公开(公告)号：CN120019747A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202480004322.5

申请日：2024-07-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  里兰斯坦福初级大学理事会

Inventor： W·S-H·黄 ,  S·X·王 ,  薛芬 ,  W·蔡 ,  H·西姆卡

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/20 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 磁阻式随机存取存储器（MRAM）器件包括磁性隧道结和自旋轨道转矩材料。基于被施加到自旋轨道转矩材料的电流，自旋轨道转矩材料沿一个或多个轴产生自旋极化。一种磁阻式随机存取存储器（MRAM）器件，包括平面内磁性隧道结和自旋轨道转矩材料，其中基于被施加到自旋轨道转矩材料的电流，MRAM器件在平行状态和反平行状态之间无场切换。

公开(公告)号：CN117525069A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310981072.8

申请日：2023-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 何铭 ,  M·萨雷米 ,  R·朴 ,  M·阿霍桑乌尔卡里姆 ,  H·西姆卡 ,  朴星一 ,  姜明一 ,  金庆好 ,  崔道永 ,  朴宰贤

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/48 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种三维堆叠场效应晶体管(3DSFET)器件，其包括：第一下源极/漏极区和第二下源极/漏极区，通过由第一栅极结构控制的第一下沟道结构彼此连接；以及第一上源极/漏极区和第二上源极/漏极区，分别在第一下源极/漏极区和第二下源极/漏极区上方，并通过由第一栅极结构控制的第一上沟道结构彼此连接，其中第二下源极/漏极区和第二上源极/漏极区在其间形成PN结。

公开(公告)号：CN117525064A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310974926.X

申请日：2023-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 何铭 ,  M·萨雷米 ,  R·朴 ,  M·阿霍桑乌尔卡里姆 ,  H·西姆卡 ,  朴星一 ,  姜明一 ,  金庆好 ,  崔道永 ,  朴宰贤

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种三维堆叠场效应晶体管(3DSFET)器件，包括：连接到下沟道结构的第一极性类型的下源极/漏极区；第二极性类型的上源极/漏极区，连接到上沟道结构，在下源极/漏极区上方；以及PN结结构，在下源极/漏极区和上源极/漏极区之间，配置为将上源极/漏极区与下源极/漏极区电隔离，其中PN结结构包括第一极性类型的第一区和第二极性类型的第二区。