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公开(公告)号：CN118069414A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202310819615.6
申请日：2023-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供用于存储器装置的错误恢复操作的方法和存储器系统。所述方法包括：在存储器系统上电时执行存储器装置的训练操作；通过基于训练操作的结果使用多个操作频率中的选择的操作频率来操作存储器装置，将操作系统启动至正常模式；响应于操作系统对存储器装置的选择的操作频率的改变而检测所述多个操作频率之中的错误频率，错误频率是导致存储器装置中的至少一个错误的操作频率；以及将关于检测到的错误频率的信息存储在第一寄存器中，第一寄存器被包括在与存储器装置相关联的存储器控制器中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1965372A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580019040.X
申请日：2005-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/267
Abstract: 本发明提供了使安装在存储器系统上的存储器模块或安装在存储器模块上的数个存储器进入测试模式的方法，和引入了执行该方法的第一寄存器和第二寄存器。每个存储器制造者提供了相互不同的使存储器进入测试模式的MRS代码和相互不同的使存储器进入测试模式的方法。因此，将测试MRS的个数存储在控制存储器的第一寄存器中，和将测试MRS代码编程到第二寄存器中。另外，用于确定测试MRS的个数的存储在第一寄存器中的每个位分别对应于存储相应测试MRS代码的每个第二寄存器。
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公开(公告)号：CN118230799A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311735608.4
申请日：2023-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器控制器和包括存储器控制器的存储器系统。所述存储器系统包括：存储器装置；以及存储器控制器，被配置为：基于刷洗周期控制巡回刷洗操作，在刷洗操作中，数据从存储器装置读取并且被重写到存储器装置；并且基于存储器装置的错误计数值与多个风险阈值的比较来自适应地调节刷洗周期。
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公开(公告)号：CN117349057A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310436130.9
申请日：2023-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种电子设备，包括：存储器模块，存储器模块包括至少一个动态随机访问存储器，以及处理器，处理器被配置为访问存储器模块，响应于当从存储器模块读取数据时检测到纠正的错误，确定与纠正的错误的地址相关联的纠正的错误计数，读取与纠正的错误相关联的错误日志，基于错误日志来确定纠正的错误的风险级别，和响应于纠正的错误的风险级别为高，对纠正的错误的地址调度封装后修复(PPR)。
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公开(公告)号：CN114464227A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202111281640.0
申请日：2021-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G06F1/20
Abstract: 提供了一种存储设备的操作方法。所述方法包括：向主机设备提供所述存储设备中的多个易失性存储器设备的每一个的温度信息；以及从所述主机设备接收与所述多个易失性存储器设备的刷新操作相关的设置命令，其中基于温度信息将所述多个易失性存储器设备分类成组，并且其中所述设置命令基于所述温度信息为所述组中的每个组指示要被不同地刷新的所述多个易失性存储器设备的行数。
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公开(公告)号：CN1965372B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200580019040.X
申请日：2005-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/267
Abstract: 本发明提供了使安装在存储器系统上的存储器模块或安装在存储器模块上的数个存储器进入测试模式的方法，和引入了执行该方法的第一寄存器和第二寄存器。每个存储器制造者提供了相互不同的使存储器进入测试模式的MRS代码和相互不同的使存储器进入测试模式的方法。因此，将测试MRS的个数存储在控制存储器的第一寄存器中，和将测试MRS代码编程到第二寄存器中。另外，用于确定测试MRS的个数的存储在第一寄存器中的每个位分别对应于存储相应测试MRS代码的每个第二寄存器。
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