公开(公告)号：CN119277788A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410900306.6

申请日：2024-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍雨 ,  崔虎浚 ,  金秀泰 ,  金慧林 ,  崔胜

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 一种半导体装置包括：多个有源图案，其分别在衬底上沿第一方向延伸；分离图案，其在衬底上沿第二方向延伸，并将多个有源图案中的每一个分成第一有源图案和第二有源图案，分离图案包括第一分离图案和第二分离图案，第二分离图案从第一分离图案在第一方向上移位以在第二方向上与第一分离图案部分地重叠；第一伪栅极结构和第二伪栅极结构，第一伪栅极结构和第二伪栅极结构分别在分离图案的第一侧和第二侧，并分别沿第一有源图案和第二有源图案的相应端部在第二方向上延伸；以及多个第一栅极结构和多个第二栅极结构，多个第一栅极结构和多个第二栅极结构分别与第一有源图案和第二有源图案的部分交叉，并在第二方向上延伸。

公开(公告)号：CN115810630A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202210637377.2

申请日：2022-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍雨 ,  吴润世 ,  金柄成 ,  金秀泰 ,  崔胜

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括第一有源图案，第一有源图案被沟槽分成一对第一有源图案；器件隔离层，填充沟槽；第一源极/漏极图案，位于第一有源图案上；第一沟道图案，连接到第一源极/漏极图案并包括半导体图案；第一虚设栅电极，在与沟槽的第一侧壁相邻的同时延伸；栅电极，在第一方向上与第一虚设栅电极间隔开并且在穿过第一沟道图案的同时延伸；栅极覆盖图案，位于栅电极上；栅极接触件，结合到栅电极；以及分离图案，在栅电极与第一虚设栅电极之间延伸。分离图案的顶表面与栅极覆盖图案的顶表面处于同一水平。