公开(公告)号：CN1776513B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200510125432.6

申请日：2005-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  裵良浩 ,  赵范锡 ,  郑敞午

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，该面板包括：绝缘基板；形成在所述绝缘基板上的栅极线；形成在所述栅极线上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的漏电极和具有源电极的数据线，所述漏电极与所述源电极相邻，其间具有间隙；以及，耦合到所述漏电极上的象素电极，其中所述栅极线、所述数据线和所述漏电极中的至少一个包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层包括导电氧化物，所述第二导电层包括铜(Cu)。

公开(公告)号：CN100562998C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200610098778.6

申请日：2006-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  郑敞午 ,  赵范锡 ,  辈良浩

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种布线结构、一种形成布线的方法、一种薄膜晶体管(TFT)基板、以及一种TFT基板的制造方法。布线结构包括设置在下部结构上的阻挡层、设置在阻挡层上的包括铜或铜合金的铜导电层、设置在铜导电层上的包括氮化铜的中间层、以及设置在中间层上的覆盖层。

公开(公告)号：CN101325202A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200710161109.3

申请日：2007-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  金度贤 ,  郑敞午

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786 ,  H01L29/40 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。所公开的薄膜晶体管阵列面板包括绝缘衬底、形成在绝缘衬底上的包括氧化物的沟道层。栅极绝缘层形成在沟道层上，栅电极形成在栅极绝缘层上。层间绝缘层形成在栅电极上，数据线形成在层间绝缘层上且包括源电极，其中数据线由第一导电层和第二导电层制成。漏电极形成在层间绝缘层上，且包括第一导电层和第二导电层。像素电极从漏电极的第一导电层延伸，钝化层形成在数据线和漏电极上。隔离片形成在钝化层上。

公开(公告)号：CN101132011A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710152639.1

申请日：2007-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  金度贤 ,  李殷国 ,  郑敞午

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明涉及一种阵列基板，包括开关元件、信号传输线、钝化层和像素电极。开关元件设置在绝缘基板上。信号传输线连接到开关元件，并包括阻挡层、导电线和氮化铜层。阻挡层设置在绝缘基板上。导电线设置在阻挡层上，并且包括铜或者铜合金。氮化铜层覆盖导电线。钝化层覆盖开关元件和信号传输线并具有接触孔，通过该接触孔部分地露出开关元件的漏电极。像素电极设置在绝缘基板上，并通过接触孔连接到开关元件的漏电极。本发明还涉及具有阵列基板的显示器件以及制造阵列基板的方法。

公开(公告)号：CN1917202A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610109260.8

申请日：2006-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  郑敞午 ,  赵范锡 ,  辈良浩

IPC: H01L23/532 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种布线结构、一种该布线的制造方法、一种薄膜晶体管(TFT)基板、以及一种该TFT基板的制造方法。该布线结构包括形成在下部结构上的包含氧化银的底层、和形成在该底层上的包含银或银合金的银导电层。

公开(公告)号：CN1812109A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510130269.2

申请日：2005-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴良浩 ,  李制勋 ,  赵范锡 ,  郑敞午

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/52 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明公开了一种TFT阵列面板，包括：下部铝层；氮化铝层，形成于下部铝层上；以及上部铝层，形成于氮化铝层上。这种包括铝布线的TFT阵列面板减少乃至防止形成可能引起短路的小丘。本发明还公开了一种制造这种TFT阵列面板的方法。

公开(公告)号：CN102610618A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210009563.8

申请日：2012-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞炯硕 ,  金周汉 ,  李制勋 ,  金圣训 ,  李政奎 ,  郑敞午

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；定位在基板上的栅线；与栅线交叉的数据线；连接至栅线和数据线的薄膜晶体管；在薄膜晶体管的栅电极与薄膜晶体管的半导体之间的栅绝缘层；连接至薄膜晶体管的像素电极；以及定位在像素电极与薄膜晶体管之间的钝化层，其中，栅绝缘层和钝化层中的至少一个包括氮化硅层，并且氮化硅层包括小于2×1022原子数/cm3或4原子％的氢含量。

公开(公告)号：CN1913146B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200610112109.X

申请日：2006-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  李制勋 ,  郑敞午 ,  裵良浩

IPC: H01L23/532 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种具有改进粘附力和优良导电性的薄膜导体，一种制造薄膜导体的方法，一种包括薄膜导体的薄膜晶体管(TFT)面板，以及一种制造TFT面板的方法。该薄膜导体包括：粘附层，含有氧化反应金属或硅化反应金属和银；银导电层，形成于粘附层上，以及保护层，形成于所述银导电层上，并含有氧化反应金属和银。

公开(公告)号：CN102110693A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010570100.X

申请日：2010-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑敞午 ,  孙宇成 ,  金东奎 ,  金时烈 ,  李基晔 ,  宋溱镐

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线；半导体层，设置在栅极绝缘层上；数据线和漏极，设置在半导体层上。数据线和漏极具有双层结构，所述双层结构包括下层和上层，并且下层具有突出到上层外部的第一部分，半导体层具有突出到下层的边缘外部的第二部分。

公开(公告)号：CN1917202B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610109260.8

申请日：2006-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  郑敞午 ,  赵范锡 ,  辈良浩

IPC: H01L23/532 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种布线结构、一种该布线的制造方法、一种薄膜晶体管(TFT)基板、以及一种该TFT基板的制造方法。该布线结构包括形成在下部结构上的包含氧化银的底层、和形成在该底层上的包含银或银合金的银导电层。