公开(公告)号：CN110246750B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN201910171202.5

申请日：2019-03-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴秦煜 ,  任台镇 ,  曹仑廷 ,  博森田 ,  泰久降幡

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/64

Abstract: 公开了一种形成氧化物层的方法和制造半导体器件的方法。形成氧化物层的方法包括：在半导体衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包含聚硅氧烷材料，其中，在所述聚硅氧烷材料包含的Si‑H1键、Si‑H2键和Si‑H3键中，Si‑H2键的比例为约40％至约90％；在惰性气氛中对所述第一材料层进行第一退火过程；和在氧化性气氛中对所述第一材料层进行第二退火过程。

公开(公告)号：CN110246750A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910171202.5

申请日：2019-03-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴秦煜 ,  任台镇 ,  曹仑廷 ,  博森田 ,  泰久降幡

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/64

Abstract: 公开了一种形成氧化物层的方法和制造半导体器件的方法。形成氧化物层的方法包括：在半导体衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包含聚硅氧烷材料，其中，在所述聚硅氧烷材料包含的Si-H1键、Si-H2键和Si-H3键中，Si-H2键的比例为约40％至约90％；在惰性气氛中对所述第一材料层进行第一退火过程；和在氧化性气氛中对所述第一材料层进行第二退火过程。

公开(公告)号：CN109390210A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810828662.6

申请日：2018-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜允姬 ,  金志英 ,  任台镇 ,  白宗玟 ,  安商燻 ,  吴赫祥 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5329 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/02134

Abstract: 本发明概念的实施例提供形成超低介电常数介电层的方法及由所述方法形成的超低介电常数介电层。所述方法可包括：通过供应包含硅、氧、碳及氢的前驱体来形成第一层；对所述第一层执行第一紫外线工艺，以将所述第一层转换成第二层；以及在不同于所述第一紫外线工艺的工艺条件下对所述第二层执行第二紫外线工艺。本发明概念的实施例可提供形成同时具有低介电常数及优异的机械强度的超低介电常数介电层的方法。

公开(公告)号：CN109390210B

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN201810828662.6

申请日：2018-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜允姬 ,  金志英 ,  任台镇 ,  白宗玟 ,  安商燻 ,  吴赫祥 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明概念的实施例提供形成超低介电常数介电层的方法及由所述方法形成的超低介电常数介电层。所述方法可包括：通过供应包含硅、氧、碳及氢的前驱体来形成第一层；对所述第一层执行第一紫外线工艺，以将所述第一层转换成第二层；以及在不同于所述第一紫外线工艺的工艺条件下对所述第二层执行第二紫外线工艺。本发明概念的实施例可提供形成同时具有低介电常数及优异的机械强度的超低介电常数介电层的方法。