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公开(公告)号：CN115810630A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210637377.2
申请日：2022-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括第一有源图案，第一有源图案被沟槽分成一对第一有源图案；器件隔离层，填充沟槽；第一源极/漏极图案，位于第一有源图案上；第一沟道图案，连接到第一源极/漏极图案并包括半导体图案；第一虚设栅电极，在与沟槽的第一侧壁相邻的同时延伸；栅电极，在第一方向上与第一虚设栅电极间隔开并且在穿过第一沟道图案的同时延伸；栅极覆盖图案，位于栅电极上；栅极接触件，结合到栅电极；以及分离图案，在栅电极与第一虚设栅电极之间延伸。分离图案的顶表面与栅极覆盖图案的顶表面处于同一水平。
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