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公开(公告)号：CN112447706A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010886321.1
申请日：2020-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L27/11 , G06F30/392
Abstract: 公开了一种半导体装置及布局设计方法，所述半导体装置包括第一单位单元和第二单位单元，第一单位单元包括沿第一方向延伸的第一鳍图案、沿第二方向延伸的第一栅极图案以及设置在第一栅极图案的一侧上且接触第一鳍图案的第一接触件，第二单位单元包括沿第一方向延伸的第二鳍图案、沿第二方向延伸的第二栅极图案以及设置在第二栅极图案的一侧上且接触第二鳍图案的第二接触件，其中，第一栅极图案和第二栅极图案间隔开并且位于沿第二方向延伸的第一直线上，第一接触件和第二接触件间隔开并且位于沿第二方向延伸的第二直线上，并且第一中间接触件设置在第一接触件和第二接触件上并将第一接触件和第二接触件连接。
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