公开(公告)号：CN115547426A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210680043.3

申请日：2022-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 阮成纲 ,  金大建 ,  朴智暎 ,  金贤友 ,  李升珉 ,  张印国 ,  洪锡九

IPC: G16C20/30 ,  G16C20/70 ,  G06N20/00 ,  G06N20/20 ,  G06N5/00

Abstract: 公开了一种估计溶解度的方法和系统。该方法包括：获得表示目标材料的化学结构的输入数据；基于输入数据生成至少一个描述符；通过将至少一个描述符提供给基于样品材料的化学结构和样品溶解度参数训练的机器学习模型来获得至少一个溶解度参数；以及基于至少一个溶解度参数计算溶解度，其中，至少一个描述符包括各自表示目标材料的化学结构的零维描述符、一维描述符、二维描述符和三维描述符中的至少一个。

公开(公告)号：CN117956791A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311394727.8

申请日：2023-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李升珉

IPC: H10B12/00 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40

Abstract: 本发明的半导体存储器件能够实现高性能和高集成度，并且具有在一个外围电路结构上配置包括竖直易失性存储器结构和竖直非易失性存储器结构在内的半导体管芯的效果。所提供的半导体存储器件包括：半导体衬底；后栅极结构，具有圆柱形形状并在半导体衬底上沿竖直方向延伸，并且包括后栅电极层和围绕后栅电极层的后栅极绝缘层；多个半导体图案，每个半导体图案具有围绕后栅极结构的环形水平截面，并且多个半导体图案在竖直方向上彼此间隔开；以及第一导线、第二导线和第三导线，围绕多个半导体图案中的一个半导体图案并在竖直方向上彼此间隔开。

公开(公告)号：CN115224042A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210131359.7

申请日：2022-02-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李升珉 ,  姜淇允 ,  金江旻 ,  金东星 ,  金俊亨 ,  俞炳瓘

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578

Abstract: 本公开的半导体器件包括：外围电路结构，包括外围晶体管；半导体层，在外围电路结构上；源极结构，在半导体层上；栅极堆叠结构，设置在源极结构上，并包括交替堆叠的绝缘图案和导电图案；存储沟道结构，电连接到源极结构，并穿透栅极堆叠结构；支撑结构，穿透栅极堆叠结构和源极结构；以及绝缘层，覆盖栅极堆叠结构、存储沟道结构和支撑结构。支撑结构包括接触绝缘图案的侧壁和导电图案的侧壁的外支撑层、以及接触外支撑层的内侧壁的支撑图案和内支撑层。