公开(公告)号：CN110504269B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201910402256.8

申请日：2019-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李秉一 ,  徐裕轸 ,  陈俊彦

IPC: H10B41/20 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35

Abstract: 本公开提供了一种三维半导体装置。所述三维半导体装置包括：第一延伸区域和第二延伸区域，彼此分隔开地设置在基底上；存储器块，在第一延伸区域与第二延伸区域之间设置在基底上；以及第一主分离结构和第二主分离结构，彼此分隔开地设置在基底上。第一延伸区域、存储器块和第二延伸区域设置在第一主分离结构与第二主分离结构之间。存储器块包括数据存储区域和字线。字线从存储器块延伸并且穿过第一延伸区域和第二延伸区域。位于第一延伸区域的两侧上的第一主分离结构与第二主分离结构之间的距离大于位于存储器块的两侧上的第一主分离结构与第二主分离结构之间的距离。

公开(公告)号：CN115360199A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210276689.5

申请日：2022-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄允贞 ,  金珉范 ,  成晧准 ,  李星勳 ,  陈俊彦

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了一种三维半导体存储器装置和包括其的电子系统。该三维半导体存储器装置可以包括：源极结构，在基底上；堆叠结构，包括在源极结构上并且交替地堆叠的电极层和电极间绝缘层；垂直结构，穿透堆叠结构和源极结构并且与基底相邻；以及分离绝缘图案，穿透堆叠结构和源极结构并且与垂直结构间隔开。电极间绝缘层中的最上面的电极间绝缘层可以包括位于距基底的顶表面的第一高度处的第一杂质注入区域。堆叠结构可以限定凹槽，分离绝缘图案位于凹槽中。凹槽的内侧壁可以限定凹陷区域，凹陷区域位于距基底的顶表面的第一高度处并且朝向垂直结构凹陷。

公开(公告)号：CN113380811A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110213536.1

申请日：2021-02-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊成 ,  李秉一 ,  郑圣勋 ,  陈俊彦

IPC: H01L27/11521 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供具有提高的可靠性的半导体存储器件。该半导体存储器件包括：模制结构，包括在第一基板上的多个栅电极和多个模制绝缘膜；沟道结构，穿透模制结构并与每个栅电极的相应水平面交叉；在模制结构中的多个第一绝缘图案，第一绝缘图案包括与模制绝缘膜的材料不同的材料；以及在第一绝缘图案中的第一贯穿通路，第一贯穿通路穿透第一基板和模制结构。栅电极包括第一字线和在第一字线上的第二字线。从第一字线到第一贯穿通路的第一距离不同于从第二字线到第一贯穿通路的第二距离。

公开(公告)号：CN110504269A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910402256.8

申请日：2019-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李秉一 ,  徐裕轸 ,  陈俊彦

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 本公开提供了一种三维半导体装置。所述三维半导体装置包括：第一延伸区域和第二延伸区域，彼此分隔开地设置在基底上；存储器块，在第一延伸区域与第二延伸区域之间设置在基底上；以及第一主分离结构和第二主分离结构，彼此分隔开地设置在基底上。第一延伸区域、存储器块和第二延伸区域设置在第一主分离结构与第二主分离结构之间。存储器块包括数据存储区域和字线。字线从存储器块延伸并且穿过第一延伸区域和第二延伸区域。位于第一延伸区域的两侧上的第一主分离结构与第二主分离结构之间的距离大于位于存储器块的两侧上的第一主分离结构与第二主分离结构之间的距离。