公开(公告)号：CN114976558A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210143719.5

申请日：2022-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张汰焕 ,  权赫信 ,  申宰浩 ,  李载滢 ,  田仁秀 ,  韩盛镐

IPC: H01P7/06 ,  G06N10/40

Abstract: 提供了一种多模式谐振器。多模式谐振器包括壳体和设置在壳体内的腔体，其中腔体包括主腔体和设置在主腔体的第一横向侧上的多个第一子腔体。

公开(公告)号：CN107016442B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201611205469.4

申请日：2016-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权赫信 ,  吴暎泽 ,  田仁秀

IPC: G06N10/20 ,  G06N10/40 ,  H01L39/22

Abstract: 一种多量子比特器件和包括其的量子计算机被提供。多量子比特器件可以包括：第一层，其包括多个量子比特；第二层，其被设置在第一层上，并且包括将通量施加到多个量子比特的多个通量产生元件、将电流提供到多个通量产生元件的多个导线图案、以及多个插塞，多个插塞被设置为垂直于多个通量产生元件和多个导线图案并且使多个通量产生元件和多个导线图案互连。多个通量产生元件的每个可以与多个导线图案中相应的导线图案以及多个插塞中相应的插塞成一体。

公开(公告)号：CN119476514A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202410447464.0

申请日：2024-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大渊 ,  权赫信 ,  田仁秀

IPC: G06N10/40

Abstract: 公开了具有频率调谐的装置和方法。一种超导装置包括：频率可调谐装置，包括通过约瑟夫森结彼此连接的第一导电垫和第二导电垫；铁磁结构，设置在与第一导电垫和第二导电垫相距预定距离处；控制线，位于铁磁结构下方；以及控制电路，被配置为通过控制流经控制线的电流来控制频率可调装置的谐振频率。

公开(公告)号：CN105914129B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201610098970.9

申请日：2016-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田仁秀 ,  丘知娟 ,  金孝媛

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/04

Abstract: 一种插入绝缘层的方法包括：在金属层上生长石墨烯层；通过在第一压力和第一温度下加热第一材料而在金属层和石墨烯层之间插入第一材料；以及通过在不同于第一压力的第二压力和不同于第一温度的第二温度下加热第二材料而在金属层和石墨烯层之间插入第二材料。因此，第一材料和第二材料彼此化学地键合以形成绝缘层，该绝缘层可以在金属层和石墨烯层之间。

公开(公告)号：CN107039236A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610814092.6

申请日：2016-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴暎泽 ,  权赫信 ,  徐焕受 ,  田仁秀

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/0242 ,  H01L29/068

Abstract: 本发明的实施方式提供形成纳米接构的方法、使用其制造半导体器件的方法和包括纳米结构的半导体器件。形成纳米结构的方法可以包括形成绝缘层以及在绝缘层上形成纳米结构。该绝缘层可以具有晶体结构。该绝缘层可以包括绝缘二维(2D)材料。该绝缘2D材料可以包括六方氮化硼(h‑BN)。该绝缘层可以形成在催化剂金属层上。该纳米结构可以包括硅(Si)、锗(Ge)和SiGe中的至少一种。纳米结构可以包括至少一个纳米线。

公开(公告)号：CN118414074A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410111872.9

申请日：2024-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载滢 ,  姜真显 ,  田仁秀 ,  申宰浩

IPC: H10N60/12 ,  H10N60/80 ,  H10N60/82 ,  H10N60/01 ,  G06N10/40

Abstract: 一种量子比特芯片器件包括：衬底；超导量子比特，在衬底上；以及读出电路，在衬底上并且电连接到超导量子比特，该读出电路包括：信号线，在衬底的表面上；接地板，在衬底的表面上，该接地板包括沿信号线形成共面波导且偏离信号线的图案；以及导电桥，嵌入在衬底中并且在与信号线相交的方向上连接接地板的两个部分。

公开(公告)号：CN107016442A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611205469.4

申请日：2016-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权赫信 ,  吴暎泽 ,  田仁秀

IPC: G06N99/00 ,  H01L39/22

CPC classification number: H01L39/223 ,  G06N99/002 ,  H01L27/18

Abstract: 一种多量子比特器件和包括其的量子计算机被提供。多量子比特器件可以包括：第一层，其包括多个量子比特；第二层，其被设置在第一层上，并且包括将通量施加到多个量子比特的多个通量产生元件、将电流提供到多个通量产生元件的多个导线图案、以及多个插塞，多个插塞被设置为垂直于多个通量产生元件和多个导线图案并且使多个通量产生元件和多个导线图案互连。多个通量产生元件的每个可以与多个导线图案中相应的导线图案以及多个插塞中相应的插塞成一体。

公开(公告)号：CN107039236B

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN201610814092.6

申请日：2016-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴暎泽 ,  权赫信 ,  徐焕受 ,  田仁秀

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明的实施方式提供形成纳米接构的方法、使用其制造半导体器件的方法和包括纳米结构的半导体器件。形成纳米结构的方法可以包括形成绝缘层以及在绝缘层上形成纳米结构。该绝缘层可以具有晶体结构。该绝缘层可以包括绝缘二维(2D)材料。该绝缘2D材料可以包括六方氮化硼(h‑BN)。该绝缘层可以形成在催化剂金属层上。该纳米结构可以包括硅(Si)、锗(Ge)和SiGe中的至少一种。纳米结构可以包括至少一个纳米线。

公开(公告)号：CN113537500A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202011250061.5

申请日：2020-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权赫信 ,  李载瀅 ,  田仁秀

IPC: G06N10/00

Abstract: 提供一种量子计算设备和系统。该量子计算设备包括：第一量子比特芯片；读出腔结构，围绕第一量子比特芯片的第一端部；以及存储腔结构，围绕第一量子比特芯片的第二端部，其中，第一量子比特芯片包括：第一读出天线，设置在读出腔结构内；第一存储天线，设置在存储腔结构中；以及第一量子比特元件，设置在第一读出天线和第一存储天线之间，并且其中，第一量子比特元件设置在读出腔结构和存储腔结构之间。

公开(公告)号：CN105914129A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610098970.9

申请日：2016-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田仁秀 ,  丘知娟 ,  金孝媛

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/04

Abstract: 一种插入绝缘层的方法包括：在金属层上生长石墨烯层；通过在第一压力和第一温度下加热第一材料而在金属层和石墨烯层之间插入第一材料；以及通过在不同于第一压力的第二压力和不同于第一温度的第二温度下加热第二材料而在金属层和石墨烯层之间插入第二材料。因此，第一材料和第二材料彼此化学地键合以形成绝缘层，该绝缘层可以在金属层和石墨烯层之间。