公开(公告)号：CN105914129B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201610098970.9

申请日：2016-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田仁秀 ,  丘知娟 ,  金孝媛

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/04

Abstract: 一种插入绝缘层的方法包括：在金属层上生长石墨烯层；通过在第一压力和第一温度下加热第一材料而在金属层和石墨烯层之间插入第一材料；以及通过在不同于第一压力的第二压力和不同于第一温度的第二温度下加热第二材料而在金属层和石墨烯层之间插入第二材料。因此，第一材料和第二材料彼此化学地键合以形成绝缘层，该绝缘层可以在金属层和石墨烯层之间。

公开(公告)号：CN105914129A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610098970.9

申请日：2016-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田仁秀 ,  丘知娟 ,  金孝媛

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/04

Abstract: 一种插入绝缘层的方法包括：在金属层上生长石墨烯层；通过在第一压力和第一温度下加热第一材料而在金属层和石墨烯层之间插入第一材料；以及通过在不同于第一压力的第二压力和不同于第一温度的第二温度下加热第二材料而在金属层和石墨烯层之间插入第二材料。因此，第一材料和第二材料彼此化学地键合以形成绝缘层，该绝缘层可以在金属层和石墨烯层之间。