-
公开(公告)号：CN1946751A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580012969.X
申请日：2005-04-25
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C08F20/10 , C08F22/00 , C08F36/16 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F232/08 , G03F7/2041
Abstract: 一种液浸曝光工艺，特别是通过在光刻曝光光线到达光刻胶膜的通路中，至少在前述光刻胶膜上设置特定厚度的，折射率比空气大并且比前述光刻胶膜小的液体的状态下，进行曝光提高光刻胶图案的分辨率，同时防止使用以水为首的各种浸渍液的液浸曝光中的光刻胶膜的变质和所使用浸渍液的变质，并且没有导致处理工艺步骤的增加，并可以形成使用液浸曝光的高分辨率光刻胶图案。在所使用的光刻胶膜的表面上形成了具有与浸渍光刻胶膜的液体特别是水实质上不相溶，而可溶于碱的特性的保护膜。
-
公开(公告)号：CN1970715A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610146722.3
申请日：2006-11-16
Applicant: 东京应化工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种清洗液，是用于清洗半导体制造工序中使用的药液供给装置的清洗液，其特征为，该清洗液至少含有氢氟醚。根据本发明，能够提供一种清洗液，该清洗液可清洗供给特别是选自用于浸液曝光处理的光致抗蚀剂膜形成用材料、光致抗蚀剂上层保护膜形成用材料、及氟类有机溶剂中的至少1种的半导体制造用药液供给装置，且清洗性能优良，而且不使光致抗蚀剂上层保护膜形成用材料的透明性降低。
-
公开(公告)号：CN1428659A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02141841.1
申请日：2002-08-23
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: H01L21/02068 , C11D1/62 , C11D7/32 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426
Abstract: 本发明提供这样一种光刻胶用剥离液，其中含有(a)氢氧化四丁基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化甲基三丁基铵、氢氧化甲基三丙基铵等季铵氢氧化物、(b)水溶性胺、(c)水、(d)防腐蚀剂、以及(e)水溶性有机溶剂，(a)成分与(b)成分的配合比例为(a)成分：(b)成分＝1∶3～1∶10(质量比)。另外还提供使用该剥离液的光刻胶剥离方法。本发明的剥离液对于Al和Cu等金属布线的防腐蚀性、以及对于光刻胶膜和灰化残渣物、金属淀积物的剥离性优良。另外，对于Si类残渣物的剥离性和对于基板(特别是Si基板内面)的防腐蚀性也优良。
-
公开(公告)号：CN1291281C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200310100312.1
申请日：2003-10-09
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D1/62 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/34 , G03F7/425 , G03F7/426
Abstract: 本发明提供一种用于剥离、溶解膜厚为10～150μm的光致抗蚀剂图案的洗涤液，含有下述的成分(a)、(b)和(c)：(a)0.5～15质量%的通式(I)表示的季铵氢氧化物(氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵等)；(b)65～97质量%的水溶性有机溶剂(二甲亚砜、或二甲亚砜与N-甲基-2-吡咯烷酮、环丁砜等的混合溶剂)；(c)0.5～30质量%的水。本发明还提供使用该洗涤液处理基板的方法。
-
公开(公告)号：CN1501179A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310100312.1
申请日：2003-10-09
Applicant: 东京应化工业株式会社
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D1/62 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/34 , G03F7/425 , G03F7/426
Abstract: 本发明提供一种用于剥离、溶解膜厚为10～150μm的光致抗蚀剂图案的洗涤液，含有下述的成分(a)、(b)和(c)：(a)0.5～15质量％的通式(I)表示的季铵氢氧化物(氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵等)；(b)65～97质量％的水溶性有机溶剂(二甲亚砜、或二甲亚砜与N－甲基－2－吡咯烷酮、环丁砜等的混合溶剂)；(c)0.5～30质量％的水。本发明还提供使用该洗涤液处理基板的方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1495535A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03156579.4
申请日：2003-09-09
