公开(公告)号：CN1873987A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610089977.0

申请日：2006-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金敬锡 ,  邢庸宇 ,  朴栽永 ,  李铉德 ,  任基彬 ,  李昱烈 ,  李高银 ,  金永镇 ,  南硕祐

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/02 ,  H01L27/00 ,  H01L29/94 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

Abstract: 在具有半导体－绝缘体－金属(SIM)结构的电容器中，可以将上电极形成为包括多晶半导体族IV材料的多层结构。介质层可包括金属氧化物，以及下电极可包括基于金属的材料。因此，电容器可以具有足够小的等效氧化物厚度(EOT)和/或可具有改进的电流漏泄特性。