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公开(公告)号：CN119028905A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410532402.X
申请日：2024-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/31 , H01L23/48
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：形成衬底，该衬底包括具有第一区域和暴露第一区域的接触孔的结构；将衬底装载到工艺室中；在工艺室内在金属‑半导体化合物形成温度或更高温度下重复地执行沉积工艺和浸泡工艺两次或更多次，该沉积工艺包括重复地在第一持续时间内向工艺气体施加射频(RF)等离子体功率和在第二持续时间内不向工艺气体施加RF等离子体功率，该浸泡工艺不使用等离子体，从而形成第一区域上的金属‑半导体化合物层、接触孔的侧壁上的侧壁材料层、以及所述结构上的上材料层；在工艺室中执行去除侧壁材料层的至少一部分的去除工艺；以及在执行去除工艺之后从工艺室卸载衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110277495B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201910135852.4
申请日：2019-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于制造半导体装置的设备和方法。所述设备可以包括：腔室，包括壳体和用于打开或关闭壳体的一部分的隔离阀；加热器卡盘，设置在壳体的下部区域中并被构造为加热基底；靶，设置在加热器卡盘上方；等离子体电极，设置在壳体的上部区域中并用于在靶上产生等离子体；散热屏蔽件，在等离子电极与加热器卡盘之间围绕壳体的内壁；边缘加热结构，设置在散热屏蔽件以及壳体的内壁之间，并且被构造为加热散热屏蔽件以及基底的边缘区域并减小基底的中心区域与边缘区域之间的温度差异。
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公开(公告)号：CN112054119A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010423728.0
申请日：2020-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：基体结构，包括半导体基底；第一导电结构，设置在基体结构上，并且在第一方向上延伸，第一导电结构包括下层，并且下层之中的至少一个下层包括碳；数据存贮材料图案，设置在第一导电结构上。所述半导体器件还包括：中间导电图案，设置在数据存贮材料图案上并且包括中间层，中间层之中的至少一个中间层包括碳；开关材料图案，设置在中间导电图案上；以及开关上电极图案，设置在开关材料图案上并且包括碳。所述半导体器件还包括：第二导电结构，设置在开关上电极图案上，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及孔间隔件，设置在数据存贮材料图案的侧表面上。
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公开(公告)号：CN110277495A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910135852.4
申请日：2019-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 提供了一种用于制造半导体装置的设备和方法。所述设备可以包括：腔室，包括壳体和用于打开或关闭壳体的一部分的隔离阀；加热器卡盘，设置在壳体的下部区域中并被构造为加热基底；靶，设置在加热器卡盘上方；等离子体电极，设置在壳体的上部区域中并用于在靶上产生等离子体；散热屏蔽件，在等离子电极与加热器卡盘之间围绕壳体的内壁；边缘加热结构，设置在散热屏蔽件以及壳体的内壁之间，并且被构造为加热散热屏蔽件以及基底的边缘区域并减小基底的中心区域与边缘区域之间的温度差异。
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公开(公告)号：CN110273135A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910116710.3
申请日：2019-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种准直器、一种制造半导体装置的设备和方法。制造设备可以包括：腔室；加热器卡盘，设置在腔室的下区域中，并且被构造为加热基底；靶，设置在加热器卡盘上方，靶包含用于将要沉积在基底上的薄层的源；等离子体电极，设置在腔室的上区域中并且被构造为在靶附近产生等离子体，从而从源产生粒子；准直器，设置在加热器卡盘与靶之间。
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