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公开(公告)号：CN116960100A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310174654.5
申请日：2023-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/50 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括下金属通路、上金属通路、包括接触下金属通路的下表面和接触上金属通路的上表面的下金属线、以及在上金属通路上的上金属线。上金属通路位于下金属线和上金属线之间，并且下金属通路、下金属线和上金属通路中的每个包括钌(Ru)或钼(Mo)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116960104A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310467664.8
申请日：2023-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/48 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本公开提供了半导体器件以及制造半导体器件的互连结构的方法。提供一种半导体器件，该半导体器件包括互连结构和连接到互连结构的至少一个前段制程(FEOL)元件，该互连结构包括：第一金属图案或通路结构，在其侧壁上具有间隔物结构；和第一层间电介质(ILD)层，形成在其侧壁上具有间隔物结构的第一金属图案或通路结构的侧部处，其中间隔物结构包括与第一ILD层中包括的材料不同的电介质材料。
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公开(公告)号：CN116666373A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310154810.1
申请日：2023-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/528 , H01L23/485 , H01L23/48 , H01L21/60
Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括晶体管、无源器件、在晶体管和无源器件之间延伸的基板、以及电源轨。无源器件可以与基板间隔开。无源器件和电源轨中的每个可以具有面对基板的第一表面，并且无源器件的第一表面比电源轨的第一表面更靠近基板。
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公开(公告)号：CN117012758A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310474207.1
申请日：2023-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H01L21/768 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括电介质层、形成在电介质层中的多个通路、沉积在电介质层的顶表面上的粘合层、以及多条金属线。所述多条金属线中的第一金属线包括形成在第一金属线的底表面处的第一凹陷，使得第一金属线的第一部分直接接触第一通路，并且第一金属线的由第一凹陷限定的第二部分不直接接触第一通路或其中形成第一通路的电介质层。
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公开(公告)号：CN116960107A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310457061.X
申请日：2023-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。一种集成电路器件包括第一绝缘层和在第一绝缘层中的金属通路。集成电路器件包括在第一绝缘层上的第二绝缘层。集成电路器件包括在第二绝缘层的侧壁之间且在金属通路上的导电材料。此外，集成电路器件包括在导电材料和/或第二绝缘层上的金属线。还提供了形成集成电路器件的相关方法。
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公开(公告)号：CN119314976A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410926168.9
申请日：2024-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 公开了半导体器件和形成用于半导体器件的互连结构的方法。该半导体器件包括：正面结构，包括前道工序(FEOL)结构、中间工序(MOL)结构和后道工序(BEOL)结构中的至少一个；在正面结构上的第一金属线；以及在正面结构上的第二金属线，其中，在相同的方向上，第一金属线具有比第二金属线更大的宽度，第一金属线和第二金属线具有相等的高度。
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