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公开(公告)号：CN102209995B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN200980144783.8
申请日：2009-11-11
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L39/2454 , Y10T29/49014
Abstract: 本发明的课题在于廉价地提供一种氧化物超导线材用金属叠层衬底，其为高强度且在长度方向具有稳定的高度双轴定向。作为其解决手段，将厚度为0.2mm以下的非磁性的金属板T1、和由以90％的压下率冷轧而成的厚度为50μm以下的Cu合金构成的金属箔T2，通过常温表面活性化接合进行层叠，层叠之后，通过150℃以上1000℃以下的热处理使所述金属箔进行结晶定向之后，在所述金属箔上层叠厚度为10μm以下的Ni或Ni合金的外延生长膜T3，制造氧化物超导线材用金属叠层衬底。
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公开(公告)号：CN102209804A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980144344.7
申请日：2009-10-20
Applicant: 东洋钢钣株式会社
IPC: C30B25/18 , B32B15/08 , C23C14/02 , H01L21/205
CPC classification number: C30B1/02 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/281 , B32B2255/06 , B32B2255/20 , B32B2307/306 , B32B2307/518 , B32B2307/538 , B32B2307/732 , C22F1/08 , C23C14/562 , C30B1/04 , H01L31/03682 , H01L31/0392 , H01L31/18 , H05K1/0393 , H05K1/09 , H05K3/022 , H05K2201/0355 , H05K2203/1105 , Y02E10/546
Abstract: 本发明提供一种具有经高度结晶配向的表面的磊晶成长膜形成用高分子积层基板及其制造方法。所述制造方法包括：将高分子板T1的至少一个表面活化的步骤；将以压下率大于等于90％进行冷延的包含Cu或Cu合金的金属箔T2的至少一个表面活化的步骤；使高分子板的活化表面与金属箔的活化表面相对向而积层并冷延的步骤；通过热处理使金属箔双轴结晶配向的步骤。
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公开(公告)号：CN102667968A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080051041.3
申请日：2010-11-12
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , B32B15/015 , C21D8/1255 , C22C19/03 , C22C38/007 , C22C38/40 , C22F1/08 , H01L39/2454 , Y10T428/12903 , Y10T428/12924 , Y10T428/12979
Abstract: 本发明的课题是提供一种超导化合物用基板及其制造方法，其能够与铜的高取向的同时实现优异的附着强度。作为解决课题的手段，其特征在于，对以90%以上的压下率加工的铜箔的表面进行溅射蚀刻，除去表面的附着物，对非磁性的金属板进行溅射蚀刻，利用轧辊将所述铜箔和所述金属板进行加压接合，对所述接合的层叠体进行加热，使所述铜进行结晶取向，同时，使所述铜在所述金属板中热扩散10nm以上，在所述层叠体的铜表面上层叠保护层。
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公开(公告)号：CN104091647B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201410324551.3
申请日：2010-11-12
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , B32B15/015 , C21D8/1255 , C22C19/03 , C22C38/007 , C22C38/40 , C22F1/08 , H01L39/2454 , Y10T428/12903 , Y10T428/12924 , Y10T428/12979
Abstract: 本发明提供了一种超导化合物用基板及其制造方法，其能够与铜的高取向的同时实现优异的附着强度。作为解决课题的手段，其特征在于，对以90％以上的压下率加工的铜箔的表面进行溅射蚀刻，除去表面的附着物，对非磁性的金属板进行溅射蚀刻，利用轧辊将所述铜箔和所述金属板进行加压接合，对所述接合的层叠体进行加热，使所述铜进行结晶取向，同时，使所述铜在所述金属板中热扩散10nm以上，在所述层叠体的铜表面上层叠保护层。
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公开(公告)号：CN104091647A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410324551.3
申请日：2010-11-12
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , B32B15/015 , C21D8/1255 , C22C19/03 , C22C38/007 , C22C38/40 , C22F1/08 , H01L39/2454 , Y10T428/12903 , Y10T428/12924 , Y10T428/12979
Abstract: 本发明提供了一种超导化合物用基板及其制造方法，其能够与铜的高取向的同时实现优异的附着强度。作为解决课题的手段，其特征在于，对以90％以上的压下率加工的铜箔的表面进行溅射蚀刻，除去表面的附着物，对非磁性的金属板进行溅射蚀刻，利用轧辊将所述铜箔和所述金属板进行加压接合，对所述接合的层叠体进行加热，使所述铜进行结晶取向，同时，使所述铜在所述金属板中热扩散10nm以上，在所述层叠体的铜表面上层叠保护层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102667968B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201080051041.3
申请日：2010-11-12
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C22C9/00 , B32B15/015 , C21D8/1255 , C22C19/03 , C22C38/007 , C22C38/40 , C22F1/08 , H01L39/2454 , Y10T428/12903 , Y10T428/12924 , Y10T428/12979
