公开(公告)号：CN103855219A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310628274.0

申请日：2013-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  姜熙秀 ,  沈相必 ,  洪秀宪

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0692 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件可以包括场绝缘层，该场绝缘层包括在第一和第二正交方向延伸的平面主表面和相对于第一和第二正交方向从主表面突出特定距离的突出部分；第一和第二多沟道有源鳍可以在场绝缘层上延伸并可以通过突出部分彼此分离。导电层可以从突出部分的最上表面延伸以横跨位于第一和第二多沟道有源鳍之间的突出部分。

公开(公告)号：CN108428734A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810224652.1

申请日：2013-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  姜熙秀 ,  沈相必 ,  洪秀宪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/775 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/0692 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件可以包括：场绝缘层，其包括具有在第一和第二正交方向上延伸的平面主表面的第一区域以及垂直地设置在主表面上的第二区域，第二区域的顶表面离主表面具有特定距离；第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍，其在场绝缘层上延伸，第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍由场绝缘层的相对于第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍正交地延伸的第二区域分离；设置在第一多沟道有源鳍上的第一栅极以及设置在第二多沟道有源鳍上的第二栅极；以及设置在场绝缘层的第二区域与第一栅极之间的第一外延源/漏区以及设置在场绝缘层的第二区域与第二栅极之间的第二外延源/漏区。

公开(公告)号：CN111384049A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911191687.0

申请日：2019-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑钟基 ,  郑载勋 ,  安灿根 ,  李润锡 ,  洪秀宪

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置包括衬底的第一区中的第一鳍型图案。第一鳍型图案包括具有由第一沟槽限定的对应的侧壁的多个间隔开的鳍。提供了与第一鳍型图案交叉的第一栅极结构。第二鳍型图案设置在衬底的第二区中。第二鳍型图案包括具有由第二沟槽限定的侧壁的鳍。提供了与第二鳍型图案交叉的第二栅极结构。场绝缘膜填充第一沟槽的至少一部分以及第二沟槽的至少一部分。场绝缘膜具有第一上表面和第二上表面，第一上表面与第一鳍型图案的至少一个侧壁接触并且与第一沟槽的底部间隔开第一高度，第二上表面与第二鳍型图案的侧壁接触并且与第二沟槽的底部间隔开与第一高度不同的第二高度。

公开(公告)号：CN105206605B

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201510292031.3

申请日：2015-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜岱林 ,  金炫助 ,  尹钟密 ,  洪秀宪

IPC: H01L27/02

Abstract: 本公开提供了静电放电保护器件。一种静电放电保护器件包括：基板，具有在第一方向上延伸的有源鳍；多个栅结构，在关于第一方向成给定角度的第二方向上延伸并部分地覆盖有源鳍；外延层，在有源鳍的位于栅结构之间的部分上；杂质区，在外延层下面；以及接触插塞，接触外延层。在第一方向上，杂质区的中央部分比杂质区的边缘部分厚。接触插塞位于杂质区的中央部分之上。

公开(公告)号：CN108428734B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201810224652.1

申请日：2013-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  姜熙秀 ,  沈相必 ,  洪秀宪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/775 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：场绝缘层，其包括具有在第一和第二正交方向上延伸的平面主表面的第一区域以及垂直地设置在主表面上的第二区域，第二区域的顶表面离主表面具有特定距离；第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍，其在场绝缘层上延伸，第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍由场绝缘层的相对于第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍正交地延伸的第二区域分离；设置在第一多沟道有源鳍上的第一栅极以及设置在第二多沟道有源鳍上的第二栅极；以及设置在场绝缘层的第二区域与第一栅极之间的第一外延源/漏区以及设置在场绝缘层的第二区域与第二栅极之间的第二外延源/漏区。

公开(公告)号：CN104425493A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410058492.X

申请日：2014-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪秀宪 ,  姜熙秀 ,  金炫助 ,  沈相必 ,  郑熙暾

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。

公开(公告)号：CN107248503B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201710212763.6

申请日：2014-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪秀宪 ,  姜熙秀 ,  金炫助 ,  沈相必 ,  郑熙暾

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。

公开(公告)号：CN104425493B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201410058492.X

申请日：2014-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪秀宪 ,  姜熙秀 ,  金炫助 ,  沈相必 ,  郑熙暾

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。

公开(公告)号：CN103855219B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201310628274.0

申请日：2013-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  姜熙秀 ,  沈相必 ,  洪秀宪

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0692 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件可以包括场绝缘层，该场绝缘层包括在第一和第二正交方向延伸的平面主表面和相对于第一和第二正交方向从主表面突出特定距离的突出部分；第一和第二多沟道有源鳍可以在场绝缘层上延伸并可以通过突出部分彼此分离。导电层可以从突出部分的最上表面延伸以横跨位于第一和第二多沟道有源鳍之间的突出部分。

公开(公告)号：CN107248503A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201710212763.6

申请日：2014-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪秀宪 ,  姜熙秀 ,  金炫助 ,  沈相必 ,  郑熙暾

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。