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公开(公告)号：CN110556156B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201910191825.9
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体存储器件、存储系统及操作半导体存储器件的方法。半导体存储器件包括存储单元阵列、纠错码(ECC)引擎、刷新控制电路、擦洗控制电路和控制逻辑电路。刷新控制电路响应于从存储控制器接收到的第一命令，生成用于刷新存储单元行上的存储区域的刷新行地址。擦洗控制电路对刷新行地址进行计数，并且每当擦洗控制电路计数了刷新行地址中的N个刷新行地址时，生成用于对存储单元行中的第一存储单元行执行擦洗操作的擦洗地址。ECC引擎从第一存储单元行中的至少一个子页面中读取对应于第一码字的第一数据，校正第一码字中的至少一个错误位，并将校正后的第一码字写回对应的存储位置中。
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公开(公告)号：CN114078510A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110928358.0
申请日：2021-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C29/42
Abstract: 一种半导体存储器装置，包括：存储器单元阵列、纠错码(ECC)引擎、清理控制电路和控制逻辑电路。存储器单元阵列包括存储器单元行，存储器单元行中的每一个包括易失性存储器单元。清理控制电路基于用于刷新存储器单元行的刷新行地址生成用于以第一周期对存储器单元行执行正常清理操作的清理地址。控制逻辑电路控制ECC引擎和清理控制电路以在刷新操作内动态地对弱码字分配清理操作，使得以小于第一周期的第二周期执行动态分配清理(DAS)操作。在对存储器单元行中的至少一个的正常清理操作或正常读取操作期间在弱码字中的每一个中检测到错误比特。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111796963A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010108158.6
申请日：2020-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
Abstract: 提供了一种半导体存储器件和包括该半导体存储器件的存储系统。半导体存储器件包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括存储块、局部奇偶校验存储块和寄存器块。存储块响应于多个列选择信号分别存储多条部分局部数据，或者响应于全局奇偶校验列选择信号存储第一部分全局奇偶校验。局部奇偶校验存储块响应于多个列选择信号存储局部数据的局部奇偶校验，或者响应于全局奇偶校验列选择信号存储第二部分全局奇偶校验。寄存器块生成包括第一部分全局奇偶校验和第二部分全局奇偶校验的全局奇偶校验。每条局部数据包括部分局部数据，并且全局奇偶校验是多条局部数据和局部奇偶校验的奇偶校验。
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公开(公告)号：CN117795462A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202180101350.5
申请日：2021-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供一种触摸显示装置。该触摸显示装置包括：显示面板，包括显示表面；导光板，设置在显示面板的显示表面上，并且形成为通过其上表面发射入射到其一个侧表面的光；第一光源阵列，设置在导光板的一侧上，并且包括向导光板的一个侧表面发射红外线的多个红外光源；相机，设置在第一光源阵列的至少一侧上，并且形成为能够捕获通过导光板的上表面的整个区域发射的红外线的图像；以及处理器，被配置为通过使用由相机捕获的红外图像来识别靠近导光板的上表面的输入对象的坐标。
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公开(公告)号：CN110556156A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910191825.9
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体存储器件、存储系统及操作半导体存储器件的方法。半导体存储器件包括存储单元阵列、纠错码(ECC)引擎、刷新控制电路、擦洗控制电路和控制逻辑电路。刷新控制电路响应于从存储控制器接收到的第一命令，生成用于刷新存储单元行上的存储区域的刷新行地址。擦洗控制电路对刷新行地址进行计数，并且每当擦洗控制电路计数了刷新行地址中的N个刷新行地址时，生成用于对存储单元行中的第一存储单元行执行擦洗操作的擦洗地址。ECC引擎从第一存储单元行中的至少一个子页面中读取对应于第一码字的第一数据，校正第一码字中的至少一个错误位，并将校正后的第一码字写回对应的存储位置中。
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公开(公告)号：CN111198779B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910603254.5
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种半导体存储器装置和存储器系统。所述半导体存储器装置包括具有多个存储器单元的存储器单元阵列，并包括：纠错码(ECC)解码器，被配置为：从存储器单元阵列的选择的存储器单元接收第一数据和第一数据的第一奇偶校验，使用H矩阵和第一数据生成第一数据的第二奇偶校验，将第一奇偶校验与第二奇偶校验进行比较以生成第一校验子，并基于包括在第一校验子中的“0”或“1”位的数量，生成具有不同状态的解码状态标志(DSF)。
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公开(公告)号：CN111198779A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201910603254.5
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种半导体存储器装置和存储器系统。所述半导体存储器装置包括具有多个存储器单元的存储器单元阵列，并包括：纠错码(ECC)解码器，被配置为：从存储器单元阵列的选择的存储器单元接收第一数据和第一数据的第一奇偶校验，使用H矩阵和第一数据生成第一数据的第二奇偶校验，将第一奇偶校验与第二奇偶校验进行比较以生成第一校验子，并基于包括在第一校验子中的“0”或“1”位的数量，生成具有不同状态的解码状态标志(DSF)。
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