公开(公告)号：CN110943040B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN201910874790.9

申请日：2019-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田昌成 ,  申承勋 ,  柳在冏 ,  李泽勋

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种切割衬底的方法和用于形成半导体芯片的分离方法。所述衬底包括器件区域和划片道区域。所述切割衬底的方法包括：选择性地在所述衬底的所述器件区域中形成钝化层；选择性地在所述钝化层上形成自组装单层；以及在所述划片道区域中执行等离子体切割。

公开(公告)号：CN108573918B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201810188499.1

申请日：2018-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵允来 ,  金善大 ,  白亨吉 ,  白南奎 ,  申承勋 ,  元东勋

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/488

Abstract: 一种对衬底进行分割的方法包括：制备衬底，所述衬底包括具有划片槽区及器件区的晶体半导体层、位于所述晶体半导体层上的介电层以及与所述介电层实体接触且设置在所述晶体半导体层的所述划片槽区上的分隔结构；在所述晶体半导体层中形成非晶区；以及在形成所述非晶区之后，在所述晶体半导体层上执行研磨工艺。所述非晶区形成在所述晶体半导体层的所述划片槽区中。

公开(公告)号：CN115084066A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210231194.0

申请日：2022-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申承勋 ,  姜芸炳 ,  高永权 ,  李种昊 ,  李泽勋 ,  许埈荣

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/18

Abstract: 提供了一种半导体封装，该半导体封装包括：第一半导体芯片，其包括第一芯片基板以及穿过第一芯片基板的第一贯穿通路；第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片上并包括第二芯片基板以及穿透第二芯片基板的第二贯穿通路；以及连接端子，设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间以电连接第一贯穿通路和第二贯穿通路。该半导体器件进一步包括芯片间模制材料，该芯片间模制材料包括填充在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间并包围连接端子的填充部分、沿着第二半导体芯片的侧表面的至少一部分延伸的延伸部分以及从延伸部分突出的突出部分。

公开(公告)号：CN110943040A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910874790.9

申请日：2019-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田昌成 ,  申承勋 ,  柳在冏 ,  李泽勋

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种切割衬底的方法和用于形成半导体芯片的分离方法。所述衬底包括器件区域和划片道区域。所述切割衬底的方法包括：选择性地在所述衬底的所述器件区域中形成钝化层；选择性地在所述钝化层上形成自组装单层；以及在所述划片道区域中执行等离子体切割。

公开(公告)号：CN108573918A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810188499.1

申请日：2018-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵允来 ,  金善大 ,  白亨吉 ,  白南奎 ,  申承勋 ,  元东勋

IPC: H01L21/78 ,  H01L23/488

Abstract: 一种对衬底进行分割的方法包括：制备衬底，所述衬底包括具有划片槽区及器件区的晶体半导体层、位于所述晶体半导体层上的介电层以及与所述介电层实体接触且设置在所述晶体半导体层的所述划片槽区上的分隔结构；在所述晶体半导体层中形成非晶区；以及在形成所述非晶区之后，在所述晶体半导体层上执行研磨工艺。所述非晶区形成在所述晶体半导体层的所述划片槽区中。