公开(公告)号：CN115440579A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210228122.0

申请日：2022-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佐燮 ,  甄东敏 ,  朴荷颜 ,  曹永善 ,  许昌铉

IPC: H01L21/304 ,  H01L27/11524

Abstract: 本公开的半导体器件包括：外围电路结构，包括外围晶体管；半导体层，在外围电路结构上；源极结构，在半导体层上；栅极堆叠结构，在源极结构上，该栅极堆叠结构包括字线、栅极上线和阶梯结构；存储器沟道结构和虚设沟道结构，延伸穿过栅极堆叠结构；切割结构，延伸穿过栅极上线；以及位线，与存储器沟道结构重叠。切割结构包括窄部和比窄部更靠近阶梯结构的宽部。窄部的宽度小于宽部的宽度。

公开(公告)号：CN115472618A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210664538.7

申请日：2022-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佐燮 ,  甄东敏 ,  金伸泳 ,  朴海英 ,  曹永善 ,  许昌铉

IPC: H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11529

Abstract: 一种半导体装置包括：存储器单元区域，其定位在基板上并且包括真实存储器单元区域和伪存储器单元区域；以及连接区域，其在存储器单元区域中在平行于基板的表面的第一方向上延伸。伪存储器单元区域包括彼此间隔开的多个伪垂直沟道结构。所述多个伪垂直沟道结构中的每一个包括在穿透堆叠结构的同时与基板接触的垂直沟道图案，堆叠结构包括在垂直于基板的表面的第三方向上重复堆叠的多个绝缘层和多个栅电极。保护图案被设置为围绕所述多个伪垂直沟道结构中的至少一个的垂直沟道图案。

公开(公告)号：CN118042837A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202310747760.8

申请日：2023-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佐燮 ,  金青珍 ,  金贤江 ,  石昭娟 ,  李贞浩 ,  郑润圭

IPC: H10B41/35

Abstract: 公开了半导体器件、包括该半导体器件的电子系统以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：源极结构，包括支撑源极层；栅极堆叠结构，在支撑源极层上；存储沟道结构，穿透栅极堆叠结构和支撑源极层；以及分离结构，穿透栅极堆叠结构和支撑源极层。支撑源极层包括：第一源极部，存储沟道结构穿透该第一源极部；以及第二源极部，分离结构穿透该第二源极部。第一源极部的顶表面处于比第二源极部的顶表面的水平低的水平处。

公开(公告)号：CN115084153A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210144610.3

申请日：2022-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佐燮 ,  朴凤泰 ,  沈载株 ,  赵诚一

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578

Abstract: 发明构思提供了半导体器件和包括其的电子系统。该半导体器件可以包括第一单元块和第二单元块，第一单元块包括第一电极结构和穿透第一电极结构的第一沟道，第一电极结构包括堆叠在基板上的第一电极，第二单元块包括第二电极结构和穿透第二电极结构的第二沟道，第二电极结构包括堆叠在基板上的第二电极。第一和第二电极结构可以在第一方向上延伸。第一电极结构可以在第二方向上具有第一宽度，第二电极结构可以具有大于第一宽度的第二宽度。第一电极结构的侧表面和与其相邻的第一沟道可以彼此间隔开第一距离，并且第二电极结构的侧表面和与其相邻的第二沟道可以彼此间隔开不同于第一距离的第二距离。