310277488.1
申请日：2023-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/26
Abstract: 本发明涉及一种多层结构层间耦合器，包括：下波导部分，包括至少两层堆叠的波导层，每层波导层均包括依次连接的第一波导和第一渐变波导，沿第一波导指向第一渐变波导的方向，第一渐变波导的宽度逐渐变窄；第一渐变波导之间呈错层结构；上波导部分，包括至少两层堆叠的波导层，每层波导层均包括依次连接的第二渐变波导和第二波导，沿第二渐变波导指向第二波导的方向，第二渐变波导的宽度逐渐变宽；第二渐变波导之间呈错层结构；包层，位于上波导部分和下波导部分之间；第一渐变波导和第二渐变波导的空间交叠部分形成层间耦合区。本发明能够提高耦合效率，同时减小器件尺寸。
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公开(公告)号：CN115220150B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210680007.7
申请日：2022-06-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应用于光学相控阵的基于交错刻蚀的多层结构波导光栅天线及其制备方法，由下至上包括衬底(1)、波导区和顶部氧化层(5)；所述波导区由下至上包括第一波导层(2)、隔离层(3)和第二波导层(4)；其中，所述第二波导层(4)具有交错设置的深浅沟槽。本发明减少了光向衬底的泄露，提高了光向上发射的比例，进而提高了光栅的发射效率，同时具有有效发射长度长的优点，有助于相控阵列探测距离的提升和高功率输出器件的实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116819682A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310766639.X
申请日：2023-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于异质集成的三层耦合器结构及其制备方法，由下至上包括第一波导层、第二波导层和第三波导层。本发明可以利用不同材料之间相对参数选择的灵活性，为相关异质集成器件或异质集成平台增加一个设计维度，进一步拓展器件的实际应用。
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公开(公告)号：CN115933063A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211590929.5
申请日：2022-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于遗传算法优化的变周期光栅耦合器，包括：衬底；埋氧层，位于所述衬底表面；波导层，设置于所述埋氧层上方，且所述波导层中具有变周期变占空比的光栅结构；所述光栅结构使光栅耦合器的场强衰减因子随位置变化；所述光栅结构的参数通过遗传算法确定。本发明采用遗传算法对光栅耦合器的多结构参数进行优化，设计方法简单，减少了设计的人力和时间成本，增加了设计的自由度，可以实现很好的应用。
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公开(公告)号：CN115857094A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211463209.2
申请日：2022-11-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相控阵阵元、光学相控阵及制作方法，其中，相控阵阵元包括：硅波导；氧化层，位于所述硅波导的上表面；氮化硅光栅，位于所述氧化层上表面，所述氮化硅光栅的光栅齿的宽度大于所述硅波导的宽度，所述氮化硅光栅的光栅体的宽度小于所述硅波导的宽度；上包层，覆盖在所述氮化硅光栅外围。本发明可以延长有效发射长度，降低发散角提高分辨率，并扩大光束的全半高宽。
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公开(公告)号：CN115220150A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210680007.7
申请日：2022-06-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种应用于光学相控阵的基于交错刻蚀的多层结构波导光栅天线及其制备方法，由下至上包括衬底(1)、波导区和顶部氧化层(5)；所述波导区由下至上包括第一波导层(2)、隔离层(3)和第二波导层(4)；其中，所述第二波导层(4)具有交错设置的深浅沟槽。本发明减少了光向衬底的泄露，提高了光向上发射的比例，进而提高了光栅的发射效率，同时具有有效发射长度长的优点，有助于相控阵列探测距离的提升和高功率输出器件的实现。
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公开(公告)号：CN219496722U
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202320559890.4
申请日：2023-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/26
Abstract: 本实用新型涉及一种多层结构层间耦合器，包括：下波导部分，包括至少两层堆叠的波导层，每层波导层均包括依次连接的第一波导和第一渐变波导，沿第一波导指向第一渐变波导的方向，第一渐变波导的宽度逐渐变窄；第一渐变波导之间呈错层结构；上波导部分，包括至少两层堆叠的波导层，每层波导层均包括依次连接的第二渐变波导和第二波导，沿第二渐变波导指向第二波导的方向，第二渐变波导的宽度逐渐变宽；第二渐变波导之间呈错层结构；包层，位于上波导部分和下波导部分之间；第一渐变波导和第二渐变波导的空间交叠部分形成层间耦合区。本实用新型能够提高耦合效率，同时减小器件尺寸。
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