公开(公告)号：CN105226063A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510359346.5

申请日：2015-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金森宏治 ,  金青珍 ,  朴泳雨 ,  李宰求 ,  李载德 ,  崔茂林

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/532 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种具有垂直沟道和气隙的半导体装置。字线形成在基底上。气隙设置在两条相邻的字线之间。沟道结构穿透字线和气隙。存储单元设置在每条字线和沟道结构之间。存储单元包括阻挡图案、电荷捕获图案和遂穿绝缘图案。阻挡图案共形地覆盖每条字线的顶表面、底表面和第一侧表面。所述第一侧表面与所述沟道结构相邻。电荷捕获图案仅设置在所述第一侧表面和沟道结构之间。

公开(公告)号：CN119907241A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410914851.0

申请日：2024-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林根元 ,  权宁镐 ,  金青珍 ,  李贞浩 ,  郑润圭

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/20 ,  H10B41/40 ,  H10B43/30 ,  H10B43/20 ,  H10B43/40

Abstract: 本公开提供了一种半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统。所述半导体器件可以包括：板层；栅电极，其在所述板层上沿与所述板层的上表面垂直的第一方向彼此间隔开、沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸至不同长度并形成台阶区域；沟道结构，其穿过所述栅电极、沿所述第一方向延伸且均包括沟道层；隔离区域，其穿过所述栅电极并沿所述第一方向和所述第二方向延伸；牺牲绝缘层，其分别在与所述栅电极的高度相同的高度上；贯穿通路，其穿过所述牺牲绝缘层并沿所述第一方向延伸；坝结构，其围绕所述贯穿通路；以及保护结构，其与所述坝结构水平地间隔开并在平面图上具有围绕所述坝结构的闭环形状。

公开(公告)号：CN118042837A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202310747760.8

申请日：2023-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佐燮 ,  金青珍 ,  金贤江 ,  石昭娟 ,  李贞浩 ,  郑润圭

IPC: H10B41/35

Abstract: 公开了半导体器件、包括该半导体器件的电子系统以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：源极结构，包括支撑源极层；栅极堆叠结构，在支撑源极层上；存储沟道结构，穿透栅极堆叠结构和支撑源极层；以及分离结构，穿透栅极堆叠结构和支撑源极层。支撑源极层包括：第一源极部，存储沟道结构穿透该第一源极部；以及第二源极部，分离结构穿透该第二源极部。第一源极部的顶表面处于比第二源极部的顶表面的水平低的水平处。

公开(公告)号：CN105226063B

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201510359346.5

申请日：2015-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金森宏治 ,  金青珍 ,  朴泳雨 ,  李宰求 ,  李载德 ,  崔茂林

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11565 ,  H01L23/532 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种具有垂直沟道和气隙的半导体装置。字线形成在基底上。气隙设置在两条相邻的字线之间。沟道结构穿透字线和气隙。存储单元设置在每条字线和沟道结构之间。存储单元包括阻挡图案、电荷捕获图案和遂穿绝缘图案。阻挡图案共形地覆盖每条字线的顶表面、底表面和第一侧表面。所述第一侧表面与所述沟道结构相邻。电荷捕获图案仅设置在所述第一侧表面和沟道结构之间。