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发明公开
双端自旋轨道转矩磁阻式随机存取存储器及其制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN120019747A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202480004322.5

申请日：2024-07-10

Applicant: 三星电子株式会社 , 里兰斯坦福初级大学理事会

Inventor： W·S-H·黄 , S·X·王 , 薛芬 , W·蔡 , H·西姆卡

IPC: H10N50/10 , H10N50/20 , H10N50/80 , H10N50/01 , H10B61/00

Abstract: 磁阻式随机存取存储器（MRAM）器件包括磁性隧道结和自旋轨道转矩材料。基于被施加到自旋轨道转矩材料的电流，自旋轨道转矩材料沿一个或多个轴产生自旋极化。一种磁阻式随机存取存储器（MRAM）器件，包括平面内磁性隧道结和自旋轨道转矩材料，其中基于被施加到自旋轨道转矩材料的电流，MRAM器件在平行状态和反平行状态之间无场切换。

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