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公开(公告)号：CN108731806B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201810188793.2
申请日：2018-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及光学滤波器、光谱仪和光学设备。光学滤波器可包括第一反射器和第二反射器。第一反射器可包括具有第一亚波长尺寸并且布置成在第一方向上以第一间隔再现的多个第一光栅。第二反射器可与所述第一反射器隔开，包括具有第二亚波长尺寸并且布置成在平行于所述第一方向的方向上以第二间隔再现的多个第二光栅。所述第一反射器和所述第二反射器包括彼此不同的材料或不同的几何结构。因此，容易调整光学滤波器的透射波长特性。
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公开(公告)号：CN107017312B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201610821200.2
申请日：2016-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供了光电器件和包括该光电器件的电子装置。光电器件可以包括光敏层，该光敏层可以包括配置为响应于光而产生电荷的纳米结构层和邻近于该纳米结构层的半导体层。纳米结构层可以包括一个或多个量子点。半导体层可以包括氧化物半导体。光电器件可以包括接触光敏层的不同区域的第一电极和第二电极。大量光电转换元件可以在水平方向上布置或者可以在竖直方向上层叠。光电转换元件可以吸收并由此探测在不同波长带中的光而不使用滤色器。
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公开(公告)号：CN108731806A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810188793.2
申请日：2018-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01J3/021 , F21V7/22 , G01J3/0224 , G01J3/1804 , G01J3/26 , G01J2003/1861 , G02B5/1809 , G02B5/1866 , G02B5/20 , G02B5/203 , G02B27/4272 , G01J3/2803 , G01J3/0229 , G01J3/0243 , G01J3/0259
Abstract: 本发明涉及光学滤波器、光谱仪和光学设备。光学滤波器可包括第一反射器和第二反射器。第一反射器可包括具有第一亚波长尺寸并且布置成在第一方向上以第一间隔再现的多个第一光栅。第二反射器可与所述第一反射器隔开，包括具有第二亚波长尺寸并且布置成在平行于所述第一方向的方向上以第二间隔再现的多个第二光栅。所述第一反射器和所述第二反射器包括彼此不同的材料或不同的几何结构。因此，容易调整光学滤波器的透射波长特性。
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公开(公告)号：CN109506779B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201810164740.7
申请日：2018-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵庆相
Abstract: 提供了滤波器阵列、包括滤波器阵列的光谱检测器以及使用该光谱检测器的光谱仪。滤波器阵列可以具有包括多个滤波器阵列的多阵列结构。滤波器阵列可以包括：第一滤波器阵列，具有第一结构，在第一结构中布置了多个具有不同透射谱的第一滤波器；第二滤波器阵列，具有第二结构，在第二结构中布置了多个具有不同透射谱的第二滤波器；第二滤波器阵列布置成在相对于第一滤波器阵列的第一位置处与第一滤波器阵列至少部分地交迭，使得多结构型滤波器阵列具有第一组吸收特性。第二滤波器阵列可以配置为布置成在相对于第一滤波器阵列的第二位置处与第一滤波器阵列至少部分地交迭，使得多结构型滤波器阵列具有与第一组吸收特性不同的第二组吸收特性。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101834277A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010171667.X
申请日：2010-02-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/502 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H01L33/14 , H01L51/0003 , H01L51/0007 , H01L51/5036 , H01L51/5048 , H01L51/5096
Abstract: 本发明提供一种量子点发光器件及其形成方法，所述量子点发光器件包括：衬底、设置在衬底上的第一电极、基本上与第一电极相对设置的第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的第一电荷传输层、设置在第一电极和第二电极其中之一与第一电荷传输层之间的量子点发光层、以及设置在量子点发光层和第一电荷传输层之间的至少一个量子点包含层，其中所述至少一个量子点包含层的能级不同于量子点发光层的能级。
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公开(公告)号：CN101162758A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710096084.3
申请日：2007-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1683 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1616
Abstract: 提供一种包含相变层表面处理工艺的制备相变存储装置的方法，所述方法包含：在形成相变层之前，在其上欲形成相变层的底层表面上形成涂层，其中所述涂层具有有助于烷基容易地粘附到所述底层表面的化学结构。在形成涂层之后，采用原子层沉积(ALD)法形成相变层。
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公开(公告)号：CN1964076A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610143565.0
申请日：2006-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/792 , H01L29/51 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/42332 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L29/42348
Abstract: 本发明提供了一种使用纳米点作为俘获位的半导体存储器件及其制造方法。所述半导体存储器件包括半导体衬底、形成于半导体衬底中的第一杂质区和第二杂质区、和形成于半导体衬底上与第一和第二杂质区接触的栅结构，其中栅结构包括隧穿层、多个形成于隧穿层上的纳米点、和形成于隧穿层和纳米点上的控制绝缘层，且控制绝缘层包括高k介电层。
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