Abstract: 本发明的课题是提供一种超导化合物用基板及其制造方法，其能够与铜的高取向的同时实现优异的附着强度。作为解决课题的手段，其特征在于，对以90%以上的压下率加工的铜箔的表面进行溅射蚀刻，除去表面的附着物，对非磁性的金属板进行溅射蚀刻，利用轧辊将所述铜箔和所述金属板进行加压接合，对所述接合的层叠体进行加热，使所述铜进行结晶取向，同时，使所述铜在所述金属板中热扩散10nm以上，在所述层叠体的铜表面上层叠保护层。
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公开(公告)号：CN102210009B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200980144343.2
申请日：2009-10-20
Applicant: 东洋钢钣株式会社
CPC classification number: C22F1/08 , B32B15/01 , B32B15/015 , C22C9/00 , C22C38/02 , C22C38/44 , C22C38/58 , C30B25/18 , C30B29/06 , C30B29/16 , C30B29/40 , C30B29/52 , C30B33/00 , H01L23/142 , H01L31/03921 , H01L33/007 , H01L2924/0002 , H05K1/0393 , H05K1/09 , H05K3/022 , H05K2201/0355 , H05K2203/1105 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种用来形成金属基板的表面具有高度双轴结晶配向性的半导体元件的磊晶成长膜形成用金属积层基板。所述半导体元件的磊晶成长膜形成用金属积层基板的制造方法，包括：通过溅镀蚀刻等将金属板T1的至少一个表面活化的步骤；将以压下率大于等于90％进行冷延的包含Cu或Cu合金的金属箔T2的至少一个表面活化的步骤；使金属板的活化表面与金属箔的活化表面相对向进行积层，并以例如压下率小于等于10％进行冷延的步骤；通过在大于等于150℃且小于等于1000℃下进行热处理而使金属箔双轴结晶配向的步骤。
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公开(公告)号：CN102210009A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980144343.2
申请日：2009-10-20
Applicant: 东洋钢钣株式会社
CPC classification number: C22F1/08 , B32B15/01 , B32B15/015 , C22C9/00 , C22C38/02 , C22C38/44 , C22C38/58 , C30B25/18 , C30B29/06 , C30B29/16 , C30B29/40 , C30B29/52 , C30B33/00 , H01L23/142 , H01L31/03921 , H01L33/007 , H01L2924/0002 , H05K1/0393 , H05K1/09 , H05K3/022 , H05K2201/0355 , H05K2203/1105 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种用来形成金属基板的表面具有高度双轴结晶配向性的半导体元件的磊晶成长膜形成用金属积层基板。所述半导体元件的磊晶成长膜形成用金属积层基板的制造方法，包括：通过溅镀蚀刻等将金属板T1的至少一个表面活化的步骤；将以压下率大于等于90％进行冷延的包含Cu或Cu合金的金属箔T2的至少一个表面活化的步骤；使金属板的活化表面与金属箔的活化表面相对向进行积层，并以例如压下率小于等于10％进行冷延的步骤；通过在大于等于150℃且小于等于1000℃下进行热处理而使金属箔双轴结晶配向的步骤。
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公开(公告)号：CN102473486B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201080028023.3
申请日：2010-07-08
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H01B13/00 , B23K20/04 , C01G1/00 , C22F1/08 , C23F4/00 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22F1/00 , H01B12/06
CPC classification number: H01L39/2454 , B32B15/01 , B32B15/015 , B32B15/04 , B32B15/20 , C22C9/00 , C22F1/08
Abstract: 本发明提供一种可以使铜高度取向并防止在表面产生瑕疵或沟的氧化物超导线材用金属叠层基板的制造方法及氧化物超导线材用金属叠层基板。该方法具有：在将以90％以上的压下率轧制加工的铜箔保持低于结晶取向温度的状态下，对铜箔的表面进行溅射蚀刻，除去表面的吸附物的工序；对非磁性金属板的表面进行溅射蚀刻，除去表面的吸附物的工序；将上述铜箔和上述金属板利用轧辊以300MPa～1500MPa的加压进行接合的工序；将上述接合了的叠层体加热至铜的结晶取向温度以上的温度，使所述铜进行结晶取向的工序；在上述叠层体的铜侧表面上涂敷保护层的工序。
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公开(公告)号：CN102473486A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080028023.3
申请日：2010-07-08
Applicant: 东洋钢钣株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: H01B13/00 , B23K20/04 , C01G1/00 , C22F1/08 , C23F4/00 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22F1/00 , H01B12/06
CPC classification number: H01L39/2454 , B32B15/01 , B32B15/015 , B32B15/04 , B32B15/20 , C22C9/00 , C22F1/08
Abstract: 本发明提供一种可以使铜高度取向并防止在表面产生瑕疵或沟的氧化物超导线材用金属叠层基板的制造方法及氧化物超导线材用金属叠层基板。该方法具有：在将以90％以上的压下率轧制加工的铜箔保持低于结晶取向温度的状态下，对铜箔的表面进行溅射蚀刻，除去表面的吸附物的工序；对非磁性金属板的表面进行溅射蚀刻，除去表面的吸附物的工序；将上述铜箔和上述金属板利用轧辊以300MPa～1500MPa的加压进行接合的工序；将上述接合了的叠层体加热至铜的结晶取向温度以上的温度，使所述铜进行结晶取向的工序；在上述叠层体的铜侧表面上涂敷保护层的工序。
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