公开(公告)号：CN118553624A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202311368065.7

申请日：2023-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许洧瑄 ,  朴俊炯 ,  朴志恩 ,  沈智慧 ,  李知泳

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L25/16 ,  H10B80/00

Abstract: 本公开提供了半导体封装以及制造半导体封装的方法。一种制造半导体封装的方法可以包括：形成第一布线结构；在第一布线结构上多次涂覆高透射率光致抗蚀剂；通过曝光和显影高透射率光致抗蚀剂而在高透射率光致抗蚀剂中形成多个开口；通过用导电材料填充所述多个开口而形成多个导电柱；去除高透射率光致抗蚀剂；在第一布线结构上设置半导体芯片；形成围绕半导体芯片和所述多个导电柱的密封剂；以及在密封剂上形成第二布线结构，其中在第一布线结构和高透射率光致抗蚀剂彼此接触的部分处，高透射率光致抗蚀剂的透光率大于或等于3.2％。

公开(公告)号：CN118471967A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202311353917.5

申请日：2023-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李知泳 ,  朴俊炯 ,  沈智慧

IPC: H01L25/11 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

Abstract: 公开了一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：第一结构，包括导电图案；第二结构，与第一结构间隔开；柱结构，在第一结构和第二结构之间，并且将第一结构电连接到第二结构；以及半导体芯片，在第一结构和第二结构之间。柱结构包括在导电图案上的内柱和围绕内柱的外柱。外柱与内柱的侧壁和顶表面接触。

公开(公告)号：CN116230669A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211621482.3

申请日：2022-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李知泳

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本申请提供了半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括：第一再分布层；第一半导体芯片，该第一半导体芯片设置在该第一再分布层上；模制层，该模制层设置在该第一再分布层上以覆盖该第一半导体芯片的侧表面；第二再分布层，该第二再分布层设置在该模制层上；以及连接柱，该连接柱设置为贯穿该模制层并被配置为将该第一再分布层与该第二再分布层连接。该连接柱包括：下部区域，该下部区域在平行于该第一半导体芯片的上表面的第一方向上具有第一宽度；以及上部区域，该上部区域与该下部区域一体连接，并且在该第一方向上具有小于该第一宽度的第二宽度。