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公开(公告)号：CN110872698A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910724828.4
申请日：2019-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体制造装置包括工艺室。隔热板将工艺室的内部空间分成第一空间和第二空间，并使第一空间与第二空间热隔离。气体供应部被配置为将工艺气体供应到第一空间。辐射器被配置为加热第一空间。载物台设置在第二空间内，并且载物台被配置为支撑基板。
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公开(公告)号：CN108541378B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201680024812.7
申请日：2016-05-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种用于传感器网络、机器对机器(M2M)、机器类型通信(MTC)和物联网(IoT)的技术。本公开可以用于智能服务(智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车或互联汽车、医疗保健、数字教育、零售业务以及安全和安全相关服务)。提供了一种用于通过用户简单的动作来在电子设备之间共享服务或内容的电子设备和操作方法。所述方法包括：显示针对内容的用户界面(UI)，所述UI包括用于共享所述内容的对象；响应于针对所述对象的输入，向至少另一电子设备发送用于确定所述电子设备与所述至少另一电子设备中的每个之间的距离的信号；以及响应于从第一电子设备接收到第一信号，经由对等(P2P)通信向所述第一电子设备发送关于所述内容的信息。
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公开(公告)号：CN110880447B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910552879.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/458 , C23C16/513
Abstract: 提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。
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公开(公告)号：CN110325409B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201880013809.4
申请日：2018-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及将5G通信系统与物联网(IoT)技术融合的通信技术及其系统，以支持与4G系统相比更高的数据传输速率。本公开可以应用于基于5G通信和基于物联网(IoT)相关技术的智能服务(例如，智能家居、智能建筑、智慧城市、智能汽车或联网汽车、医疗保健、数字教育、零售、安保和安全相关服务等)。本公开涉及用于传感器网络、机器到机器(M2M)、机器类型通信(MTC)和物联网(IoT)的技术。基于上述技术，本公开可以用于智能服务(智能家居、智能建筑、智慧城市、智能汽车或联网汽车、医疗保健、数字教育、零售、安保和安全相关服务等)。根据本发明的一个实施例的装置的密钥认证方法可以包括以下步骤：使用多个通信模块从终端接收信号；基于经由该多个通信模块接收的每个信号，确定该终端是否存在于距该装置的预定距离内；以及基于该终端是否存在于距该装置的预定距离内，改变安装有该装置的车辆的控制模式。
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公开(公告)号：CN110325409A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880013809.4
申请日：2018-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及将5G通信系统与物联网(IoT)技术融合的通信技术及其系统，以支持与4G系统相比更高的数据传输速率。本公开可以应用于基于5G通信和基于物联网(IoT)相关技术的智能服务(例如，智能家居、智能建筑、智慧城市、智能汽车或联网汽车、医疗保健、数字教育、零售、安保和安全相关服务等)。本公开涉及用于传感器网络、机器到机器(M2M)、机器类型通信(MTC)和物联网(IoT)的技术。基于上述技术，本公开可以用于智能服务(智能家居、智能建筑、智慧城市、智能汽车或联网汽车、医疗保健、数字教育、零售、安保和安全相关服务等)。根据本发明的一个实施例的装置的密钥认证方法可以包括以下步骤：使用多个通信模块从终端接收信号；基于经由该多个通信模块接收的每个信号，确定该终端是否存在于距该装置的预定距离内；以及基于该终端是否存在于距该装置的预定距离内，改变安装有该装置的车辆的控制模式。
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公开(公告)号：CN110872698B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201910724828.4
申请日：2019-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体制造装置包括工艺室。隔热板将工艺室的内部空间分成第一空间和第二空间，并使第一空间与第二空间热隔离。气体供应部被配置为将工艺气体供应到第一空间。辐射器被配置为加热第一空间。载物台设置在第二空间内，并且载物台被配置为支撑基板。
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公开(公告)号：CN109411386B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201810805363.0
申请日：2018-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 提供了前体供应单元、基板处理系统和制造半导体器件的方法。所述前体供应单元可包括：外部容器；内部容器，设置在所述外部容器中并且用于储存前体源；具有注入口的气体注入线路，用于将载气提供到所述外部容器中；以及具有排放口的气体排放线路，用于排放所述外部容器中的所述载气和从所述前体源产生的前体。
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公开(公告)号：CN110880447A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910552879.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/458 , C23C16/513
Abstract: 提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。
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公开(公告)号：CN109411386A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810805363.0
申请日：2018-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/4412 , C23C16/4483 , H01L21/02175 , H01L21/0228 , H01L21/67017 , C23C16/455 , H01L21/67011
Abstract: 提供了前体供应单元、基板处理系统和制造半导体器件的方法。所述前体供应单元可包括：外部容器；内部容器，设置在所述外部容器中并且用于储存前体源；具有注入口的气体注入线路，用于将载气提供到所述外部容器中；以及具有排放口的气体排放线路，用于排放所述外部容器中的所述载气和从所述前体源产生的前体。
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