公开(公告)号：CN114068514A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110890563.2

申请日：2021-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜命衫 ,  高永璨 ,  郑泰成

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装件和关联的方法，所述封装件包括：衬底；第一半导体芯片和第二半导体芯片，其位于衬底上；以及外部端子，其位于衬底下方，其中，衬底包括：核心部分；第一堆积部分和第二堆积部分，其位于核心部分的顶表面和底表面上，第一堆积部分和第二堆积部分包括电介质图案和线图案；以及插入器芯片，其位于核心部分中的嵌入区中，并且电连接至第一堆积部分和第二堆积部分，插入器芯片包括基体层；重新分布层，其位于基体层上；以及过孔件，其穿透基体层，过孔件连接至重新分布层，并且在基体层的表面处被暴露，重新分布层连接至第一堆积部分的线图案，并且过孔件连接至第二堆积部分的线图案。

公开(公告)号：CN119495667A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202410424121.2

申请日：2024-04-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵明道 ,  高永璨 ,  金炳镐 ,  李用军 ,  李政昊

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种示例半导体封装包括：第一再分布层；桥接芯片，附接到第一再分布层的顶表面；模制层，在第一再分布层上，并且包围桥接芯片；第二再分布层，设置在模制层上；导电柱，竖直地延伸穿过模制层，并且将第一再分布层和第二再分布层连接；以及第一半导体芯片，安装在第二再分布层上。第一再分布层包括焊盘层、以及设置在焊盘层上的互连层。焊盘层包括第一绝缘层、以及在第一绝缘层中的焊盘。焊盘的顶表面暴露于第一绝缘层的顶表面的外部，并且焊盘的底表面暴露于第一绝缘层的底表面的外部。

公开(公告)号：CN114078830A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110754281.X

申请日：2021-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜命衫 ,  高永璨 ,  金廷锡 ,  文炅燉 ,  赵捧住

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装包括：重分布基板，包括介电层和在介电层中的布线图案，布线图案包括：水平延伸的线部分及与线部分连接的通孔部分，通孔部分的宽度小于线部分的宽度；在重分布基板的顶表面上的钝化层，钝化层包括与介电层的材料不同的材料；导电柱，导电柱穿透钝化层，导电柱连接到通孔部分；以及连接端子，在导电柱的顶表面上，导电柱的顶表面与钝化层的顶表面之间的距离大于钝化层的厚度。