公开(公告)号：CN118414074A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410111872.9

申请日：2024-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载滢 ,  姜真显 ,  田仁秀 ,  申宰浩

IPC: H10N60/12 ,  H10N60/80 ,  H10N60/82 ,  H10N60/01 ,  G06N10/40

Abstract: 一种量子比特芯片器件包括：衬底；超导量子比特，在衬底上；以及读出电路，在衬底上并且电连接到超导量子比特，该读出电路包括：信号线，在衬底的表面上；接地板，在衬底的表面上，该接地板包括沿信号线形成共面波导且偏离信号线的图案；以及导电桥，嵌入在衬底中并且在与信号线相交的方向上连接接地板的两个部分。

公开(公告)号：CN114976558A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210143719.5

申请日：2022-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张汰焕 ,  权赫信 ,  申宰浩 ,  李载滢 ,  田仁秀 ,  韩盛镐

IPC: H01P7/06 ,  G06N10/40

Abstract: 提供了一种多模式谐振器。多模式谐振器包括壳体和设置在壳体内的腔体，其中腔体包括主腔体和设置在主腔体的第一横向侧上的多个第一子腔体。