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公开(公告)号：CN116316009A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310319069.X
申请日：2023-03-29
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于分级散热的光纤激光放大器，涉及高亮度光纤激光领域，包括：光纤激光种子源、尾纤半导体泵浦源、一级光纤振荡器组件、二级光纤激光放大器组件；所述半导体泵浦光与激光种子光合束注入到一级光纤振荡器组件中，以较低的量子亏损将低亮度的半导体泵浦光通过激光振荡过程产生较高亮度的过渡激光；所述二级光纤激光放大器组件将过渡激光转化到激光种子光上，输出高亮度主激光；本发明，在尾纤半导体泵浦源构型基础上，有效将量子亏损产热分到两级组件上散热，同时也降低了单级组件上的产热集中度，提升了放大器的可靠性。
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公开(公告)号：CN110994350A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911299395.9
申请日：2019-12-17
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明涉及激光阵列相干合成领域，公开了一种基于中红外光参量放大器的相干合成系统，本系统由相位可控的光参量放大器激光子束模块、主动相位控制模块和合束与光电探测反馈控制模块三部分组成。其中，光参量放大器激光子束包括泵浦源、种子源和光参量放大器三个部分，当光参量放大器中种子光与泵浦光功率密度比满足一定的条件时，种子光与输出光相位具有确定的关系，通过置于种子源中的相位调制器调节种子光相位以锁定中红外波段光参量放大器阵列光束间的相位，实现中红外光波的主动锁相相干合成。该系统中光参量放大器子束具有单路输出功率高、转换效率高、偏振度高、波长调谐范围广、线宽易于控制等优点。
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公开(公告)号：CN106602404A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611256072.8
申请日：2016-12-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/125
CPC classification number: H01S5/125
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法，该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导，并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜，前腔面蒸镀抗反射膜，然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜，利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合，实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。
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公开(公告)号：CN116818283A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310796487.8
申请日：2023-06-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于非相干光源的光纤熔接点质量判定装置及方法，其中装置包括非相干光源、光纤熔接机、光束质量分析仪、信号与数据处理系统，非相干光源被配置为产生宽谱受激辐射激光，光纤熔接机被配置为对两段目标光纤进行对准与熔接，光束质量分析仪被配置为实时将第二段目标光纤输出的激光的强度信号转换成电信号，信号与数据处理系统被配置为根据光束质量分析仪测得的电信号实时处理分析得到输出激光的束腰处光斑形态，作为两段目标光纤是否处于最佳对准状态的判据。本发明通过信号光注入监测束腰半径和光束质量的方式进行熔接质量判定，能够实时、准确且高效地判断熔接点的熔接质量。
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公开(公告)号：CN111509536B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010218166.6
申请日：2020-03-25
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明涉及一种窄线宽光纤激光光谱展宽装置及其使用方法，该装置包括单频种子激光器、相位调制器、可编程信号发生器、射频放大器、光纤预放大器、光纤耦合器、光纤放大器、第一光功率计、第二光功率计、信号与数据处理系统。本发明中，基于周期噪声信号对单频种子激光进行相位调制展宽，可通过优化噪声信号的波形和/或周期来控制调制后的光谱精细结构特性；针对不同的光纤放大器，通过优化噪声信号的波形和/或周期，可在线宽尽可能小的情况下有效的提升SBS阈值，同时还可避免随机自脉冲的产生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111509536A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010218166.6
申请日：2020-03-25
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于周期噪声相位调制的窄线宽光纤激光光谱展宽装置，包括单频种子激光器、相位调制器、可编程信号发生器、射频放大器、光纤预放大器、光纤耦合器、光纤放大器、第一光功率计、第二光功率计、信号与数据处理系统。本发明中，基于周期噪声信号对单频种子激光进行相位调制展宽，可通过优化噪声信号的波形和/或周期来控制调制后的光谱精细结构特性；针对不同的光纤放大器，通过优化噪声信号的波形和/或周期，可在线宽尽可能小的情况下有效的提升SBS阈值，同时还可避免随机自脉冲的产生。
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公开(公告)号：CN221057831U
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202320650299.X
申请日：2023-03-29
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种基于分级散热的光纤激光放大器，涉及高亮度光纤激光领域，包括：光纤激光种子源、尾纤半导体泵浦源、一级光纤振荡器组件、二级光纤激光放大器组件；所述半导体泵浦光与激光种子光合束注入到一级光纤振荡器组件中，以较低的量子亏损将低亮度的半导体泵浦光通过激光振荡过程产生较高亮度的过渡激光；所述二级光纤激光放大器组件将过渡激光转化到激光种子光上，输出高亮度主激光；本实用新型，在尾纤半导体泵浦源构型基础上，有效将量子亏损产热分到两级组件上散热，同时也降低了单级组件上的产热集中度，提升了放大器的可靠性。
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公开(公告)号：CN206313285U
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201621474905.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S5/125
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体激光器，该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导，并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜，前腔面蒸镀抗反射膜，然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜，利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合，实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。
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公开(公告)号：CN212485781U
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202021130715.6
申请日：2020-06-17
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S3/067
Abstract: 本实用新型公开了一种抑制非线性及模式不稳定效应的增益光纤组，包括多个依次连接的增益光纤，每个增益光纤均包含弧形光纤段；所述多个增益光纤中，前一个增益光纤中弧形光纤段的曲率半径小于与其相连的后一个增益光纤中弧形光纤段的曲率半径；一种抑制非线性及模式不稳定效应的放大器，包括依次连接的信号激光种子源、隔离器、耦合器、模场适配器、第一包层功率剥离器、第一合束器、增益光纤组、第二合束器、第二包层功率剥离器和光纤输出端帽，第一泵浦源连接第一合束器，第二泵浦源连接第二合束器。采用本实用新型的抑制非线性及模式不稳定效应的增益光纤组及光纤放大器，能够改善放大器的光束质量，并有效抑制放大器中的非线性效应。
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公开(公告)号：CN210723677U
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201921879183.3
申请日：2019-11-04
Applicant: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
IPC: H01S3/042
Abstract: 本实用新型公开了一种可实现高光束质量的光纤激光增益光纤冷却装置，包括光纤和水冷板，水冷板上设置光纤槽道；光纤槽道为多个弧形槽道两两连接组成的闭合槽道，相邻两个弧形槽道相切并采用圆弧连接；光纤槽道由3组弧形槽道组成，每组弧形槽道的圆心位于同一直线上，3组弧形槽道的圆心位于不同的3条直线上；光纤槽道内设置容纳光纤的光纤槽，所述光纤槽盘绕在光纤槽道内；光纤沿光纤槽道中的光纤槽盘绕于水冷板上。采用本实用新型的一种可实现高光束质量的光纤激光增益光纤冷却装置，能增加高阶模式激光的损耗，从而有效提升放大器的模式不稳定阈值，实现光纤激光高光束质量输出，具有高紧凑型、高效高阶模滤除、搭建便易性等特点。
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