公开(公告)号：CN117912975A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311145969.3

申请日：2023-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任仁范 ,  尹俊盛 ,  李承润 ,  李汀镇 ,  黄燦

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种选择用于重叠测量的多波长、以准确地测量重叠的方法，以及使用多波长的重叠测量方法和半导体器件制造方法。选择用于重叠测量的多波长的方法包括：在设置的第一波长范围内的多个波长中的每一个波长，在晶片上的多个位置处测量重叠；从多个波长中选择模拟多个波长的重叠的代表性波长；以及分别向代表性波长分配权重。

公开(公告)号：CN116344567A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211655573.9

申请日：2022-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严昌镕 ,  李汀镇

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：半导体基板，其包括第一像素组和第二像素组，第一像素组和第二像素组中的每一个包括至少四个像素区域，第一像素组和第二像素组共享像素区域中的第一像素区域；像素隔离结构，其设置在半导体基板中并且围绕像素区域中的每一个；第一器件隔离图案，其设置在第二像素组中并且设置在像素隔离结构的第一部分上；浮置扩散区域，其与第一器件隔离图案相邻设置在像素区域中的每一个中；接地掺杂剂区域，其设置在第一像素组中并且设置在像素隔离结构的第二部分上；以及第二器件隔离图案，其设置在第一像素组中并且设置在像素隔离结构的第二部分和接地掺杂剂区域之间。

公开(公告)号：CN116314220A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211637014.5

申请日：2022-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜正淳 ,  严昌镕 ,  李汀镇

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器，包括：第一半导体衬底；光电转换区，所述光电转换区位于所述第一半导体衬底中；和埋置绝缘膜，所述埋置绝缘膜位于所述第一半导体衬底上。所述埋置绝缘膜覆盖所述第一半导体衬底的第一区域并且暴露所述第一半导体衬底的第二区域。所述传感器包括：第二半导体衬底，所述第二半导体衬底位于所述埋置绝缘膜上；操作栅极结构，所述操作栅极结构在所述第二半导体衬底中限定第一导电类型的第一沟道；和转移栅极结构，所述转移栅极结构在所述第一半导体衬底的所述第二区域中限定不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二沟道。

公开(公告)号：CN118263119A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311387059.6

申请日：2023-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任仁范 ,  李汀镇 ,  李承润 ,  黄灿

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/027 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：通过曝光第一PR层的第一场区域来形成第一光刻胶(PR)图案，通过曝光第二PR层的第一顶部场区域和第一底部场区域来形成第二PR图案，测量第一顶部场区域的第一顶部场内叠加和第一底部场区域的第一底部场内叠加，以及分别基于第一顶部场内叠加和第一底部场内叠加来确定顶部场内校正参数和底部场内校正参数。

公开(公告)号：CN117794251A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311254558.8

申请日：2023-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李容在 ,  高昇必 ,  李吉镐 ,  李汀镇

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 一种半导体器件包括在基板上的单元下导电线和外围下导电线、在单元下导电线上的下电极接触、在外围下导电线上的外围导电接触、在下电极接触上彼此水平地间隔开的可变电阻图案。下电极接触分别连接到可变电阻图案。外围导电线在外围导电接触上与可变电阻图案水平地间隔开。外围导电接触连接到外围导电线。单元下导电线和外围下导电线分别连接到下电极接触和外围导电接触。单元下导电线和外围下导电线在相同的高度处。彼此直接相邻的单元下导电线的节距比彼此直接相邻的外围下导电线的节距更大。

公开(公告)号：CN116344565A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211594145.X

申请日：2022-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严昌镕 ,  姜正淳 ,  李汀镇

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器可包括：下衬底上的下器件；下衬底上的中间衬底上的中间器件；以及中间衬底上的上衬底上的上器件。下器件可包括逻辑晶体管。中间器件可包括至少一个晶体管。上器件可包括光电二极管和浮置扩散区。下衬底、中间衬底和上衬底可被堆叠。中间衬底可包括第一半导体层、氧化硅层和第二半导体层图案的堆叠件。绝缘图案填充由第一半导体层的一个或多个内表面至少部分地限定的开口。埋置绝缘图案填充延伸穿过第二半导体层图案的沟槽。

公开(公告)号：CN113552775A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110243843.4

申请日：2021-03-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗珪 ,  李承润 ,  李汀镇 ,  黄灿

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 提供EUV曝光装置、套刻校正方法和半导体器件制造方法。EUV曝光装置包括：EUV光源；第一光学系统，配置为将来自EUV光源的EUV光传输到EUV掩模；第二光学系统，配置为将从EUV掩模反射的EUV光传输到晶片；掩模平台；晶片平台；以及控制单元，配置为控制掩模平台和晶片平台，其中，基于第一套刻参数与第二套刻参数之间的相关性，第一套刻参数通过校正第二套刻参数来校正，该第一套刻参数是在晶片上的各层之间的套刻误差的参数中的一个，第二套刻参数是所述套刻误差的参数中的另一参数。

公开(公告)号：CN117991595A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311340097.6

申请日：2023-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭旻哲 ,  李汀镇 ,  李承润 ,  黄灿

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了一种光刻方法。光刻系统包括光源、光掩模台、投影光学系统和晶片台，并且投影光学系统包括变形透镜。在该光刻方法中，晶片和光掩模被各自安装在晶片台和光掩模台上，并且使用所述光掩模来执行第一曝光工艺，以将光掩模中所包括的图案的布局转移到晶片的第一半场。改变光掩模相对于晶片的相对位置，并且执行第二曝光工艺，以将光掩模中所包括的图案的布局转移到晶片的第二半场。

公开(公告)号：CN117855075A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311280807.0

申请日：2023-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭仁浩 ,  金真善 ,  李茂松 ,  李承润 ,  李汀镇 ,  黄灿 ,  朴道炫 ,  韩睿恩

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开一种重叠测量方法，在该重叠测量方法中，提供具有编程的重叠值的重叠标记。用电子束扫描重叠标记以获得电压对比图像。从电压对比图像数据获得根据重叠值而变化的缺陷函数。对缺陷函数执行自互相关以确定重叠。

公开(公告)号：CN116387329A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211640314.9

申请日：2022-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李汀镇 ,  姜正淳 ,  金志红 ,  严昌镕

IPC: H01L27/146 ,  H10K39/34

Abstract: 一种图像传感器包括第一下部芯片和在第一下部芯片上并接合至第一下部芯片的上部芯片。第一下部芯片和上部芯片合起来提供多个像素。多个像素中的各个像素包括在上部芯片中的光电转换元件、浮置扩散区、接地区和传输栅极，以及在第一下部芯片中的多个下部晶体管。多个下部晶体管当中的第一下部晶体管包括垂直堆叠的多个第一沟道层以及在多个第一沟道层上的第一栅极。