公开(公告)号：CN110660820A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910238059.7

申请日：2019-03-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高民求 ,  郭重熙 ,  柳荣浩 ,  梁成锡 ,  李相奭 ,  蔡昇完

IPC: H01L27/15

Abstract: 发光装置包括：衬底，其在第一方向和第二方向上延伸；第一发光结构至第四发光结构，其在第一方向和第二方向上彼此间隔开并且以矩阵形式布置在衬底上；多个第一互连层结构，其将第一发光结构连接至第二发光结构；第二互连层结构，其将第二发光结构连接至第三发光结构；以及多个第三互连层结构，其将第三发光结构连接至第四发光结构。

公开(公告)号：CN107527976B

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN201710478075.4

申请日：2017-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁成锡 ,  李进馥 ,  郭重熙 ,  朴正圭 ,  金廷城

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/46

公开(公告)号：CN107527976A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710478075.4

申请日：2017-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁成锡 ,  李进馥 ,  郭重熙 ,  朴正圭 ,  金廷城

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置和制造半导体发光装置的方法。该半导体发光装置可包括发射结构、发射结构的限定区上的保护图案层和发射结构上的绝缘图案层。保护图案层可暴露出发射结构的分离的其余区，并且绝缘图案层可至少覆盖发射结构的所述其余区。绝缘图案层可包括开口，其暴露出保护图案层的表面的至少一部分，使得发射结构保持被绝缘图案层和保护图案层中的至少一个覆盖。

公开(公告)号：CN120035165A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202410780055.2

申请日：2024-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁成锡 ,  金桑贤 ,  金钟燮 ,  金俊溶 ,  朴俊赫 ,  吴在浚 ,  李政昱

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/10

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种示例半导体器件包括：沟道层；阻挡层，所述阻挡层位于所述沟道层上并且包括与所述沟道层中包括的材料比具有不同的能带隙的材料；栅电极，所述栅电极位于所述阻挡层上；栅极半导体层，所述栅极半导体层位于所述阻挡层与所述栅电极之间；保护层，所述保护层位于所述阻挡层和所述栅电极上；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极位于所述栅电极的两侧并且延伸穿过所述保护层，以覆盖所述沟道层和所述阻挡层的侧表面；以及扩散阻挡层，所述扩散阻挡层位于所述保护层内，覆盖所述阻挡层和所述栅电极并且包括氮。

公开(公告)号：CN108075021A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711091194.0

申请日：2017-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金廷城 ,  郭重熙 ,  梁成锡

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014 ,  H01L33/48 ,  H01L33/382 ,  H01L33/60

Abstract: 一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括按次序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二半导体层上的第一绝缘层，其包括具有第一宽度的多个第一开口和具有与第一宽度不同的第二宽度的多个第二开口；第一电极，其通过第一开口电连接至第一半导体层；第二半导体层与第一绝缘层之间的第一子电极层，第一子电极层通过第二开口暴露出来；以及第一绝缘层上的第二子电极层，所述第二子电极层通过第二开口连接至第一子电极层，其中，彼此最为靠近的第一开口之间的第一距离不同于彼此最为靠近的第二开口之间的第二距离。