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公开(公告)号：CN107799156B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201710781368.X
申请日：2017-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 一种操作包括存储器单元阵列和纠错码(ECC)引擎的半导体存储器设备的方法，其中存储器单元阵列包括多个存储器单元，并且ECC引擎被配置为对存储器单元阵列的数据执行纠错操作，该方法可以包括将映射信息存储在非易失性储存器中，所述映射信息指示当第一单位的存储器单元包括超出ECC引擎的纠错能力的许多故障单元时，用来与故障单元的一部分交换的正常单元的物理地址。可以基于逻辑地址访问存储器单元的第一单位的存储器单元。该方法可以包括基于映射信息选择性地对存储器单元阵列执行存储器操作。
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公开(公告)号：CN110556156A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910191825.9
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体存储器件、存储系统及操作半导体存储器件的方法。半导体存储器件包括存储单元阵列、纠错码(ECC)引擎、刷新控制电路、擦洗控制电路和控制逻辑电路。刷新控制电路响应于从存储控制器接收到的第一命令，生成用于刷新存储单元行上的存储区域的刷新行地址。擦洗控制电路对刷新行地址进行计数，并且每当擦洗控制电路计数了刷新行地址中的N个刷新行地址时，生成用于对存储单元行中的第一存储单元行执行擦洗操作的擦洗地址。ECC引擎从第一存储单元行中的至少一个子页面中读取对应于第一码字的第一数据，校正第一码字中的至少一个错误位，并将校正后的第一码字写回对应的存储位置中。
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公开(公告)号：CN107799156A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710781368.X
申请日：2017-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
CPC classification number: G06F11/1666 , G06F3/0604 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F11/10 , G06F11/1048 , G06F11/108 , G06F2201/805 , G11C29/52 , G11C2029/0411 , G11C29/42
Abstract: 一种操作包括存储器单元阵列和纠错码(ECC)引擎的半导体存储器设备的方法，其中存储器单元阵列包括多个存储器单元，并且ECC引擎被配置为对存储器单元阵列的数据执行纠错操作，该方法可以包括将映射信息存储在非易失性储存器中，所述映射信息指示当第一单位的存储器单元包括超出ECC引擎的纠错能力的许多故障单元时，用来与故障单元的一部分交换的正常单元的物理地址。可以基于逻辑地址访问存储器单元的第一单位的存储器单元。该方法可以包括基于映射信息选择性地对存储器单元阵列执行存储器操作。
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公开(公告)号：CN107437435A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710371303.8
申请日：2017-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C29/022 , G11C29/838
Abstract: 提供了一种操作半导体存储器件的方法。在操作包括含有多个存储体阵列的存储器单元阵列在内的半导体存储器件的方法中，测试存储器单元阵列的第一区域中的存储器单元以检测第一区域中的一个或多个故障单元，确定与所检测到的一个或多个故障单元相对应的故障地址，并且将所确定的故障地址存储在存储器单元阵列中与第一区域不同的第二区域中。
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公开(公告)号：CN115987299B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202211678436.7
申请日：2017-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种执行错误检测操作的存储器系统，包括：半导体存储器设备以及存储器控制器，其被配置为：将第一单位数据和第二单位数据以及第一数据总线反转位和第二数据总线反转位发送到半导体存储器设备；基于第一单位数据和第二单位数据以及第一数据总线反转位和第二数据总线反转位，生成最终错误检测码位；从半导体存储器设备接收返回的错误检测码位，所述返回的错误检测码位包括在全码率模式期间的第一错误检测码位和第二错误检测码位以及在半码率模式期间的合并的错误检测码位；以及将最终错误检测码位和返回的错误检测码位进行比较，以确定由半导体接收的第一单位数据和第二单位数据以及第一数据总线反转位和第二数据总线反转位是否包括错误。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114664368A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111431156.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 提供了一种存储器件、用于控制存储器件的控制器、包括存储器件的存储系统以及存储器件的操作方法。所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括设置在字线和位线的交叉处的多个存储单元；纠错电路，所述纠错电路被配置为从所述存储单元阵列读取数据并且纠正所读取的数据中的错误；以及错误检查和清理(ECS)电路，所述ECS电路被配置为对所述存储单元阵列执行清理操作，其中，所述ECS电路包括第一寄存器和第二寄存器，所述第一寄存器被配置为存储在所述清理操作中获得的错误地址，所述第二寄存器被配置为存储从外部设备接收的页面离线地址。
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公开(公告)号：CN113035261A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010780870.0
申请日：2020-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体存储器装置和存储器系统。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列和包括纠错码(ECC)引擎的接口电路。存储器单元阵列包括多个易失性存储器单元、正常单元区域和奇偶校验单元区域。在写入操作中，接口电路从外部装置接收主数据和第一奇偶校验数据，并且将主数据存储在正常单元区域中，将第一奇偶校验数据存储在奇偶校验单元区域中，第一奇偶校验数据基于第一ECC生成。在读取操作中，接口电路基于第一奇偶校验数据使用第二纠错码对主数据执行纠错码解码，以校正主数据中的第一类型的错误。第二纠错码具有与第一纠错码的奇偶校验矩阵相同的奇偶校验矩阵。
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公开(公告)号：CN107437435B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201710371303.8
申请日：2017-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种操作半导体存储器件的方法。在操作包括含有多个存储体阵列的存储器单元阵列在内的半导体存储器件的方法中，测试存储器单元阵列的第一区域中的存储器单元以检测第一区域中的一个或多个故障单元，确定与所检测到的一个或多个故障单元相对应的故障地址，并且将所确定的故障地址存储在存储器单元阵列中与第一区域不同的第二区域中。
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公开(公告)号：CN111796963A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010108158.6
申请日：2020-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
Abstract: 提供了一种半导体存储器件和包括该半导体存储器件的存储系统。半导体存储器件包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括存储块、局部奇偶校验存储块和寄存器块。存储块响应于多个列选择信号分别存储多条部分局部数据，或者响应于全局奇偶校验列选择信号存储第一部分全局奇偶校验。局部奇偶校验存储块响应于多个列选择信号存储局部数据的局部奇偶校验，或者响应于全局奇偶校验列选择信号存储第二部分全局奇偶校验。寄存器块生成包括第一部分全局奇偶校验和第二部分全局奇偶校验的全局奇偶校验。每条局部数据包括部分局部数据，并且全局奇偶校验是多条局部数据和局部奇偶校验的奇偶校验。
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公开(公告)号：CN112084059B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202010488607.4
申请日：2020-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 错误校正电路包括错误校正码(ECC)存储器和ECC引擎。ECC存储器存储至少部分地由生成矩阵表示的ECC。ECC引擎利用ECC基于主要数据产生奇偶性数据，并且利用奇偶性数据检测和/或校正从存储器单元阵列读取的主要数据中的至少一个错误位。主要数据包括被划分至多个子数据单元中的多个数据位。ECC包括被划分至对应于子数据单元的多个码组中的多个列矢量。列矢量具有被配置为将误校正位和多个错误位收集在一个符号中的元素，并且由于主要数据中的多个错误位而产生误校正位。
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