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: H01L21/31144 , C11D7/32 , C11D11/0047 , H01L21/31138 , H01L21/76807
Abstract: 本发明公开了一种洗涤液，所述洗涤液，是在形成双金属镶嵌结构的过程中，蚀刻层合在具有金属层的基板上的低电介质层(low－k层)，形成第1蚀刻空间，在所述第1蚀刻空间内填充保护层后，再部分地蚀刻低电介质层和保护层，形成连通所述第1蚀刻空间的第2蚀刻空间后，用于除去所述第1蚀刻空间内残存的保护层的洗涤液，所述洗涤液含有(a)1～25质量％的TMAH、胆碱等季铵氢氧化物、(b)30～70质量％的水溶性有机溶剂及(c)20～60质量％的水。本发明的洗涤液具有如下二方面效果，即在设置了金属层(Cu层等)和低电介质层的基板上形成金属配线的过程中，可以很好地除去用于形成双金属镶嵌结构的保护层，而且不造成低电介质层损坏。
-
公开(公告)号：CN1946751B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200580012969.X
申请日：2005-04-25
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C08F20/10 , C08F22/00 , C08F36/16 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F232/08 , G03F7/2041
Abstract: 一种液浸曝光工艺，特别是通过在光刻曝光光线到达光刻胶膜的通路中，至少在前述光刻胶膜上设置特定厚度的，折射率比空气大并且比前述光刻胶膜小的液体的状态下，进行曝光提高光刻胶图案的分辨率，同时防止使用以水为首的各种浸渍液的液浸曝光中的光刻胶膜的变质和所使用浸渍液的变质，并且没有导致处理工艺步骤的增加，并可以形成使用液浸曝光的高分辨率光刻胶图案。在所使用的光刻胶膜的表面上形成了具有与浸渍光刻胶膜的液体特别是水实质上不相溶，而可溶于碱的特性的保护膜。
-
公开(公告)号：CN100504620C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN03156579.4
申请日：2003-09-09
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/42 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31144 , C11D7/32 , C11D11/0047 , H01L21/31138 , H01L21/76807
Abstract: 本发明公开了一种洗涤液，所述洗涤液，是在形成双金属镶嵌结构的过程中，蚀刻层合在具有金属层的基板上的低电介质层(low-k层)，形成第1蚀刻空间，在所述第1蚀刻空间内填充保护层后，再部分地蚀刻低电介质层和保护层，形成连通所述第1蚀刻空间的第2蚀刻空间后，用于除去所述第1蚀刻空间内残存的保护层的洗涤液，所述洗涤液含有(a)1～25质量%的TMAH、胆碱等季铵氢氧化物、(b)30～70质量%的水溶性有机溶剂及(c)20～60质量%的水。本发明的洗涤液具有如下二方面效果，即在设置了金属层(Cu层等)和低电介质层的基板上形成金属配线的过程中，可以很好地除去用于形成双金属镶嵌结构的保护层，而且不造成低电介质层损坏。
-
公开(公告)号：CN1264066C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN02142279.6
申请日：2002-08-29
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/422 , C11D7/265 , C11D7/3218 , C11D7/34 , C11D11/0047 , G03F7/425
Abstract: 本发明提供一种光刻胶用剥离液，其中含有(a)含羧基的酸性化合物、(b)烷醇胺类和特定的季铵氢氧化物中选出的至少1种碱性化合物(例如单乙醇胺、氢氧化四烷基铵等)、(c)含硫防腐蚀剂、以及(d)水，且pH值为3.5～5.5。另外，本发明还提供使用该剥离液的光刻胶剥离方法。本发明提供的光刻胶用剥离液，其对金属布线、特别是Cu布线的防腐蚀性优良，不会损坏低介电体层和有机SOG层等层间膜，而且光刻胶膜和灰化处理后的残渣物的剥离性优良。
-
公开(公告)号：CN1224864C
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN02141841.1
申请日：2002-08-23
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: H01L21/02068 , C11D1/62 , C11D7/32 , C11D11/0047 , G03F7/425 , G03F7/426
Abstract: 本发明提供这样一种光刻胶用剥离液，其中含有(a)氢氧化四丁基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化甲基三丁基铵、氢氧化甲基三丙基铵等季铵氢氧化物、(b)水溶性胺、(c)水、(d)防腐蚀剂、以及(e)水溶性有机溶剂，(a)成分与(b)成分的配合比例为(a)成分∶(b)成分＝1∶3～1∶10(质量比)。另外还提供使用该剥离液的光刻胶剥离方法。本发明的剥离液对于Al和Cu等金属布线的防腐蚀性、以及对于光刻胶膜和灰化残渣物、金属淀积物的剥离性优良。另外，对于Si类残渣物的剥离性和对于基板(特别是Si基板内面)的防腐蚀性也优良。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.02 seconds)
