公开(公告)号：CN118689036A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410322282.0

申请日：2024-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昶宪 ,  高行德 ,  郭允铉 ,  金美静 ,  李善英 ,  林圭铉 ,  全震洹 ,  蔡贞厦 ,  韩盛现

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027

Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用其形成图案的方法，其中所述抗蚀剂组合物可包括由下式1表示的有机金属化合物、和包括由下式2表示的重复单元的聚合物。对于式1和式2中的M11、R11、R12、n、A21、L21至L23、a21至a23、R21至R22、b22和p的描述，参见说明书。式1M11(R11)n(OR12)(4‑n)式2#imgabs0#

公开(公告)号：CN119684351A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411326830.3

申请日：2024-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全震洹 ,  高行德 ,  郭允铉 ,  金美静 ,  李善英 ,  李昶宪 ,  林圭铉 ,  蔡贞厦 ,  河旻永

IPC: C07F7/22 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 提供有机金属化合物、包括其的抗蚀剂组合物和使用所述抗蚀剂组合物的图案形成方法，所述有机金属化合物由式1‑1至1‑4之一表示，式1‑1至1‑4中的M11、Q11至Q14、b11至b14、R11至R14、Y11至Y13、和X11至X13如说明书中所描述的。#imgabs0#

公开(公告)号：CN119937244A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411572488.5

申请日：2024-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡贞厦 ,  高行德 ,  郭允铉 ,  金美静 ,  李善英 ,  李智娟 ,  李昶宪 ,  全震洹

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027

Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法，所述抗蚀剂组合物包括由式1‑1至1‑4之一表示的第一有机金属化合物和由式2表示的第二有机金属化合物：其中式1‑1至1‑4和2中的M11、M21、L11至L14、L21至L24、a11至a14、a21至a24、R11至R14、R21至R24、b11至b14、b21至b24、Y11至Y13、和X11至X13如说明书中所描述的。#imgabs0#式2#imgabs1#

公开(公告)号：CN112100088A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010544800.5

申请日：2020-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李满钟 ,  金炯俊 ,  李昶宪 ,  张震泰

IPC: G06F12/02

Abstract: 本公开涉及一种电子装置和使用该电子装置的存储部的方法，该电子装置可以包括处理器、第一易失性存储器以及包括非易失性存储器和第二易失性存储器的存储部。该处理器被配置为：响应于创建了数据的请求来识别特定文件的信息和该特定文件中包括的数据的请求的种类；基于所识别的该特定文件的信息在该请求中设置标志；识别该非易失性存储器的逻辑地址和物理地址彼此映射的映射信息中的包括该数据的逻辑地址的特定区域的映射信息是否存储在该第一易失性存储器中；确定是否使用该第一易失性存储器管理该特定区域的映射信息；以及确定是否更新该第一易失性存储器中的该特定区域的映射信息。

公开(公告)号：CN120035816A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202380074163.1

申请日：2023-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊浩 ,  李昶宪 ,  玄承桓 ,  郑元硕

IPC: G06F12/02 ,  G06F3/06

Abstract: 公开了一种包括存储装置和主机的电子装置。所述主机可被配置为：基于与所述电子装置相关的至少一条信息，确定将由所述存储装置执行的垃圾回收（GC）的起始点和所述GC的吞吐量；基于所述确定，将关于所述GC的起始点和所述GC的吞吐量的信息发送到所述存储装置；在由所述存储装置执行所述GC的同时识别输入/输出（IO）是否发生；基于所述IO的发生，识别所述IO的属性；基于所述IO的属性指示第一属性，确定延迟所述IO的处理，使得由所述存储装置进行的所述GC的执行继续；并且基于所述IO的属性指示第二属性，控制所述存储装置以至少暂时暂停执行所述GC并处理所述IO。

公开(公告)号：CN118259544A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311455544.2

申请日：2023-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高行德 ,  姜哲 ,  郭允铉 ,  金旻相 ,  李善英 ,  李昶宪 ,  林圭铉 ,  蔡贞厦 ,  韩盛现

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/027

Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用其形成图案的方法，所述抗蚀剂组合物包括由下式1表示的有机金属化合物、和包括由下式2表示的重复单元的聚合物，其中，在式1和2中，M11、R11、R12、n、A21、L21‑L23、a21‑a23、R21‑R24、b22、p、和X21如说明书中所描述的。式1M11(R11)n(OR12)(4‑n)式2#imgabs0#

公开(公告)号：CN117624002A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310295692.6

申请日：2023-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡贞厦 ,  高行德 ,  郭允铉 ,  金旻相 ,  H·金 ,  金惠兰 ,  南煐敏 ,  李昶宪 ,  林圭铉

IPC: C07C381/12 ,  G03F7/20 ,  G03F7/00 ,  C07D333/76 ,  C07C65/01 ,  G03F7/004

Abstract: 提供由式1表示的羧酸盐、包括其的光致抗蚀剂组合物、和通过使用光致抗蚀剂组合物形成图案的方法。其中，在b15式、n111中、，n12A11和、RM1+1如说明‑R15、书中所描述的。式1

公开(公告)号：CN119219812A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410841016.9

申请日：2024-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金范锡 ,  金旻相 ,  高行德 ,  郭允铉 ,  安赞在 ,  李昶宪 ,  林圭铉 ,  崔诚原

IPC: C08F112/14 ,  C08F212/14 ,  C08F220/18 ,  C08F8/00 ,  G03F7/004

Abstract: 提供聚合物、包括所述聚合物的抗蚀剂组合物、以及使用所述抗蚀剂组合物形成图案的方法，所述聚合物包括由式1表示的第一重复单元，其中式1中的L11至L14、a11至a13、A11、X11、R11、R12、b12和p的描述提供在说明书中。式1#imgabs0#

公开(公告)号：CN118684603A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410343961.6

申请日：2024-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： H·金 ,  高行德 ,  金惠兰 ,  南煐敏 ,  宋智永 ,  李昶宪 ,  A·田 ,  蔡贞厦 ,  李松世 ,  洪锡九

IPC: C07C311/20 ,  C07C311/07 ,  C07C311/29 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004

Abstract: 提供有机盐、包括其的光致抗蚀剂组合物和通过使用该光致抗蚀剂组合物形成图案的方法，所述有机盐由下面的式1表示。式1的描述提供在本文中。式1#imgabs0#

公开(公告)号：CN118259546A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311459037.6

申请日：2023-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高行德 ,  郭允铉 ,  金美静 ,  金旻相 ,  李善英 ,  李昶宪 ,  林圭铉 ,  蔡贞厦 ,  韩盛现

IPC: G03F7/004

Abstract: 提供抗蚀剂组合物和通过使用其形成图案的方法，所述抗蚀剂组合物包括：由式1表示的有机金属化合物；和包括含有产生自由基的基团的重复单元、含有接受自由基的基团的重复单元、或其任意组合的聚合物。式1中的R11、R12和n的描述提供于说明书中。式1Sn(R11)n(OR12)(4‑n)。