公开(公告)号：CN112447706A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010886321.1

申请日：2020-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金贞林 ,  卢明秀 ,  郑鲁永 ,  郑硕允 ,  金皊翰

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L27/11 ,  G06F30/392

Abstract: 公开了一种半导体装置及布局设计方法，所述半导体装置包括第一单位单元和第二单位单元，第一单位单元包括沿第一方向延伸的第一鳍图案、沿第二方向延伸的第一栅极图案以及设置在第一栅极图案的一侧上且接触第一鳍图案的第一接触件，第二单位单元包括沿第一方向延伸的第二鳍图案、沿第二方向延伸的第二栅极图案以及设置在第二栅极图案的一侧上且接触第二鳍图案的第二接触件，其中，第一栅极图案和第二栅极图案间隔开并且位于沿第二方向延伸的第一直线上，第一接触件和第二接触件间隔开并且位于沿第二方向延伸的第二直线上，并且第一中间接触件设置在第一接触件和第二接触件上并将第一接触件和第二接触件连接。

公开(公告)号：CN118295200A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311192770.6

申请日：2023-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 三坂章夫 ,  郑鲁永 ,  郑硕允

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

Abstract: 提供了极紫外反射掩模和制造半导体器件的方法。所述极紫外反射掩模包括：掩模衬底；反射层，所述反射层位于所述掩模衬底上；以及吸收层，所述吸收层位于所述反射层上，其中，所述吸收层包括主图案和设置在所述主图案周围的非衍射图案，所述非衍射图案形成蜂窝形状，所述非衍射图案中的相邻的非衍射图案之间的节距小于衍射极限，并且所述主图案与所述非衍射图案隔离。