公开(公告)号：CN111799252A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201911254150.4

申请日：2019-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑臻愚 ,  权智旭 ,  金秀泰 ,  金慧林

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：在第一方向上延伸的第一有源区和第二有源区；第一有源区与第二有源区之间的场区域；栅极结构，包括上部栅电极和下部栅电极，上部栅电极与第一有源区重叠并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，下部栅电极与第二有源区重叠，在第二方向上延伸，并且与上部栅电极在同一个线上；上部栅电极和下部栅电极之间的栅极隔离层；源极/漏极区，在上部栅电极的相应侧上；接触跨接线，在第二有源区中与上部栅电极交叉，并且将源极/漏极区电连接；以及第一上部触点，在场区域中沿第二方向延伸，并且与下部栅电极和栅极隔离层重叠，其中，上部栅电极是虚设栅电极。

公开(公告)号：CN119277788A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410900306.6

申请日：2024-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍雨 ,  崔虎浚 ,  金秀泰 ,  金慧林 ,  崔胜

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 一种半导体装置包括：多个有源图案，其分别在衬底上沿第一方向延伸；分离图案，其在衬底上沿第二方向延伸，并将多个有源图案中的每一个分成第一有源图案和第二有源图案，分离图案包括第一分离图案和第二分离图案，第二分离图案从第一分离图案在第一方向上移位以在第二方向上与第一分离图案部分地重叠；第一伪栅极结构和第二伪栅极结构，第一伪栅极结构和第二伪栅极结构分别在分离图案的第一侧和第二侧，并分别沿第一有源图案和第二有源图案的相应端部在第二方向上延伸；以及多个第一栅极结构和多个第二栅极结构，多个第一栅极结构和多个第二栅极结构分别与第一有源图案和第二有源图案的部分交叉，并在第二方向上延伸。

公开(公告)号：CN112951821A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011400976.X

申请日：2020-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南善娥 ,  姜秉柱 ,  金柄成 ,  金慧林 ,  朴圣镐 ,  钱钰博

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种半导体器件包括第一外部虚设区域和第二外部虚设区域以及位于所述第一外部虚设区域和所述第二外部虚设区域之间的电路区域。所述电路区域包括电路有源区和电路栅极线。每个外部虚设区域包括外部虚设有源区和与所述外部虚设有源区交叠并且与所述电路栅极线间隔开的外部虚设栅极线。所述外部虚设有源区具有在第一水平方向上延伸的线形形状，或包括隔离成彼此不直接接触并且在所述第一水平方向上顺序地延伸的有源部分的形状。所述电路有源区位于所述第一外部虚设有源区和所述第二外部虚设有源区之间，并且包括在所述第一水平方向上顺序地延伸的第一多个电路有源区以及在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上顺序地延伸的第二多个电路有源区。