公开(公告)号：CN115547864A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210534595.3

申请日：2022-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真用 ,  韩大勋 ,  金郁来 ,  李明俊 ,  朴光植 ,  张城豪

IPC: H01L21/66

Abstract: 公开了一种制造半导体装置的方法和一种光学测量设备。该光学测量设备包括：光源单元，其生成和输出光；偏振光生成单元，其从所述光生成偏振光；光学系统，其使用偏振光来生成测量目标的光瞳图像；自干涉生成单元，其生成从光瞳图像分离的多个光束；以及检测单元，其对通过所述多个光束彼此干涉生成的自干涉图像进行检测。

公开(公告)号：CN118548797A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410111809.5

申请日：2024-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真用 ,  日高康弘 ,  金郁来 ,  金仁基 ,  金镇夑

IPC: G01B11/00

Abstract: 提供了一种半导体测量设备，该半导体测量设备包括：照明单元，其包括光源和光调制器，光调制器被配置为将由光源输出的光分解为多个波段并且生成至少两个选择的波段的输出光；第一光学单元，其包括设置在输出光的路径中的照明偏振元件；第二光学单元，其包括分束器、被配置为允许已经穿过第一光学单元的光入射到样本上的物镜、以及设置在反射光的路径上的自干涉发生器；传感器，其被配置为输出表示已经穿过自干涉发生器的光的干涉图案的原始图像；以及控制器，其被配置为处理原始图像并且确定样本中包括的结构的选择的临界尺寸。

公开(公告)号：CN117213361A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310674951.6

申请日：2023-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔佳滥 ,  金郁来 ,  金镇夑 ,  金真用 ,  张城豪 ,  韩大勋

IPC: G01B11/00

Abstract: 一种半导体测量设备包括：照明单元，其包括光源和至少一个照明偏振元件；光接收单元，其包括至少一个光接收偏振元件和图像传感器，至少一个光接收偏振元件设置在被样品反射的光的路径上，图像传感器被定位为接收穿过至少一个光接收偏振元件的光并被配置为输出原始图像；以及控制单元，其被配置为通过处理原始图像来确定样品的区域中包括的结构的临界尺寸中的所选择的临界尺寸。控制单元被配置为通过选择原始图像的出现由于干涉而导致的峰的区域来获得多个样品图像，使用多个样品图像来确定米勒矩阵中包括的多个元素，并且基于多个元素来确定所选择的临界尺寸。

公开(公告)号：CN119085482A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202410597316.7

申请日：2024-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 秦永旭 ,  金郁来 ,  金镇夑 ,  金真用 ,  崔佳滥 ,  韩大勋

IPC: G01B11/00

Abstract: 一种半导体测量设备包括：照明单元；光接收单元；以及控制单元，其被配置为：生成表示原始图像的预测等式，其中，预测等式基于米勒矩阵的多个元素，将米勒矩阵的多个元素中的每一个近似到包括泽尔尼克多项式的基和系数的多项式，基于系数之和以及预测等式和原始图像之间的差来生成优化系数，基于优化系数和最小值确定优化条件是否被满足，以及当优化条件被满足时基于优化系数和基来选择尺寸。