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发明公开
包括绝缘图案的半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN114597191A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202110755874.8

申请日：2021-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔祐荣 , 裵熊辉 , 裵珍宇 , 尹彩璘 , 韩成熙 , 许先佑 , 黄德性

IPC: H01L23/522 , H01L23/50 , H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上的第一位线。设置掩埋接触件，掩埋接触件设置在第一位线之间并且连接到基底。接合垫设置在掩埋接触件上。第二位线设置在基底的外围区域上。第二位线的上表面和接合垫的上表面彼此共面。第一绝缘图案设置在第二位线之间。第二绝缘图案设置在接合垫之间。设置连接到接合垫的单元电容器。第一绝缘图案包括与第二绝缘图案的至少一个绝缘层不同的绝缘层。

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