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公开(公告)号：CN1946751A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012969.X
申请日：2005-04-25
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C08F20/10 , C08F22/00 , C08F36/16 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F232/08 , G03F7/2041
Abstract: 一种液浸曝光工艺，特别是通过在光刻曝光光线到达光刻胶膜的通路中，至少在前述光刻胶膜上设置特定厚度的，折射率比空气大并且比前述光刻胶膜小的液体的状态下，进行曝光提高光刻胶图案的分辨率，同时防止使用以水为首的各种浸渍液的液浸曝光中的光刻胶膜的变质和所使用浸渍液的变质，并且没有导致处理工艺步骤的增加，并可以形成使用液浸曝光的高分辨率光刻胶图案。在所使用的光刻胶膜的表面上形成了具有与浸渍光刻胶膜的液体特别是水实质上不相溶，而可溶于碱的特性的保护膜。
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公开(公告)号：CN1800846A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510137592.2
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种在包括浸渍曝光的抗蚀剂图案形成方法中使用的抗蚀剂组合物的评价方法，该方法包括：由抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜，将该膜选择性曝光，其后使在浸渍曝光中使用的浸渍溶剂与膜接触，将如此得到的膜曝光后烘焙，接着将膜显影，以及评价得到的抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN100523804C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510137593.7
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种用于包括浸渍曝光步骤的抗蚀剂图案形成方法中的正性抗蚀剂组合物的适用性评价方法，如果当使用波长为193nm的光源通过通常的曝光光刻法形成130nm的1:1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X1，并且当使用波长为193nm的光源通过模拟浸渍光刻法形成相同的130nm的1:1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X2，并且如果[(X2/X1)-1]×100的绝对值不超过8.0，那么该抗蚀剂组合物被断定为是适用的，在所述模拟浸渍光刻法中，在常规曝光光刻法的选择性曝光步骤和曝光后烘焙(PEB)步骤之间插入有使用于所述浸渍光刻的溶剂与所述抗蚀剂膜接触的步骤。还提供了负性抗蚀剂组合物的适用性评价方法。
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公开(公告)号：CN100565341C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200480002955.5
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法，所述抗蚀剂组合物对于在浸渍光刻法中使用的溶剂是稳定的，并表现出优异的灵敏度和抗蚀剂图案轮廓。该抗蚀剂组合物符合预定的参数，或者是正性抗蚀剂组合物，所述正性抗蚀剂组合物包括含有可酸解溶解抑制基团并表现出在酸作用下碱溶解性增加的树脂组分(A)、酸生成剂组分(B)和有机溶剂(C)，其中所述组分(A)包含衍生自含可酸解溶解抑制基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元(a1)，但所述组分(A)不包含结构单元(a0)，而所述结构单元(a0)又包括含二羧酸酐的结构单元(a0-1)和含酚羟基的结构单元(a0-2)。
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公开(公告)号：CN101019076A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200580025673.1
申请日：2005-07-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/11
Abstract: 本发明在浸液曝光工艺中，能同时防止利用包括水在内的各种浸渍液的浸液曝光中的光刻胶膜的变质及所用的浸渍液的变质，且不会增加处理工序数量，可在浸液曝光下形成高分辨率的光刻胶图案。还可应用于更高折射率的浸液介质，通过与这样的高折射率浸液介质一起使用，能进一步提高图案精度。利用含有丙烯酸类树脂的组合物在所使用的光刻胶膜表面上形成保护膜，而所述丙烯酸类树脂具有相对于浸渍光刻胶膜的液体尤其是水实质上没有相溶性且可溶于碱的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1970715A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610146722.3
申请日：2006-11-16
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种清洗液，是用于清洗半导体制造工序中使用的药液供给装置的清洗液，其特征为，该清洗液至少含有氢氟醚。根据本发明，能够提供一种清洗液，该清洗液可清洗供给特别是选自用于浸液曝光处理的光致抗蚀剂膜形成用材料、光致抗蚀剂上层保护膜形成用材料、及氟类有机溶剂中的至少1种的半导体制造用药液供给装置，且清洗性能优良，而且不使光致抗蚀剂上层保护膜形成用材料的透明性降低。
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公开(公告)号：CN1800847A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510137593.7
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G01N33/00 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 一种用于包括浸渍曝光步骤的抗蚀剂图案形成方法中的正性抗蚀剂组合物的适用性评价方法，如果当使用波长为193nm的光源通过通常的曝光光刻法形成130nm的1∶1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X1，并且当使用波长为193nm的光源通过模拟浸渍光刻法形成相同的130nm的1∶1线和间隔抗蚀剂图案时，其灵敏度称为X2，并且如果[(X2/X1)－1]×100的绝对值不超过8.0，那么该抗蚀剂组合物被断定为是适用的，在所述模拟浸渍光刻法中，在常规曝光光刻法的选择性曝光步骤和曝光后烘焙(PEB)步骤之间插入有使用于所述浸渍光刻的溶剂与所述抗蚀剂膜接触的步骤。还提供了负性抗蚀剂组合物的适用性评价方法。
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公开(公告)号：CN1742234A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200480002955.5
申请日：2004-01-27
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70616 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/70341 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法，所述抗蚀剂组合物对于在浸渍光刻法中使用的溶剂是稳定的，并表现出优异的灵敏度和抗蚀剂图案轮廓。该抗蚀剂组合物符合预定的参数，或者是正性抗蚀剂组合物，所述正性抗蚀剂组合物包括含有可酸解溶解抑制基团并表现出在酸作用下碱溶解性增加的树脂组分(A)、酸生成剂组分(B)和有机溶剂(C)，其中所述组分(A)包含衍生自含可酸解溶解抑制基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元(a1)，但所述组分(A)不包含结构单元(a0)，而所述结构单元(a0)又包括含二羧酸酐的结构单元(a0－1)和含酚羟基的结构单元(a0－2)。
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公开(公告)号：CN108687441A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810286516.5
申请日：2018-03-30
Applicant: 东京应化工业株式会社 , 株式会社迪思科
CPC classification number: B23K26/18 , B23K26/38 , C08K2003/2241 , C08K2003/2296 , C09D5/14 , C09D7/62
Abstract: 本发明提供一种切割用保护膜剂，其使得即便是机械强度较低的被加工物、在利用高能量激光的加工中也不会产生碎屑，并且还能够抑制加工飞边的产生。该切割用保护膜剂是含有水溶性树脂和激光吸收剂的切割用保护膜剂，该激光吸收剂中的至少一种用无机氧化物进行了表面处理。
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公开(公告)号：CN101019076B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200580025673.1
申请日：2005-07-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/11
Abstract: 本发明在浸液曝光工艺中，能同时防止利用包括水在内的各种浸渍液的浸液曝光中的光刻胶膜的变质及所用的浸渍液的变质，且不会增加处理工序数量，可在浸液曝光下形成高分辨率的光刻胶图案。还可应用于更高折射率的浸液介质，通过与这样的高折射率浸液介质一起使用，能进一步提高图案精度。利用含有丙烯酸类树脂的组合物在所使用的光刻胶膜表面上形成保护膜，而所述丙烯酸类树脂具有相对于浸渍光刻胶膜的液体尤其是水实质上没有相溶性且可溶于碱的特性。
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