公开(公告)号：CN118613049A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410202238.6

申请日：2024-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东均 ,  许先佑 ,  金秀彬 ,  金陈燮 ,  徐承莹 ,  宋泰龙

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/64

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括有源区域；单元栅极结构，设置在衬底中，与有源区域交叉，并且在第一水平方向上延伸；位线结构，与单元栅极结构交叉，并且在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；接触插塞，设置在位线结构之间；着接焊盘结构，设置在接触插塞上，并且包括下着接焊盘和在下着接焊盘上的上着接焊盘，其中，上着接焊盘包括空腔；导电图案，设置在上着接焊盘的空腔中；以及绝缘图案结构，与位线结构之一接触并且与着接焊盘结构接触。

公开(公告)号：CN114597191A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202110755874.8

申请日：2021-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔祐荣 ,  裵熊辉 ,  裵珍宇 ,  尹彩璘 ,  韩成熙 ,  许先佑 ,  黄德性

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/50 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上的第一位线。设置掩埋接触件，掩埋接触件设置在第一位线之间并且连接到基底。接合垫设置在掩埋接触件上。第二位线设置在基底的外围区域上。第二位线的上表面和接合垫的上表面彼此共面。第一绝缘图案设置在第二位线之间。第二绝缘图案设置在接合垫之间。设置连接到接合垫的单元电容器。第一绝缘图案包括与第二绝缘图案的至少一个绝缘层不同的绝缘层。