公开(公告)号：CN101325179A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810093182.6

申请日：2008-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金桢仁 ,  吴在熙 ,  孔晙赫 ,  朴哉炫 ,  李广宇

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/24 ,  H01L23/522 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/141 ,  H01L45/1683

Abstract: 提供一种具有自对准电极的半导体存储器件的制造方法。在衬底上形成具有接触孔的层间绝缘层。形成部分地填充该接触孔的相变图形。形成包括自对准到相变图形并跨越层间绝缘层的位延伸的位线。该位延伸可以在相变图形上的接触孔中延伸。该位延伸与相变图形接触。