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公开(公告)号：CN111106085A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911010835.4
申请日：2019-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面；以及第一包封剂，覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分。金属层设置在所述第一包封剂上，并且包括顺序地堆叠的第一导电层和第二导电层。连接结构设置在所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述连接垫的第一重新分布层。所述第一导电层的下表面与所述第一包封剂接触并且具有第一表面粗糙度，并且所述第一导电层的上表面与所述第二导电层接触并且具有小于所述第一表面粗糙度的第二表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN118553624A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311368065.7
申请日：2023-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了半导体封装以及制造半导体封装的方法。一种制造半导体封装的方法可以包括：形成第一布线结构；在第一布线结构上多次涂覆高透射率光致抗蚀剂；通过曝光和显影高透射率光致抗蚀剂而在高透射率光致抗蚀剂中形成多个开口；通过用导电材料填充所述多个开口而形成多个导电柱；去除高透射率光致抗蚀剂；在第一布线结构上设置半导体芯片；形成围绕半导体芯片和所述多个导电柱的密封剂；以及在密封剂上形成第二布线结构，其中在第一布线结构和高透射率光致抗蚀剂彼此接触的部分处，高透射率光致抗蚀剂的透光率大于或等于3.2％。
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公开(公告)号：CN118448271A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202311473878.2
申请日：2023-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 提供了一种制造半导体封装件的方法，所述方法可以包括：提供基底；形成种子层以覆盖基底的顶表面；在种子层上顺序地堆叠牺牲层和光可成像层；形成穿透孔以穿透光可成像层和牺牲层并暴露种子层；在穿透孔中形成导电柱；执行第一工艺以去除牺牲层的至少一部分；执行第二工艺以去除光可成像层；以及图案化或去除种子层。
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公开(公告)号：CN117457508A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310806689.6
申请日：2023-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/027
Abstract: 一种制造半导体封装的方法，包括：在基板上形成多个导电图案；在基板上方形成光致抗蚀剂膜以覆盖所述多个导电图案；使用光掩模通过光刻工艺由光致抗蚀剂膜形成光致抗蚀剂图案，光掩模包括透明区域、遮光区域和仅透射入射到其上的光的一部分的半透明区域，其中光致抗蚀剂图案包括暴露一个导电图案的通路孔以及具有下表面的凹陷部分，该下表面暴露光致抗蚀剂图案的一部分；在通路孔中形成导电柱；以及通过使用光致抗蚀剂剥离组合物去除光致抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN110467799A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910370613.7
申请日：2019-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于印刷电路板和集成电路(IC)封装件的树脂组合物以及使用该树脂组合物的绝缘膜和产品。所述树脂组合物包括：包含环氧基的环氧树脂复合物，基于100重量份的环氧树脂复合物，所述环氧树脂复合物包含5至20重量份的双酚A型环氧树脂、30至60重量份的甲酚酚醛清漆环氧树脂、20至35重量份的磷基阻燃环氧树脂以及5至30重量份的橡胶改性环氧树脂；氨基三嗪类硬化剂；硬化促进剂；填料；以及基于100重量份的所述环氧树脂复合物，0.01至5重量份的表面改性剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117238858A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310645023.7
申请日：2023-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/485 , H01L23/482
Abstract: 公开包括再分布结构的半导体封装件。所述半导体封装件包括：再分布结构，包括布线结构和覆盖布线结构的绝缘结构，再分布结构具有彼此背对的第一表面和第二表面，绝缘结构包括聚合物；半导体芯片，在第一表面上，半导体芯片连接到包括在布线结构中的至少一个第一布线图案；钝化绝缘膜，覆盖第二表面，钝化绝缘膜包括与绝缘结构接触的内表面和定义孔的孔侧壁，钝化绝缘膜包括无机绝缘材料；导电垫，经由孔穿过钝化绝缘膜并且接触第二布线图案，导电垫具有接触孔侧壁的垫侧壁；以及外部连接端子，在导电垫上。
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公开(公告)号：CN111180419A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910650132.1
申请日：2019-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , B82Y30/00
Abstract: 本公开提供一种半导体封装件及用于半导体封装件的电磁干扰屏蔽结构，所述半导体封装件包括：连接结构，包括一个或更多个重新分布层；半导体芯片，设置在所述连接结构上并电连接到所述一个或更多个重新分布层；包封剂，设置在所述连接结构上并覆盖所述半导体芯片的至少一部分；以及屏蔽结构，覆盖所述包封剂的至少一部分。所述屏蔽结构包括：导电图案层，具有多个开口；第一金属层，覆盖所述导电图案层并延伸经过所述多个开口；以及第二金属层，覆盖所述第一金属层。所述第二金属层具有比所述第一金属层的厚度大的厚度。
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公开(公告)号：CN110957292A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910648814.9
申请日：2019-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/538 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：框架，包括彼此电连接的多个布线层，并且具有凹入部和通孔，所述凹入部具有设置在所述凹入部的底表面上的阻挡层，并且所述通孔贯穿所述阻挡层；半导体芯片，具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面，并且设置在所述凹入部中使得所述无效表面与所述阻挡层相对；包封剂，覆盖所述框架的至少部分和所述半导体芯片的所述无效表面的至少部分，并且填充所述凹入部的至少一部分；以及互连结构，设置在所述框架和所述半导体芯片的所述有效表面上，并且包括电连接到所述多个布线层和所述连接焊盘的重新分布层。
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公开(公告)号：CN110467798A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910370471.4
申请日：2019-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于印刷电路板和IC封装件的树脂组合物以及使用该树脂组合物的绝缘膜和使用该绝缘膜的产品。所述树脂组合物包括：环氧树脂复合物，所述环氧树脂复合物包含5至10重量份的双酚“A”型环氧树脂、5至10重量份的萘环氧树脂、10至40重量份的甲酚酚醛清漆环氧树脂、大于10并且小于或等于30重量份的橡胶改性环氧树脂以及大于或等于30并且小于50重量份的联苯芳烷基酚醛清漆树脂；硬化剂复合物，包括双环戊二烯型硬化剂、联苯芳烷基酚醛清漆型硬化剂和新酚醛树脂型硬化剂；硬化促进剂；填料；以及增稠剂。
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公开(公告)号：CN118471967A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202311353917.5
申请日：2023-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/11 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 公开了一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：第一结构，包括导电图案；第二结构，与第一结构间隔开；柱结构，在第一结构和第二结构之间，并且将第一结构电连接到第二结构；以及半导体芯片，在第一结构和第二结构之间。柱结构包括在导电图案上的内柱和围绕内柱的外柱。外柱与内柱的侧壁和顶表面接触。
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